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71. 发明授权

KR101133764B1 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR101133764B1
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020050021014
申请日：2005-03-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최준후 , 고준철 , 최범락
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1296 , H01L29/04
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 기판 위에 서로 분리되어 있는 제1 및 제2 전극을 형성하고, 비정질과 다결정 규소가 혼재하는 규소막을 스퍼터링 또는 화학 기상 증착으로 적층한 다음, 상기 규소막을 패터닝하여 반도체를 형성한다. 반도체 위에 게이트 절연막을 형성하고, 그 위에 반도체와 마주 보는 제3 전극을 형성한 다음, 제3 위에 보호막을 형성하고 그 위에 화소 전극을 형성한다. 이와 같이 함으로써, 따로 불순물을 주입하지 않으면서도 이동성이 우수한 다결정 규소를 포함하는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 표시판을 형성할 수 있다.
유기발광부재, 박막트랜지스터, 다결정규소, 스퍼터링, 화학기상증착

72. 发明授权

KR101058464B1 기판상의 필름영역과 그 에지영역에서의 실질적인 균일성을제공하기 위한 필름영역의 레이저 결정 가공을 위한 방법과 시스템 및 그 필름영역을 가진 구조물 有权
标题翻译： 기판상의필름영역과그에지영역에서의실인균일성을제공하기위한필름영역의레이저결정가공을위한방법과시스템그필름영역을가진구조물
公开(公告)号：KR101058464B1
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020057002868
申请日：2003-08-19
申请人： 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕
发明人： 임제임스에스.
IPC分类号： H01L29/786 , C30B13/06 , C30B13/16
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K26/067 , G03F7/70041 , G03F7/70725 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/78675
摘要： A process and system for processing a thin film sample, as well as the thin film structure are provided. In particular, a beam generator can be controlled to emit successive irradiation beam pulses at a predetermined repetition rate. Each irradiation beam pulse may be masked to define a first plurality of beamlets and a second plurality of beamlets. The first and second plurality of beamlets of each of the irradiation pulses being provided for impinging the film sample and having an intensity which is sufficient to at least partially melt irradiated portions of the section of the film sample. A particular portion of the section of the film sample is irradiated with the first beamlets of a first pulse of the irradiated beam pulses to melt first areas of the particular portion, the first areas being at least partially melted, leaving first unirradiated regions between respective adjacent ones of the first areas, and being allowed to resolidify and crystallize. After the irradiation of the particular portion with the first beamlets, the particular portion is again irradiated with the second beamlets of a second pulse of the irradiated beam pulses to melt second areas of the particular portion, the second areas being at least partially melted, leaving second unirradiated regions between respective adjacent ones of the second areas, and being allowed to resolidify and crystallize. The first irradiated and re-solidified areas and the second irradiated and re-solidified areas are intermingled with one another within the section of the film sample. In addition, the first areas correspond to first pixels, and the second areas correspond to second pixels.
摘要翻译：提供了用于处理薄膜样品的工艺和系统以及薄膜结构。特别地，可以控制光束发生器以预定的重复率发射连续的照射光束脉冲。每个辐射束脉冲可被掩蔽以定义第一多个子束和第二多个子束。每个照射脉冲的第一和第二多个子光束被提供用于照射薄膜样品并具有足以至少部分地熔化薄膜样品的部分的照射部分的强度。用照射的光束脉冲的第一脉冲的第一子束照射膜样品的截面的特定部分，以熔化特定部分的第一区域，第一区域至少部分熔化，在相应的相邻区域之间留下第一未照射区域第一个领域的一些，并被允许重新固化和结晶。在用第一子束照射特定部分之后，再次用照射束脉冲的第二脉冲的第二子束照射特定部分以熔化特定部分的第二区域，第二区域至少部分熔化，离开在相邻的第二区域之间的第二未照射区域，并且允许再固化和结晶。第一照射区和再固化区以及第二照射区和再固化区在薄膜样品的截面内相互混合。另外，第一区域对应于第一像素，并且第二区域对应于第二像素。

73. 发明公开

KR1020110041107A 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법 无效
标题翻译：有机发光二极管显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110041107A
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020090098137
申请日：2009-10-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이홍로 , 이상조
IPC分类号： G09G3/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1222 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3262 , H01L51/5012 , H01L51/56 , H01L27/3265 , H01L27/3276
摘要： PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to reduce stripes on an organic electroluminescent display device because driving transistors of adjacent pixels are extended in different directions. CONSTITUTION: A plurality of data lines cross with scan lines. A plurality of pixels(100) are located in the intersections of the scan lines and the data lines. Each pixel comprises an organic electroluminescent, a switching transistor(TRs), a driving transistor(TRd), and a capacitor. In the switching transistor, a gate electrode is connected to a scan line and one side electrode is connected to a data line. The driving transistor is connected between the organic electroluminescent and a power voltage supply line and includes a gate electrode connected to the other side electrode of the switching transistor. The capacitor is connected between the gate electrode of the driving transistor and the power voltage supply line. In pixels that are located adjacent to each other along a scan or data line, the semiconductor layers of the driving transistors are extended in different directions.
摘要翻译：目的：提供有机电致发光显示装置及其制造方法，以减少有机电致发光显示装置上的条纹，因为相邻像素的驱动晶体管沿不同方向延伸。构成：多条数据线与扫描线交叉。多个像素（100）位于扫描线和数据线的交点中。每个像素包括有机电致发光器件，开关晶体管（TRs），驱动晶体管（TRd）和电容器。在开关晶体管中，栅电极连接到扫描线，一侧电极连接到数据线。驱动晶体管连接在有机电致发光和电源电压供给线之间，并且包括连接到开关晶体管的另一侧电极的栅电极。电容器连接在驱动晶体管的栅电极和电源电压线之间。在沿着扫描或数据线彼此相邻定位的像素中，驱动晶体管的半导体层在不同方向上延伸。

74. 发明授权

KR101022619B1 화상 표시 장치 有权
标题翻译：图像显示设备
公开(公告)号：KR101022619B1
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020040008323
申请日：2004-02-09
申请人： 가부시키가이샤 재팬 디스프레이
发明人： 다이미쯔하루 , 하따노무쯔꼬 , 야마구찌신야 , 시바다께오 , 사또히데오
IPC分类号： G02F1/133
CPC分类号： H01L27/1296 , G02F1/13624 , G02F1/136277 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78627
摘要： 매트릭스 형상으로 배치된 화소부를 구동하기 위한 구동 회로를 구성하는 박막 트랜지스터가 고속화된다. 절연성 기판 SUB 위의 표시 영역 DSP에 다수의 화소 PXL을 매트릭스 형상으로 배치하고, 이 표시 영역 DSP의 주변에 드레인 시프트 레지스터 DSR, 디지털·아날로그 변환기 DAC, 드레인 레벨 시프터 DLS, 버퍼 BF, 샘플링 스위치 SSW로 이루어지는 드레인측 화소 구동 회로와, 게이트 시프트 레지스터 GSR, 게이트 레벨 시프터 GLS 등으로 이루어지는 게이트측 화소 구동 회로, 및 각종 회로를 배치한다. 이들 화소 구동 회로의 고속 동작을 필요로 하는 회로 영역 SX를 구성하는 박막 트랜지스터의 전류 이동도를, 복수개의 레이아웃과 배치 구조의 조합을 회로마다 최적화하여, 각 회로에 특유의 사양을 충족시킨다.
화소 구동 회로, 드레인 레벨 시프터, 샘플링 스위치, 고속 동작
摘要翻译：构成驱动布置成矩阵形状的像素部分的驱动电路的薄膜晶体管被加速。多个像素PXL以矩阵形式排列在绝缘衬底SUB上的显示区域DSP上，并且漏极移位寄存器DSR，并且，配置有包括栅极移位寄存器GSR，栅极电平移位器GLS等的栅极侧像素驱动电路以及各种电路。构成该所需要的图的高速操作的当前移动SX的电路区域中，通过所述多个布局的优化到每个电路装置的组合，这些像素驱动电路的薄膜晶体管，以满足每个电路的具体设计。

75. 发明授权

KR100998777B1 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 및 이것을 이용한 화상표시 장치 有权
标题翻译：制造有源矩阵基板的方法和使用其的图像显示装置
公开(公告)号：KR100998777B1
公开(公告)日：2010-12-07
申请号：KR1020040006173
申请日：2004-01-30
申请人： 가부시키가이샤 재팬 디스프레이
发明人： 사또다께시 , 다께다가즈오 , 사이또마사까즈 , 고또준 , 오꾸라마꼬또
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L21/0268 , B23K26/0622 , B23K26/066 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78645
摘要： 본 발명은 고성능의 액티브 매트릭스 기판을 저비용 장치에서 고스루풋으로 제조하여, 이 액티브 매트릭스 기판으로 화상 표시 장치를 구성하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해, 레일 상을 단축 X 방향과 장축 Y 방향으로 이동하는 스테이지 상에 비정질 실리콘 반도체막을 형성한 기판을 장착하여 유지한다. 라인 빔 형상의 펄스 레이저 빔을 레이저 빔의 장축 Y 방향으로 주기적인 위상 시프트 마스크를 이용하여 강도 변조하고, 기판 상에 형성된 비정질 Si막에 대하여 변조 방향으로 랜덤하게 이동시키면서 조사하여 결정화하여, 결정 입자가 큰 다결정 실리콘막을 얻어서, 이 실리콘막으로 형성한 박막 트랜지스터 등의 액티브 소자를 갖는 액티브 매트릭스 기판으로 화상 표시 장치를 구성한다.
박막 트랜지스터, 펄스 레이저 빔, 비정질 실리콘 반도체막, 위상 시프트 마스크, 결정 입자

76. 发明公开

KR20100043785A Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and display apparatus having the same 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板，其制造方法及其显示装置
公开(公告)号：KR20100043785A
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：KR20080102970
申请日：2008-10-21
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： CHOO BYOUNG KWON , CHOI JOON HOO , CHO KYU SIK , PARK SEUNG KYU , PARK YONG HWAN , MOON SANG HO
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1296 , H01L29/786
摘要： PURPOSE: A TFT display plate, a method of manufacturing the same, and display device having the same are provided to improve switching property variation of TFT. CONSTITUTION: The first gate electrode(122) and the second gate electrode(123) are formed on a substrate. A gate insulating film is formed on the first gate and the second gate electrode. The second semiconductor(143) is overlapped with the second gate electrode. The second drain electrode(176) is separated and faced with the second source electrode. A pixel electrode is electrically connected to the second drain electrode.
摘要翻译：目的：提供TFT显示板及其制造方法以及具有该TFT显示板的显示装置，以改善TFT的开关特性变化。构成：第一栅电极（122）和第二栅电极（123）形成在基板上。在第一栅极和第二栅电极上形成栅极绝缘膜。第二半导体（143）与第二栅电极重叠。第二漏电极（176）分离并面对第二源电极。像素电极电连接到第二漏电极。

77. 发明授权

KR100930855B1 박막 재료의 결정화 방법 및 그 장치 有权
标题翻译： 박막재료의결정화방법및그장치
公开(公告)号：KR100930855B1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：KR1020077024239
申请日：2006-02-13
申请人： 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼
发明人： 가토오사무 , 이나미도시오 , 시다준이치 , 정석환 , 사와이미키 , 고야노아키노리 , 고바야시나오유키
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/0622 , B23K26/067 , H01L21/2026 , H01L27/1296
摘要： When crystal particle size cannot be uniformed, it is impossible to reduce variations in TFT characteristics over the entire panel. A method of crystallizing a thin film material comprising the step of splitting a pulse-form laser into a plurality of split lasers and delaying them and irradiating a material (12, 112) with them when the thin-film-form silicon material (12, 112) is irradiated with a pulse-form laser several times to form crystals, wherein the pulse waveform (2) of one pulse-form laser formed by a plurality of superimposed split lasers has a maximum peak (23) having the maximum intensity I, at least one maximum peak (22) having an intensity exceeding I/2, and at least one minimum point (21) positioned between adjacent maximum peaks (22, 23) and having an intensity lower than I/2.
摘要翻译：当晶粒尺寸不能均匀时，不可能减小整个面板上TFT特性的变化。一种使薄膜材料结晶的方法，包括以下步骤：当薄膜状硅材料（12,12）与薄膜状硅材料（12,112）接触时，将脉冲型激光器分裂成多个分裂激光器并将它们延迟并照射材料 112）用脉冲形式激光器照射数次以形成晶体，其中由多个叠加的分离激光器形成的一个脉冲形式激光器的脉冲波形（2）具有最大强度I的最大峰值（23）至少一个强度超过I / 2的最大峰值（22）以及至少一个位于相邻最大峰值（22,23）之间并且强度低于I / 2的最小点（21）。

78. 发明公开

KR1020090117999A 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 이용한 표시 장치 无效
标题翻译：薄膜晶体管，其制造方法和使用其的显示器件
公开(公告)号：KR1020090117999A
公开(公告)日：2009-11-17
申请号：KR1020090040758
申请日：2009-05-11
申请人： 소니 주식회사
发明人： 요시무라유스케
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L27/1296 , H01L29/66765 , H01L29/458
摘要： PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and a display device using the same are provided to suppress distribution of a transistor characteristic by reducing the influence of crystalline deterioration in an end of a gate electrode in a source side by performing crystallization in a channel region. CONSTITUTION: A thin film transistor(1) includes a gate electrode(11), a crystallized semiconductor layer(13), a drain electrode and a source electrode. The crystallized semiconductor layer is formed while interposing a gate insulation layer(12) on the gate electrode. The drain electrode and the source electrode are formed in both sides of the crystallized semiconductor layer while interposing the impurity doped layer in contact with the crystallized semiconductor layer. A source side length is longer than a drain side length and the source side contact length is longer than the drain side contact length.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及使用该薄膜晶体管的显示装置，以通过降低源极侧的栅电极的结晶劣化的影响来抑制晶体管特性的分布，在通道区结晶。构成：薄膜晶体管（1）包括栅电极（11），结晶半导体层（13），漏电极和源电极。在栅电极上插入栅绝缘层（12）而形成结晶化半导体层。漏极电极和源电极形成在结晶化半导体层的两侧，同时使杂质掺杂层与结晶的半导体层接触。源极侧长度比漏极侧长度长，源极侧接触长度大于漏极侧接触长度。

79. 发明公开

KR1020090079686A 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090079686A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005833
申请日：2008-01-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이제훈 , 윤갑수 , 손경석 , 김도현 , 정창오
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1296 , H01L29/4908 , H01L27/1248
摘要： A thin film transistor substrate is provided to obtain uniform electrical characteristics with respect to a large-sized display device by increasing mobility of charges. A thin film transistor substrate includes an oxide semiconductor layer(40), a gate electrode(26), a gate insulating layer(30), and a protective layer(70). The oxide semiconductor layer is formed on an insulating substrate(10). The oxide semiconductor layer has a channel section. The gate electrode is overlapped with the oxide semiconductor layer. The gate insulating layer is inserted into a space between the oxide semiconductor layer and the gate electrode. The protective layer is formed on an upper part of the oxide semiconductor layer and an upper part of the gate electrode. At least one of the gate insulating layer and the protective layer includes fluorine-based silicon.
摘要翻译：提供薄膜晶体管基板，以通过增加电荷的迁移率来获得相对于大尺寸显示装置的均匀电特性。薄膜晶体管基板包括氧化物半导体层（40），栅电极（26），栅绝缘层（30）和保护层（70）。氧化物半导体层形成在绝缘基板（10）上。氧化物半导体层具有沟道部。栅电极与氧化物半导体层重叠。栅极绝缘层被插入到氧化物半导体层和栅电极之间的空间中。保护层形成在氧化物半导体层的上部和栅电极的上部。栅极绝缘层和保护层中的至少一个包括氟基硅。

80. 发明公开

KR1020080086880A 막 처리 시스템과 방법, 및 박막 失效
标题翻译：用于处理薄膜和薄膜的系统和方法
公开(公告)号：KR1020080086880A
公开(公告)日：2008-09-26
申请号：KR1020087016513
申请日：2006-12-05
申请人： 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕
发明人： 임제임스에스
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
摘要： In some embodiments, a method of processing a film is provided, the method comprising defining a plurality of spaced-apart regions to be pre-crystallized within the film, the film being disposed on a substrate and capable of laser-induced melting; generating a laser beam having a fluence that is selected to form a mixture of solid and liquid in the film and where a fraction of the film is molten throughout its thickness in an irradiated region; positioning the film relative to the laser beam in preparation for at least partially pre-crystallizing a first region of said plurality of spaced-apart regions; directing the laser beam onto a moving at least partially reflective optical element in the path of the laser beam, the moving optical element redirecting the beam so as to scan a first portion of the first region with the beam in a first direction at a first velocity, wherein the first velocity is selected such that the beam irradiates and forms the mixture of solid and liquid in the first portion of the first region, wherein said first portion of the first region upon cooling forms crystalline grains having predominantly the same crystallographic orientation in at least a single direction; and crystallizing at least the first portion of the first region using laser-induced melting.
摘要翻译：在一些实施例中，提供了一种处理膜的方法，所述方法包括限定多个间隔开的区域，以在膜内预结晶，膜设置在基板上并且能够进行激光诱导熔化; 产生具有一定角度的激光束，该激光束被选择以在膜中形成固体和液体的混合物，并且其中一部分膜在照射区域中在其整个厚度上熔融; 将膜相对于激光束定位，以准备至少部分预结晶所述多个间隔开的区域的第一区域; 将激光束引导到激光束的路径中的移动的至少部分反射的光学元件上，所述移动光学元件重新定向所述光束，以便以所述第一方向的所述光束以所述第一速度扫描所述第一区域的第一部分其中所述第一速度被选择为使得所述光束在所述第一区域的所述第一部分中照射和形成固体和液体的混合物，其中所述第一区域的冷却时的所述第一部分形成具有主要相同晶体取向的晶粒最少一个方向并且使用激光诱导熔化使至少第一区域的第一部分结晶。

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