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71. 发明公开

KR1020170007172A 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020170007172A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020160086634
申请日：2016-07-08
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치
发明人： 노자와도시히사 , 모야마가즈키 , 미야마료 , 사무카와세이지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4401 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32467
摘要： 본발명은, 칸막이판의소모및 피처리체의오염을억제하는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치(10)는, 처리용기(12)와, 칸막이판(40)을갖는다. 칸막이판(40)은, 절연성재료로형성되고, 복수의개구(40h)를가지며, 처리용기(12) 내를플라즈마생성실(S1)과처리실(S2)로구획한다. 또한, 칸막이판(40)의처리실(S2) 측의면에는, 도전성재료로형성된도전성부재(40a)가설치된다. 도전성부재(40a)에는, 교류전압, 또는, 플라즈마생성실(S1)로부터각각의개구(40h)를통해처리실(S2)로유도하는하전입자의극성과반대극성의직류전압중 적어도어느하나의전압이인가된다.
摘要翻译：一种等离子体处理装置，包括：处理容器; 以及由绝缘材料制成的隔板，具有多个开口，并被构造成将处理容器的内部分隔成等离子体产生室和处理室。在隔板的处理室侧的表面上设置由导电材料制成的第一导电构件，并且向第一导电构件施加交流电压和极性相反的直流电压中的至少一个到通过每个开口从等离子体产生室引导到处理室中的带电粒子的极性。

72. 发明授权

KR101695110B1 가스 클러스터 조사 기구 및 그것을 이용한 기판 처리 장치, 및 가스 클러스터 조사 방법 有权
标题翻译：气体聚集体辐照机理基板加工装置与气体聚集体辐射方法
公开(公告)号：KR101695110B1
公开(公告)日：2017-01-10
申请号：KR1020157002885
申请日：2013-05-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이나이겐스케 , 도바시가즈야
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： H01J37/3244 , B08B7/005 , H01J37/32449 , H01J37/32743 , H01L21/02046
摘要： 진공으로유지된처리용기(1) 내에가스를분사하여단열팽창에의해가스클러스터를생성하고, 생성한가스클러스터를피처리기판(S)에조사하는가스클러스터조사기구(10)를개시한다. 가스클러스터조사기구(10)는, 복수의가스분사노즐(17)을가지는노즐유닛(11)과, 노즐유닛(11)에가스를공급하는가스공급부(12)를구비한다. 가스분사노즐(17)의개수는, 가스분사노즐(17)로부터가스가필요한유량으로공급되었을때에도달하는처리용기(1) 내의압력이, 가스클러스터를파괴하지않는정도의압력이되는개수로설정된다. 또한, 가스분사노즐(17)은, 인접하는것 끼리가, 이들로부터분사된가스중 가스클러스터의형성에기여하지않았던잔류가스가퍼지는범위가서로겹치지않도록배치된다.
摘要翻译：气体簇照射机构包括具有多个气体喷射喷嘴的至少一个喷嘴单元和用于将气体供给到喷嘴单元的气体供给单元。多个气体喷射喷嘴被设定为使得当气体以预定流量从气体喷射喷嘴供应时，处理室中的压力保持低于气体簇开始被破坏的极限。此外，气体喷射喷嘴以相邻的气体喷射喷嘴之间的预设间隔布置，使得来自相邻气体喷射喷嘴的残留气体彼此不重叠的各个区域彼此不重叠，残留气体是从气体注入喷嘴，并且不有助于气体簇的产生。

73. 发明公开

KR1020170001587A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 기억 매체 및 프로그램 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件基板处理设备的方法存储介质和程序
公开(公告)号：KR1020170001587A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020160071905
申请日：2016-06-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 사사키,다카후미 , 야마구치,다카토모
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/78 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32862 , H01L21/0217
摘要： 기판의처리균일성을향상시키는기술을제공한다. 처리실내의기판상에성막가스와제1 불활성가스를공급하여, 상기기판상에막을형성하는성막공정과, 상기처리실내에기판이없는상태에서, 상기제1 불활성가스보다도높은온도의제2 불활성가스를, 상기처리실내에직접공급함으로써, 상기성막공정에의해상기처리실내에퇴적된퇴적막을제거하는퇴적막 제거공정을포함하는기술을제공할수 있다.
摘要翻译：基板处理装置包括：气体供给部，被构造成将成膜气体，第一惰性气体以及比第一惰性气体高的温度供给的第二惰性气体中的至少一种供给至处理室，处理基板; 以及控制部，被配置为控制所述气体供给部，以进行将所述成膜气体和所述第一惰性气体从所述气体供给部供给到所述处理室的成膜工序，以处理所述基板，并且控制所述沉积膜在处理室中没有基板的状态下将从气体供给部分直接供给具有比第一惰性气体高的温度的第二惰性气体直接供给到处理室的除去过程，以除去沉积在其中的沉积膜处理室。

74. 发明授权

KR101689916B1 중력에 의한 가스 확산 분리(ＧＩＧＤＳ) 기술에 의해 제어되는 플라즈마 발생 시스템 有权
标题翻译：通过重力诱导气体分离分离技术控制的等离子体发生
公开(公告)号：KR101689916B1
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020127006016
申请日：2010-08-11
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 자오지안핑 , 첸리 , 펑크메리트 , 노자와도시히사
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/311 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137
摘要： 본발명은, 중력에의한가스확산분리기술을통하여플라즈마를발생하는것을이용하는기판처리장치및 기판처리방법을제공할수 있다. 이러한기판처리장치및 기판처리방법에서는, 중력값(즉, 가스상성분의분자량과기준분자량간의비)이서로다른불활성가스와프로세스가스를포함하는가스를추가하고사용함으로써, 2구역혹은다구역플라즈마가형성될수 있고, 이 2구역혹은다구역플라즈마에서는, 중력에의한확산이서로다르기때문에, 한종류의가스가플라즈마발생영역부근에많이구속될수 있으며, 다른종류의가스가상기한 종류의가스로부터크게분리될수 있고상기한 종류의가스보다웨이퍼프로세스영역에더 근접하게구속되어있다.
摘要翻译：本发明可以提供使用通过重力引起的气体扩散分离技术的等离子体生成来处理衬底的装置和方法。通过添加或使用气体，包括不同重量的惰性气体和工艺气体（即气态成分的分子量与参考分子量之间的比例），可以形成两区或多区等离子体，其中一种气体可以在等离子体产生区域附近受到高度约束，并且由于差分重力感应扩散，另一种气体可以与前述气体大大分离，并且比上述气体更为接近晶片处理区域。

75. 发明公开

KR1020160146564A 도핑된 석영 표면들을 가진 플라즈마 에칭 디바이스 审中-实审
标题翻译：具有DOPED QUARTZ表面的等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：KR1020160146564A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020160072287
申请日：2016-06-10
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 산트산케트
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01L21/687
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01L21/68721 , H01L21/3065 , H01L21/02315 , H01L21/6835 , H05H1/46
摘要： 기판을프로세싱하기위한장치가제공된다. 프로세싱챔버가제공된다. 기판을지지하기위한기판지지부는프로세싱챔버내에있다. 에지링은기판지지부상에있고, 에지링은 AlO 및 YO의도펀트또는 LaO의도펀트를가진질소프리 (free) 도핑된석영을포함한다. 프로세싱챔버내로가스를제공하기위한가스유입부는기판의표면위에있다. 적어도하나의전극은 RF 전력을프로세싱챔버내로제공한다.
摘要翻译：提供了一种用于处理衬底的设备。提供处理室。用于支撑衬底的衬底支撑件在处理室内。边缘环在衬底支撑件上，其中边缘环包括无氮掺杂石英，其具有AlO和YO的掺杂剂或LaO的掺杂剂。用于将气体提供到处理室中的气体入口位于衬底的表面之上。至少一个电极向处理室提供RF功率。

76. 发明公开

KR1020160146534A 온도 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：温度控制方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020160146534A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020160068241
申请日：2016-06-01
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도요다게이고 , 츠지모토히로시
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/32522 , G05B2219/45212 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/02315 , H01L21/324 , H01L21/67069 , H01L21/67098 , H01L21/67248
摘要： 본발명은플라즈마처리장치내에서배치대의온도제어성을높이는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치내에서기판을배치하는배치대의온도제어방법으로서, 상기플라즈마처리장치내에는상기배치대를냉각하는냉각기구및 상기배치대를가열하는제1 가열기구를포함하는온도조정기구가마련되고, 상기플라즈마처리장치내에인가되는고주파전력과상기배치대에의입열량의관계를나타내는제1 관계정보를측정에의해구하며, 미리기록부에기록된데이터테이블에기초하여, 미리정해진프로세스로인가되는고주파전력에대한제1 입열량을산출하고, 상기냉각기구와상기제1 가열기구의설정온도의차분의제어허용범위를입열량에따라단계적으로설정하며, 미리상기기록부에기억한오퍼레이션맵에기초하여, 상기냉각기구와상기제1 가열기구의설정온도의차분이상기제1 입열량에따른제어허용범위내의온도가되도록상기제1 가열기구및 상기냉각기구중 적어도어느하나의온도를제어하는, 배치대의온도제어방법이제공된다.
摘要翻译：一种用于控制等离子体处理装置中的安装台的温度的方法，包括：根据在给定过程中施加的高频功率来计算第一热输入量，其中基于数据表计算第一热输入量，数据表是通过测量温度产生的，以便找到在等离子体处理装置中施加的高频功率与安装台的热输入量之间的第一关系; 基于操作图来控制第一加热机构和冷却机构中的至少一个的温度，使得冷却机构和第一加热机构之间的第一温度差在与第一加热输入量对应的可控范围内，其中所述第一加热机构的温度在所述可控制的第一温差之后是可控的。

77. 发明授权

KR101687029B1 플라즈마 처리 챔버용 샤워헤드 조립체 有权
标题翻译：用于等离子体加工室的淋浴组件
公开(公告)号：KR101687029B1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：KR1020100100808
申请日：2010-10-15
申请人： 오보텍 엘티 솔라 엘엘씨
发明人： 라우캄에스 , 도시마마사토 , 블로니간웬델토마스 , 캔린 , 라우로빈케이에프
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/45578 , C23C16/50 , H01J37/32091 , H01J37/3244
摘要： 본발명은기판을처리하기위한플라즈마처리장치용샤워헤드조립체로서, 상기조립체는가스입구를가지는상부플레이트; 상부플레이트아래에위치되고, 상부플레이트와함께상부가스격실을규정하도록상부플레이트로부터이격되어있는관통플레이트; 및관통플레이트아래에위치되고, 하부가스격실을규정하도록관통플레이트로부터이격되어있으며, 처리될기판과마주하는가스분배플레이트를포함하며, 가스분배플레이트는그의하부표면에있는복수개의기다란가스분배슬롯및 그의상부표면에있는복수개의가스분배구멍을포함하고, 각각의가스분배구멍은관통플레이트의구멍보다직경이크고, 각각의가스분배구멍은하부가스격실로부터하나이상의가스분배슬롯으로의유체연결을형성하는, 기판을처리하기위한플라즈마처리장치용샤워헤드조립체에관한것이다.
摘要翻译：一种用于处理基板的等离子体处理装置的喷头，包括：喷头主体，包括顶板和限定其间的空腔的底板; 形成在顶板中的气体入口; 位于顶板和底板之间的多孔板，并将空腔解剖成上部气室和下部气体隔室; 并且其中所述底板在其下表面上包括多个细长的扩散槽，在其上表面上包括多个扩散孔，每个所述扩散孔使得从所述下部气体隔室到所述扩散槽中的多于一个的流体连接。

78. 发明公开

KR1020160140824A 가스 배리어성 필름 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：气体阻隔膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160140824A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020167030152
申请日：2015-03-27
申请人： 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 스즈키아즈사 , 이와하시히로유키 , 니시조노다케시 , 마쓰이시게키 , 하라구치가즈토시
IPC分类号： C08J7/04 , C09D183/04 , C23C16/40 , C23C14/08 , C23C16/02 , C23C14/02 , C23C16/54 , C23C14/56
CPC分类号： C08J7/045 , B05D3/0254 , B05D3/144 , B05D7/04 , B05D2350/63 , B32B27/00 , B65D65/42 , C08J7/047 , C08J2367/02 , C08J2429/04 , C08J2483/00 , C23C16/02 , C23C16/403 , C23C16/44 , C23C18/1254 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J37/3277 , H01J37/32899 , H01J2237/33 , C09D183/04 , C23C14/022 , C23C14/081 , C23C14/562 , C23C16/0245 , C23C16/545
摘要： 본발명은, 고온열수처리전후에서의가스배리어성의열화가적은가스배리어성필름을제공한다. 기재필름상에, 산화알루미늄증착막을형성하거나, 또는형성하지않고, 또한축합물의규소원자의결합상태가 Q1 및 Q2 구조인것의비율이규소원자전체의 60% 이상으로되는혼합용액을조제한알콕시실란가수분해산물의축합물용액과결정성을가지는수용성고분자를혼합시킨배리어코팅제를도공하여코팅층을형성한, Si-O-Si 결합을기본골격으로하는망목구조를가지는네트워크구조와상기네트워크구조의망목에결정화시킨수용성고분자를미세결정으로서받아들인복합막을형성한가스배리어성도막을가지는가스배리어성필름이다.
摘要翻译：本发明提供一种在高温热水处理前后的阻气性劣化低的阻气膜。阻气膜具有阻气性涂膜，其形成为具有以Si-O-Si键作为基本晶格的网状结构的网状结构的复合膜和以微晶结晶化的水溶性聚合物，所述网状结构体，其中通过混合制备为混合溶液的烷氧基硅烷水解产物的缩合物溶液得到的阻隔涂层剂，其中所述缩合物的硅原子的键合状态与Q1和Q2结构的比例至少为在形成或不形成氧化铝气相沉积膜之后，将总体硅原子与结晶水溶性聚合物涂覆在基材膜上，以形成涂层。

79. 发明公开

KR1020160140362A 플라즈마 생성장치 및 열전자 방출부 审中-实审
标题翻译：等离子体发生装置和热电发生器
公开(公告)号：KR1020160140362A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020160038983
申请日：2016-03-31
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 마사테루사토
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32669 , H01J37/32055 , H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J2237/3365 , H01J37/32614
摘要： 장치수명및 플라즈마생성효율을향상시킨플라즈마생성장치를제공한다. 플라즈마생성장치는, 플라즈마가생성되는플라즈마생성영역을내부에갖는아크챔버(12)와, 플라즈마생성영역에자장(B)을인가하는자장발생기(16)와, 플라즈마생성영역에인가되는자장(B)의인가방향을따른축방향으로연장되어있는캐소드(30)로서, 그선단에열전자를방출하는캐소드캡이마련되는캐소드(30)를구비한다. 캐소드캡은, 아크챔버(12)의내부를향하여축방향으로돌출되고, 아크챔버(12)의내부를향함에따라축방향과직교하는직경방향의폭이작아지는형상을갖는다.
摘要翻译：等离子体发生器包括：电弧室，其具有在其内部产生等离子体的等离子体产生区域; 磁场产生器，被配置为向所述等离子体产生区域施加磁场; 以及阴极，被配置为沿着施加到等离子体产生区域的磁场的施加方向在轴向方向上延伸，并且设置有在其前端发射热电子的阴极帽。阴极帽沿轴向朝向电弧室的内部突出，并且具有垂直于轴向的径向宽度朝向电弧室内部变小的形状。

80. 发明授权

KR101680493B1 성막 장치 有权
标题翻译：电影制作装置
公开(公告)号：KR101680493B1
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020157001975
申请日：2013-04-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 노자와도시히사 , 이와사키마사히데 , 이와오도시히코
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/511 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/455 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45565 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/32229 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32834
摘要： 일실시형태의성막장치는, 배치대, 처리용기, 가스공급부및 플라즈마생성부를구비한다. 배치대는, 그복수의기판배치영역이둘레방향으로이동하도록축선을중심으로회전가능하게설치되어있다. 처리실은, 배치대를수용하고있고, 제1 영역및 제2 영역을포함한다. 배치대의회전에의해축선에대하여둘레방향으로이동하는기판배치영역은, 제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 가스공급부는, 배치대에대면하도록설치된분사부로부터제1 영역에전구체가스를공급한다. 플라즈마생성부는, 제2 영역의위쪽에있어서도파로를구획하는 1 이상의도파관과, 그 1 이상의도파관에접속된마이크로파발생기와, 1 이상의도파관의하측도체부에형성된복수의개구를통과하여제2 영역까지연장된유전체제의복수의돌출부를포함한다. 복수의돌출부는, 상기축선에대하여방사방향으로배열되어있다.
摘要翻译：提供一种成膜装置，其包括放置台; 一个处理容器，其限定容纳所述放置台的处理室，并且包括第一区域和第二区域; 气体供给部，其将前体气体供给到所述第一区域; 以及在第二区域中产生反应性气体的等离子体的等离子体产生部。等离子体产生部分包括：至少一个波导，其限定放置台上方和第二区域上方的波导路径，连接到至少一个波导的微波发生器和由电介质材料制成的多个突起。突起穿过形成在至少一个波导的下导电部分中的多个开口以延伸到第二区域。突起相对于放置台的轴线在径向方向上排列。

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