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71. 发明公开

KR1020160105407A 챔버 세정 및 반도체 식각 기체 审中-实审
标题翻译：气体清洁和半导体蚀刻气体
公开(公告)号：KR1020160105407A
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020167017394
申请日：2014-12-22
申请人： 더 케무어스 컴퍼니 에프씨, 엘엘씨
发明人： 펭,셍 , 로,게리 , 요시마사,오오사끼
IPC分类号： C09K13/00 , C23C16/44 , H01L21/311 , H01L21/3065 , C23G5/00
CPC分类号： H01L21/31116 , C09K13/00 , C09K13/08 , C23C16/4405 , C23G5/00 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： 본발명은, 특히활성화된기체혼합물을사용함으로써화학증착챔버의내부로부터표면침착물을제거하는방법을포함하는식각응용에있어서, CVD 반도체제조용기체로서유용한플루오로올레핀조성물, 및반도체표면의식각방법에관한것이다.

72. 发明公开

KR1020160095470A 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于基于钼的金属层或氧化物层的蚀刻溶液组合物和使用其蚀刻基于钼基的金属层或金属氧化物层的方法
公开(公告)号：KR1020160095470A
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：KR1020150016764
申请日：2015-02-03
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김진성 , 김범수 , 윤영진
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/30 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/30 , H01L21/30604
摘要： 본발명은몰리브덴계금속막또는인듐산화막식각액조성물및 이를이용한액정표시장치용어레이기판의제조방법에관한것으로, 보다자세하게는과산화수소, 함불소화합물, 아졸화합물, 메탄술폰산및 물을포함하는몰리브덴계금속막또는인듐산화막식각액조성물및 이를이용한액정표시장치용어레이기판의제조방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于钼基金属膜或氧化铟膜的蚀刻溶液组合物以及使用其的液晶显示装置用阵列基板的制造方法。更具体地说，本发明涉及由过氧化氢，含氟化合物，唑类化合物，甲磺酸和水构成的钼系金属膜或氧化铟膜的蚀刻液组合物。本发明还涉及使用该阵列基板的液晶显示装置的阵列基板的制造方法。

73. 发明公开

KR1020160085569A 실리콘 산화막 식각액 有权
标题翻译：用于蚀刻氧化硅层的解决方案
公开(公告)号：KR1020160085569A
公开(公告)日：2016-07-18
申请号：KR1020150002734
申请日：2015-01-08
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 이명호 , 정태수 , 문재웅
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/3105 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/30604 , H01L21/31056
摘要： 본발명은, 실리콘산화막을선택적으로식각할수 있는실리콘산화막식각액을제공한다. 본발명에따른실리콘산화막식각액에의하면, 실리콘막부식방지제를함유함에따라, 반도체패턴구조형성시실리콘막에손상을주지않으면서실리콘산화막을식각할수 있으므로각종반도체소자공정에유용하게쓰일수 있다.
摘要翻译：提供了氧化硅膜的蚀刻剂。蚀刻剂可以选择性地蚀刻氧化硅膜。根据本发明，当通过包括硅膜的防腐蚀形成半导体上的图案结构时，蚀刻剂可以蚀刻氧化硅膜而不破坏硅氧烷膜，从而可用于各种半导体器件工艺。更具体地，氧化硅膜的蚀刻剂基于100重量份的蚀刻剂：包含0.01-10重量份的多羟基硅氧烷防腐蚀剂; 0.1-40重量份的含氮卤化物; 0.1-50重量份的至少一种无机酸和有机酸化合物; 其余由水组成。

74. 发明公开

KR1020160084428A 은 나노 재료를 포함하는 투명 전도성 기질의 구조화 방법 审中-实审
标题翻译：用于构造包含银纳米材料的透明导电矩阵的方法
公开(公告)号：KR1020160084428A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020167015062
申请日：2014-10-16
申请人： 메르크 파텐트 게엠베하
发明人： 스톡쿰베르너 , 마투쉑크리스티안
IPC分类号： C23F1/30 , C09K13/08 , C23F1/00 , H01B1/22 , H05K3/06 , H01L51/00 , H05K1/09
CPC分类号： H01B1/22 , C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/00 , C23F1/30 , H01L51/0017 , H01L51/0019 , H01L51/0023 , H05K1/095 , H05K3/067 , H05K2201/0116 , H05K2201/026
摘要： 본발명은, 가요성플라스틱하부구조물또는고체유리시트상에 AgNW(은나노와이어) 및/또는은 나노입자(은나노잉크) 또는 AgNW 및은나노입자의혼합물을포함하는중합체기질(matrix)의선택적인구조화방법에관한것이다. 또한, 상기방법은, 산업적규모로상기방법을이용하게하는적합한에칭조성물을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种选择性地构建包含AgNW（银纳米线）或银纳米颗粒（Ag纳米油墨）或包含AgNWs和银纳米颗粒的混合物在柔性塑料底层结构或固体玻璃板上的聚合物基质的方法。该方法还包括合适的蚀刻组合物，其允许以工业规模处理该方法。

75. 发明公开

KR1020160006217A 에칭액 및 그 키트, 이들을 이용한 에칭 방법, 반도체 기판 제품의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：蚀刻液，套件，使用其的蚀刻方法，生产半导体基板产品的方法和制造半导体元件的方法
公开(公告)号：KR1020160006217A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020157034965
申请日：2014-05-30
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 스기시마야스오 , 미즈타니아츠시 , 박기영
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/02 , C07F9/02 , C08G73/00 , C08G69/00
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/32134
摘要： 질산과, 함불소화합물과, 질소원자를갖는반복단위를복수갖는함질소유기화합물 A 또는인 함유화합물 B를함유하는에칭액.

76. 发明公开

KR1020160005640A 복합금속막용 식각 조성물 및 이를 이용한 금속배선 형성방법 无效
标题翻译：用于复合金属层的蚀刻组合物及其形成金属线的方法
公开(公告)号：KR1020160005640A
公开(公告)日：2016-01-15
申请号：KR1020140191564
申请日：2014-12-29
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박진철 , 이길호 , 박충우
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06 , C23F1/18
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06 , C23F1/18
摘要： 구리막에인듐산화막또는몰리브덴합금막이포함하는복합금속막용식각조성물및 이를이용한금속배선형성방법에관한기술로서, 복합금속막용식각조성물은 5 내지 15 중량%의과산화수소, 0.2 내지 2.0 중량%의무기산염, 0.5 내지 2.5 중량%의알킬설폰산, 0.1 내지 0.5 중량%의불소화합물, 0.5 내지 1.5 중량%의킬레이트제, 0.2 내지 1.0 중량%의부식억제제, 0.1 내지 0.5 중량%의과산화수소안정화제및 여분의물을포함한다. 복합금속막용식각조성물은 0.3 중량% 이하의불산화합물을포함하고있음에도불구하고, 복합금속막에포함된구리막의식각속도의감소없이, 금속산화막의식각속도를증가시킴으로서최종적으로형성되는금속산화막패턴의테일(tail) 길이가최소한으로짧게존재할수 있도록한다.
摘要翻译：本发明涉及包含氧化铟膜和钼合金膜的复合金属膜蚀刻组合物及其金属线形成方法。复合金属膜蚀刻组合物包括：5-15重量％的过氧化氢; 0.2-2.0重量％的无机酸盐; 0.5-2.5重量％的烷基磺酸; 0.1-0.5重量％的氟化合物; 0.5-1.5重量％的螯合剂; 0.2-1.0重量％的腐蚀抑制剂; 0.1-0.5重量％的过氧化氢稳定剂; 和剩余部分的水。复合金属膜蚀刻组合物可以通过增加金属氧化物膜的蚀刻速度来最小化最终金属氧化物膜的尾部的长度，而不会降低复合金属膜中包含的铜膜的蚀刻速度，即使组合物包含0.3 wt％以下的氢氟酸组合物。

77. 发明公开

KR1020150126637A 티타늄 나이트라이드를 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于选择性蚀刻硝酸钛的组合物和方法
公开(公告)号：KR1020150126637A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：KR1020157026906
申请日：2014-03-04
申请人： 엔테그리스, 아이엔씨. , 에이티엠아이 타이완 컴퍼니 리미티드
发明人： 첸리-민 , 쿠퍼엠마누엘아이 , 리피스티븐 , 송링얀 , 수시아-정 , 투쉥-헝 , 왕치에주
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/04 , C09K13/08
CPC分类号： C09K13/00 , C09K13/08 , C09K13/10 , C23F1/14 , C23F1/26 , C23G1/02 , G03F7/423 , H01L21/32134
摘要： 본발명은, 상부에티타늄나이트라이드및/또는포토레지스트에칭잔사물질을갖는마이크로전자장치의표면으로부터, 전도성금속(예컨대, 텅스텐및 구리) 및절연물질에비해티타늄나이트라이드및/또는포토레지스트에칭잔사물질을선택적으로제거하는데유용한반-수성(smi-aqueous) 조성물에관한것이다. 상기반-수성조성물은하나이상의산화제, 하나이상의에칭제및 하나이상의유기용매를포함하고, 선택도를보장하기위해다양한부식억제제를포함할수 있다.

78. 发明公开

KR1020150125005A 고순도 2-플루오로부탄 审中-实审
标题翻译：高纯度2-FLUOROBUTANE
公开(公告)号：KR1020150125005A
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020157027491
申请日：2014-03-06
申请人： 제온 코포레이션
发明人： 스기모토다츠야
IPC分类号： C07C19/08 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C17/389 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , C07C19/08 , C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/3065 , H01L21/32136 , H01L21/32137
摘要： 본발명은, 순도가 99.9 용량% 이상이고, 부텐류의함유량이 1000 용량ppm 이하인것을특징으로하는고순도 2-플루오로부탄, 및이 고순도 2-플루오로부탄을드라이에칭가스로서사용하는방법이다. 본발명에의하면, 반도체용플라즈마반응용가스로서바람직한고순도의 2-플루오로부탄이제공된다.

79. 发明公开

KR1020150107773A 실리콘 에칭액 및 에칭방법 그리고 미소전기기계소자 审中-实审
标题翻译：硅蚀刻液，硅蚀刻方法和微电子元件
公开(公告)号：KR1020150107773A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020157020907
申请日：2014-01-10
申请人： 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
发明人： 후지오토,요시코
IPC分类号： C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/30608 , B81C1/00539 , C09K13/02 , C09K13/08
摘要： 본 발명에 의하면, 단결정 실리콘을 이방성에 용해하는 실리콘 에칭액으로서, (1)수산화칼륨 또는 수산화나트륨, (2)하이드록실아민, 및 (3)티오요소기를 갖고 N,N'를 연결한 하기 일반식(I)로 표시되는 환상 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 실리콘 에칭액 및 이 실리콘 에칭액을 이용한 실리콘 에칭방법을 제공할 수 있다.

(일반식(I) 중, Q는, 포화 또는 불포화의 탄소-탄소 결합을 갖는 유기기를 나타낸다.)
상기 실리콘 에칭액을 이용하면, 에칭액에 구리의 존재 및/또는 구리 이온이 용해되어 있어도, 실리콘의 에칭속도를 저하시키지 않고 높은 에칭속도를 발현하고, 또한, 에칭액의 안정성이 손상되지 않는다.

80. 发明公开

KR1020150077207A 유리 석출물 발생을 억제하는 습식 식각액 审中-实审
标题翻译：防腐蚀材料防止玻璃污渍
公开(公告)号：KR1020150077207A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130166163
申请日：2013-12-27
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 이그잭스
发明人： 박동용 , 유무진
IPC分类号： C09K13/08 , C03C25/68
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06
摘要： 본발명은유리기판위에형성된산화실리콘막을식각함에있어, 유리석출물발생을억제하는습식식각액에관한것이다. 본발명에의한유리석출물발생을억제하는습식식각용조성물은, 불화수소(HF), 2 내지 5wt%; 불화암모늄(NHF), 10 내지 30wt%; 유기산첨가제, 0.5 내지 10wt%; 그리고탈이온수(물)를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及在蚀刻形成在玻璃基板上的氧化硅膜时，防止产生玻璃污泥的湿蚀刻剂。根据本发明的用于湿法蚀刻控制玻璃污泥的组合物包含2-5重量％的氟化氢（HF），10-30重量％的氟化铵（NH 4 F），0.5-10重量％的有机酸添加剂和去离子水（水）。

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