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61. 发明授权

KR100728889B1 가요성 필름 에칭장치 有权
标题翻译： 가요성필름에칭장치
公开(公告)号：KR100728889B1
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：KR1020060051003
申请日：2006-06-07
申请人： (주) 에스엠씨
发明人： 이수재
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3063
摘要： An apparatus for etching a flexible film is provided to prevent the surface of the flexible film being scratched by using an anti-drooping unit for supporting the flexible film in a non-contact manner. An apparatus for etching film includes a housing, an etching fluid injection unit(120), an etching fluid suction unit(130), and an anti-drooping unit(140). The housing includes a fluid bath which reserves an etching fluid for etching the flexible film. The etching fluid injection unit is positioned over the flexible film and injects the etching fluid towards an upper portion of the flexible film. The upper etching fluid suction units are positioned before and behind the upper etching fluid injection unit with respect to the moving direction of the flexible film to suction etching fluid residues which remain on the upper portion of the flexible film. The anti-drooping unit is positioned under the flexible film to support the flexible film in a non-contact manner to prevent the flexible film from being drooped.
摘要翻译：提供一种用于蚀刻柔性膜的装置，以通过使用用于以非接触方式支撑柔性膜的防下垂单元来防止柔性膜的表面被划伤。用于蚀刻膜的设备包括壳体，蚀刻流体注入单元（120），蚀刻流体抽吸单元（130）和防下垂单元（140）。壳体包括流体槽，其保留用于蚀刻柔性膜的蚀刻流体。蚀刻流体注入单元位于柔性膜上方并朝向柔性膜的上部注入蚀刻流体。上部蚀刻流体抽吸单元相对于柔性膜的移动方向位于上部蚀刻流体注入单元的前部和后部，以吸取残留在柔性膜的上部上的蚀刻流体残留物。防下垂单元位于柔性膜下方以非接触方式支撑柔性膜以防止柔性膜下垂。

62. 发明公开

KR1020070056870A 반도체 소자의 감광막 제거방법 无效
标题翻译：在半导体器件中去除光电子元件的方法
公开(公告)号：KR1020070056870A
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050116020
申请日：2005-11-30
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 홍은석 , 류상욱
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/3063
CPC分类号： G03F7/422 , H01L27/14689
摘要： A method for removing a photoresist layer in a semiconductor device is provided to prevent the failure of an image device due to the radiation of ultraviolet rays in a conventional strip process under O2 plasma condition by using a wet strip process. A photoresist pattern(104) is formed on a semiconductor substrate(100) with a predetermined layer. Semiconductor device manufacturing processes are performed on the resultant structure using the photoresist pattern. Then, the photoresist pattern is removed from the resultant structure by a wet strip process. The wet strip process is performed by using a mixed organic solvent of carbitol and TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroixde).
摘要翻译：提供了一种用于去除半导体器件中的光致抗蚀剂层的方法，以通过使用湿法处理在O 2等离子体条件下防止由于紫外线的辐射而导致的图像器件的故障。在具有预定层的半导体衬底（100）上形成光致抗蚀剂图案（104）。使用光致抗蚀剂图案对所得到的结构进行半导体器件制造工艺。然后，通过湿法处理从所得结构中除去光致抗蚀剂图案。通过使用卡必醇和TMAH（四甲基铵水合物）的混合有机溶剂进行湿法处理。

63. 发明公开

KR1020070042461A 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치 및 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법 失效
标题翻译：用于通过单波方法蚀刻波形的装置和用于蚀刻波形的单波方法
公开(公告)号：KR1020070042461A
公开(公告)日：2007-04-23
申请号：KR1020060100389
申请日：2006-10-16
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 고야타사카에 , 하시이도모히로 , 무라야마가츠히코 , 다카이시가즈시게 , 가토다케오
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67075 , Y10S134/902
摘要： 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치로서, 웨이퍼를 수평으로 유지하여 회전시키는 웨이퍼 척과, 상기 웨이퍼 상면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급 기구와, 상기 웨이퍼 척에 설치되어, 웨이퍼의 엣지부를 따라 흘러내리는 에칭액을 가스 분사에 의해 상기 웨이퍼의 반경 방향 외측으로 날리는 가스 분사 기구와, 상기 웨이퍼 척에 설치되어 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 1 액 흡인 기구와, 상기 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼의 외주면보다 바깥쪽에 설치되고, 상기 가스 분사 기구에 의해 날려진 에칭액 및, 상기 웨이퍼의 회전에 수반되는 원심력에 의해 비산된 에칭액을 상기 가스와 함께 흡인하는 제 2 액 흡인 기구를 가지는 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치.
NG 인식 마커, 에칭액, 웨이퍼, 분사구

64. 发明授权

KR100708024B1 수직형 트렌치들을 확장시키기 위한 방법 및 확장된 수직형 깊은 트렌치들을 형성하기 위한 방법 失效
标题翻译：用于扩展垂直倾斜的方法和形成膨胀的垂直深度的方法
公开(公告)号：KR100708024B1
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：KR1020017015414
申请日：2000-05-30
申请人： 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션
发明人： 쿠델카,스테판 , 미하엘리스,알렉산더 , 토벤,디르크
IPC分类号： H01L21/3063
摘要： 본 발명은 기판(200)에 트렌치(202)를 형성하는 단계, 수소로 종결된 실리콘 표면을 제공하기 위해 습식 에천트로 상기 표면을 에칭함으로써 상기 트렌치 내에 표면을 준비하는 단계 및 트렌치(202)를 확장하기 위해 상기 실리콘 표면을 이방성 습식 에칭하는 단계를 포함하는 트렌치(202)를 확장하는 방법에 관한 것이다.

65. 发明授权

KR100706683B1 실리콘 웨이퍼의 가공 방법 有权
标题翻译：硅波加工方法
公开(公告)号：KR100706683B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020057024070
申请日：2004-10-28
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 고야타사카에 , 다카이시가즈시게
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/02019 , H01L21/30604
摘要： 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 가공 방법은, 복수의 에칭조에 산 에칭액과 알칼리 에칭액을 각각 저장하여, 랩핑 공정(11)에 이어서 세정 공정(12)을 거친 가공 변질층을 갖는 웨이퍼를 산 에칭액과 알칼리 에칭액에 순차적으로 침지하는 에칭 공정(13)과, 에칭된 웨이퍼의 편면(片面)을 경면 연마하는 표면 경면 연마 공정(18)과, 표면 경면 연마된 웨이퍼를 세정하는 세정 공정(19)을 포함하고, 에칭 공정이 산 에칭 후에 알칼리 에칭이 행해지는 공정으로서, 산 에칭액이 불산 및 질산을 주성분으로 하는 산 수용액 100중량%내에 인산 30중량% 이상을 함유하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 가공 방법은, 랩핑 후의 평탄도를 유지하는 동시에, 표면 거칠기를 저감할 수 있다. 또, 표면을 경면 연마한 웨이퍼에서, 양호한 평탄도를 얻고, 또한 이면 거칠기가 작아진다.

66. 发明授权

KR100699011B1 순환식 에칭 노즐 失效
标题翻译：电路喷嘴
公开(公告)号：KR100699011B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050126217
申请日：2005-12-20
申请人： (주)티제이이앤지
发明人： 하종호
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/6708 , G02F1/1303
摘要： A circuit etching nozzle is provided to adjust the amount of etching solution by using an injection section and a collection section in the injecting process of an etching solution onto a glass. An injection section(10) has a shape of plate. A lower end of an outer surface of the injection section is bent to the inside. A groove is formed in the inside of the injection section. A plurality of holes are formed at each of ends of the injection section in order to be coupled with bolts. A tube connecting part of the injection section is used for supplying an etching solution to the groove. The injection section is coupled with an inside of a separation plate(30). A collection section(20) has the same shape as the injection section. A tube connecting part is formed at the center of the outside of the collection section. The separation plate includes a supporting plate for preventing the mixture of the collected etching solution. The separation plate includes a plurality of holes to be coupled with the bolts.
摘要翻译：提供了一种电路蚀刻喷嘴，用于通过在蚀刻溶液注入到玻璃上的过程中使用注射部分和收集部分来调节蚀刻溶液的量。注射部（10）具有板状。注射部分的外表面的下端向内弯曲。在注射部分的内部形成凹槽。在喷射部的每个端部形成有多个孔，以便与螺栓联接。喷射部分的管连接部分用于向槽提供蚀刻溶液。注射部分与分离板（30）的内部联接。收集部（20）具有与注入部相同的形状。管连接部形成在收集部的外侧的中央。分离板包括用于防止所收集的蚀刻溶液的混合的支撑板。分离板包括与螺栓连接的多个孔。

67. 发明授权

KR100698798B1 전기 화학적 에칭 셀 有权
标题翻译：电化学蚀刻池
公开(公告)号：KR100698798B1
公开(公告)日：2007-03-26
申请号：KR1020017012317
申请日：2000-03-17
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
发明人： 아르트만한스 , 프레이빌헬름 , 라에르메르프란쯔
IPC分类号： H01L21/3063
摘要： 본 발명은 적어도 표면이 에칭 재료를 이루어진 에칭 바디(15)를 에칭하기 위한 전기 화학적 에칭 셀(1)에 관한 것이다. 에칭 셀(1)은 전해질로 채워진 적어도 하나의 챔버를 포함하며, 제 1 전극(13) 및 제 2 전극(13')을 구비한다. 상기 제 1 전극은 적어도 표면이 제 1 전극 재료로 이루어지고, 상기 제 2 전극은 적어도 표면이 제 2 전극 재료로 이루어진다. 에칭 바디(15)는 적어도 부분적으로 전해질과 접촉된다. 제 1 전극 재료 및 제 2 전극 재료는 에칭 후에 바디(15)가 전극 재료에 의해 오염되지 않고 및/또는 그 특성이 저하되지 않도록 선택된다. 특히 전극 재료는 에칭 재료와 동일한 재료이다. 본 발명은 또한 상기 에칭 셀(1)을 이용해서 에칭 바디(15)를 에칭하기 위한 방법에 관한 것이며, 여기서는 제 1 및/또는 제 2 전극(13, 13')이 희생 전극으로 사용된다. 본 발명에 따른 에칭 셀은 CMOS-호환성 제조 라인에서 실리콘 웨이퍼의 에칭에 특히 적합하다.
전기 화학적 에칭 장치, 실리콘 웨이퍼, 에칭 셀, 전극 재료, 챔버

68. 发明公开

KR1020070023169A 미세 구조물의 희생막 제거방법 失效
标题翻译：微系统牺牲层去除方法
公开(公告)号：KR1020070023169A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020050077466
申请日：2005-08-23
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 홍은석 , 류상욱
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/422
摘要： 본 발명은 미세 구조물의 희생막 제거방법에 관한 것으로서, 제조원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 미세 구조물의 희생막 제거방법은, 기판 상에 상기 기판의 일부분을 노출시키는 홀이 형성된 감광막을 형성하는 단계; 상기 홀을 매립하도록 상기 감광막 상에 미세 구조물 형성용 물질을 형성하는 단계; 및 카비톨(carbitol)을 유기 용제로 하는 케미칼을 이용하여 상기 감광막을 습식 제거하는 단계를 포함한다.
MEMS(micro electro mechanical system), 감광막, 유기 용제

69. 发明授权

KR100682753B1 식각장치용 대용량 급속 드레인 밸브 有权
标题翻译：用于蚀刻设备的快速倾卸排水阀
公开(公告)号：KR100682753B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050067807
申请日：2005-07-26
申请人： (주)에스티아이
发明人： 연창흠 , 곽선표 , 박경식
IPC分类号： H01L21/3063
摘要： 본 발명의 식각장치용 대용량 급속 드레인 밸브('QDD 밸브')는 각각 플랜지에 의하여 결합되도록 헤드부(2)와 하단부(3)가 상하에 일체로 형성된 하우징(1), 상기 하우징 내부에 위치하여 그 주위가 원통형 주름관(41)에 의하여 밀봉되고 샤프트(5)의 왕복운동에 의하여 개폐동작을 반복하는 주름관 마개(4), 주입되는 공기에 의하여 샤프트가 왕복운동하기 위한 실린더(8), 및 샤프트가 왕복운동하여 주름관 마개를 개폐하기 위한 열림 공기주입구(6)와 닫침 공기주입구(7)로 이루어진다.
식각장치, 식각 배스, 세정 배스, 드레인 밸브, 주름관, 주름관 마개

70. 发明授权

KR100666806B1 액 처리 장치 失效
标题翻译：液体处理装置
公开(公告)号：KR100666806B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020060003458
申请日：2006-01-12
申请人： 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 , 멕크 가부시키가이샤
发明人： 나라바야시,테츠유키 , 쿠니모토,신지 , 카사이,마코토 , 토다,켄지
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/6708 , H05K1/0393 , H05K3/0085 , H05K3/068 , H05K2203/075 , H05K2203/1147 , H05K2203/1545
摘要： 액 토출 노즐로부터 분출된 처리액이 미스트상으로 되어 처리 챔버 내부에 부유하고 있는 상태에서도 액 토출 노즐로부터 토출된 처리액이 피표면처리물의 상면에 토출되는 액 처리 개시 위치(A)보다 상류측에 위치한 피표면처리물의 부분에 이 미스트상의 처리액이 닿게 되는 일이 없어 처리액에 의한 처리를 확실하게 행할 수 있어 제품 불량이 발생하지 않는 액 처리 장치를 제공한다.
전자부품 실장용 필름 캐리어 테이프(T)의 상면에 상방으로부터 처리액(E)을 토출하는 에칭액 토출 노즐(22)과, 에칭액 토출 노즐(22)에 의해 필름 캐리어 테이프(T)의 상면에 토출된 처리액(E)이 에칭을 개시하는 액 처리 개시 위치(A)의 상류측에 배치되어 액 처리 개시 위치(A) 전에 토출액이 필름(T)에 접촉되는 것을 방지하는 처리액 접촉 방지 구획실(32)을 마련하고, 또한 이 구획실(32) 내부에 제 1 침입 방지 부재(11)의 액 봉지 립(lip) 부재(11a)와 제 2 침입 방지 부재(13)의 상측 립 구성 부재(13a)와 하측 립 구성 부재(13b)를 배치한다.

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