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61. 发明授权

KR100566463B1 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR100566463B1
公开(公告)日：2006-03-31
申请号：KR1020047009216
申请日：1995-11-07
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 미와히토시 , 고타니히로아키
IPC分类号： G11C16/06 , G11C11/34
CPC分类号： G11C16/32 , G11C7/1006 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3431 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643 , G11C2211/5647 , G11C2211/565
摘要： 여러개의 기억정보를 전기적으로 일괄소거가능한 불휘발성 기억장치에 이용해서 유효한 기술에 관한 것으로서, LSI의 전원전압의 저전압화에 따라 메모리셀의 임계값전압은 편차분포형상의 경시적인 확산에 의해 리드전압에 대한 전압여유범위를 초과해 버리고 오동작이 발생할 수 있다는 문제점을 해결하기 위해, 메모리셀의 임계값을 2단계 이상으로 설정함과 동시에 워드선의 레벨을 2단계 이상으로 변화시켜서 메모리셀의 리드를 실행하는 것에 의해 1개의 메모리셀에 2비트 이상의 데이타를 기억시키도록 구성된 불휘발성 기억장치로서, 입력된 라이트데이타를 유지하는 2진데이타 레지스터, 입력된 데이타의 여러개의 비트에 대해서 소정의 연산을 실행하여 그들 조합에 따른 다진데이타로 변환하는 데이타변환 논리회로 및 메모리셀에서 리드된 다진데이타를 원래의 2진데이타로 변환하는 역변환 논리회로를 구비하는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해, 회로 규모의 증대를 최소로 억제하고 또한 단시간에서 고정밀도의 라이트, 리드 및 소거동작이 가능한 다진기억형 불휘발성 기억장치를 실현할 수 있음과 동시에 기억소자의 임계값 편차분포형상을 급준화시켜 저전압에서의 안정된 동작이 가능한 불휘발성 기억장치를 실현할 수 있다.
다진데이타, 다진기억형, 리프레시

62. 发明授权

KR100546322B1 비휘발성 메모리와 휘발성 메모리로 선택적으로 동작할 수있는 상 변화 메모리 장치 및 상 변화 메모리 장치의 동작방법 失效
标题翻译：能够在非易失性存储器和易失性存储器中操作的相变存储器件及其方法
公开(公告)号：KR100546322B1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020030019257
申请日：2003-03-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황영남 , 김기남 , 안수진
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C16/3431 , G11C2013/0042 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
摘要： 비휘발성 메모리와 휘발성 메모리로 선택적으로 동작할 수 있는 상 변화 메모리 장치 및 상 변화 메모리 장치의 동작 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 상 변화 메모리의 동작 방법은 (a) 메모리 셀에 저장된 데이터를 독출하는 단계 및 (b) 독출된 상기 데이터를 외부로 전송하고, 독출된 상기 데이터를 상기 데이터가 본래 저장되었던 메모리 셀에 다시 기입하는 단계를 구비한다. 상기 (b) 단계는 상기 데이터 독출 및 전송 동작이 N 번 수행될 때마다 한번씩 상기 데이터를 메모리 셀에 다시 기입하는 것을 특징으로 한다. 상기 (b) 단계는 상기 데이터 독출 및 전송 동작이 수행될 때마다 항상 상기 데이터를 메모리 셀에 다시 기입하는 것을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 상 변화 메모리의 동작 방법 및 상 변화 메모리 장치는 비휘발성 메모리인 상 변화 메모리를 휘발성 메모리와 같이 동작되도록 함으로써 전력 소비를 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한 응용 분야에 따라 상 변화 메모리를 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리로 선택하여 사용할 수 있는 장점이 있다.

63. 发明公开

KR1020050062384A 불휘발성 반도체 기억 장치 无效
公开(公告)号：KR1020050062384A
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020040103361
申请日：2004-12-09
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 이시마루,데쯔야 , 야마조에다까노리
IPC分类号： G11C16/22 , G11C7/24 , G11C7/02 , G11C16/10
CPC分类号： G11C16/0425 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C16/349
摘要： 본 발명은 불휘발성 반도체 기억 장치에 있어서, 기입 및 소거 시의 디스터브에 의해서 발생하는 비 선택 셀의 데이터 손실을 방지한다.
불휘발성 반도체 기억 장치에 있어서, 불휘발성 메모리의 재기입 단위보다도 큰 데이터 기억 블록 내에서 실행한 재기입 횟수를, 데이터 기억 블록마다 형성한 Erase/Write 카운터 EW CT(10)에 기억하고, Erase/Write 카운터(1O)의 값이 미리 지정한 횟수 이상이 되면, 그 Erase/Write 카운터에 대응하는 데이터 기억 블록에 대해서 리프레시 동작을 실행한다. 리프레시 동작은, 데이터 기억 블록 내의 데이터를 데이터-시간 보관 영역(8)에 일시 보관하고, 데이터 기억 영역 일시 보관 영역의 데이터를 소거하여, 다시 일시 보관한 데이터를 데이터 기억 블록에 기입함으로써 행한다.

64. 发明授权

KR100477494B1 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR100477494B1
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：KR1020047009246
申请日：1995-11-07
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 미와히토시 , 고타니히로아키
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/04 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/32 , G11C7/1006 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3431 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643 , G11C2211/5647 , G11C2211/565
摘要： 여러개의 기억정보를 전기적으로 일괄소거가능한 불휘발성 기억장치에 이용해서 유효한 기술에 관한 것으로서, LSI의 전원전압의 저전압화에 따라 메모리셀의 임계값전압은 편차분포형상의 경시적인 확산에 의해 리드전압에 대한 전압여유범위를 초과해 버리고 오동작이 발생할 수 있다는 문제점을 해결하기 위해, 메모리셀의 임계값을 2단계 이상으로 설정함과 동시에 워드선의 레벨을 2단계 이상으로 변화시켜서 메모리셀의 리드를 실행하는 것에 의해 1개의 메모리셀에 2비트 이상의 데이타를 기억시키도록 구성된 불휘발성 기억장치로서, 입력된 라이트데이타를 유지하는 2진데이타 레지스터, 입력된 데이타의 여러개의 비트에 대해서 소정의 연산을 실행하여 그들 조합에 따른 다진데이타로 변환하는 데이타변환 논리회로 및 메모리셀에서 리드� � 다진데이타를 원래의 2진데이타로 변환하는 역변환 논리회로를 구비하는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해, 회로 규모의 증대를 최소로 억제하고 또한 단시간에서 고정밀도의 라이트, 리드 및 소거동작이 가능한 다진기억형 불휘발성 기억장치를 실현할 수 있음과 동시에 기억소자의 임계값 편차분포형상을 급준화시켜 저전압에서의 안정된 동작이 가능한 불휘발성 기억장치를 실현할 수 있다.

65. 发明公开

KR1020040106332A 다이내믹 페이지 프로그래밍을 위한 리프레시 방법 有权
标题翻译：动态页面编程的刷新方法
公开(公告)号：KR1020040106332A
公开(公告)日：2004-12-17
申请号：KR1020047015997
申请日：2003-02-14
申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
发明人： 리빈큐. , 청마이클 , 첸포-링
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/10 , G11C16/28
CPC分类号： G11C16/3431 , G11C16/0475 , G11C16/3418
摘要： 본 발명의 플래시 메모리 어레이는 워드라인(12, 202, 208)에 부착된 섹션으로 분할되는 다수의 이중 비트 플래시 메모리 셀들(10, 210, 212, 214, 216, 220, 222) 및 각 섹션에 논리적으로 결합된 기준 셀들의 쌍(218)을 갖는다. 변경될 필요가 있는 워드들의 섹션 또는 섹션들을 재프로그램하는 방법은 플래시 메모리 어레이에 대한 변경들을 입력하는 단계와, 각 섹션에서 변경될 워드 또는 워드들을 판독하는 단계와, 각 섹션에서 변경되는 워드 또는 워드들의 비트들을 프로그램하는 단계와, 변경되는 워드 또는 워드들의 이전에 프로그램된 비트들을 리프레시하는 단계와, 각 섹션의 나머지 워드 또는 워드들의 이전에 프로그램된 비트들을 리프레시하는 단계와, 그리고 변경들이 이루어지는 섹션의 기준 셀들의 쌍(218)의 이전에 프로그램된 비트들을 리프레시하는 단계를 포함한다.

66. 发明公开

KR1020040096505A 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR1020040096505A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：KR1020047009249
申请日：1995-11-07
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 미와히토시 , 고타니히로아키
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/04 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/32 , G11C7/1006 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3431 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643 , G11C2211/5647 , G11C2211/565
摘要： 여러개의 기억정보를 전기적으로 일괄소거가능한 불휘발성 기억장치에 이용해서 유효한 기술에 관한 것으로서, LSI의 전원전압의 저전압화에 따라 메모리셀의 임계값전압은 편차분포형상의 경시적인 확산에 의해 리드전압에 대한 전압여유범위를 초과해 버리고 오동작이 발생할 수 있다는 문제점을 해결하기 위해, 메모리셀의 임계값을 2단계 이상으로 설정함과 동시에 워드선의 레벨을 2단계 이상으로 변화시켜서 메모리셀의 리드를 실행하는 것에 의해 1개의 메모리셀에 2비트 이상의 데이타를 기억시키도록 구성된 불휘발성 기억장치로서, 입력된 라이트데이타를 유지하는 2진데이타 레지스터, 입력된 데이타의 여러개의 비트에 대해서 소정의 연산을 실행하여 그들 조합에 따른 다진데이타로 변환하는 데이타변환 논리회로 및 메모리셀에서 리드� � 다진데이타를 원래의 2진데이타로 변환하는 역변환 논리회로를 구비하는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해, 회로 규모의 증대를 최소로 억제하고 또한 단시간에서 고정밀도의 라이트, 리드 및 소거동작이 가능한 다진기억형 불휘발성 기억장치를 실현할 수 있음과 동시에 기억소자의 임계값 편차분포형상을 급준화시켜 저전압에서의 안정된 동작이 가능한 불휘발성 기억장치를 실현할 수 있다.

67. 发明公开

KR1020040096503A 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR1020040096503A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：KR1020047009214
申请日：1995-11-07
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 미와히토시 , 고타니히로아키
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/04 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/32 , G11C7/1006 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3431 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643 , G11C2211/5647 , G11C2211/565
摘要： 여러개의 기억정보를 전기적으로 일괄소거가능한 불휘발성 기억장치에 이용해서 유효한 기술에 관한 것으로서, LSI의 전원전압의 저전압화에 따라 메모리셀의 임계값전압은 편차분포형상의 경시적인 확산에 의해 리드전압에 대한 전압여유범위를 초과해 버리고 오동작이 발생할 수 있다는 문제점을 해결하기 위해, 메모리셀의 임계값을 2단계 이상으로 설정함과 동시에 워드선의 레벨을 2단계 이상으로 변화시켜서 메모리셀의 리드를 실행하는 것에 의해 1개의 메모리셀에 2비트 이상의 데이타를 기억시키도록 구성된 불휘발성 기억장치로서, 입력된 라이트데이타를 유지하는 2진데이타 레지스터, 입력된 데이타의 여러개의 비트에 대해서 소정의 연산을 실행하여 그들 조합에 따른 다진데이타로 변환하는 데이타변환 논리회로 및 메모리셀에서 리드� � 다진데이타를 원래의 2진데이타로 변환하는 역변환 논리회로를 구비하는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해, 회로 규모의 증대를 최소로 억제하고 또한 단시간에서 고정밀도의 라이트, 리드 및 소거동작이 가능한 다진기억형 불휘발성 기억장치를 실현할 수 있음과 동시에 기억소자의 임계값 편차분포형상을 급준화시켜 저전압에서의 안정된 동작이 가능한 불휘발성 기억장치를 실현할 수 있다.

68. 发明公开

KR1020030009288A 누설 셀의 검출 및 복구를 외부에서 트리거하는 플래시메모리 失效
标题翻译： 누설셀의검출및복구를외부서트리거하는플래시메모리
公开(公告)号：KR1020030009288A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：KR1020027002382
申请日：2000-08-23
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 체밸리어,크리스토프,제이.
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/3431 , G11C16/3418
摘要： 플래시 메모리 장치에 있어서 외부적으로 트리거된 누설의 검출 및 복구. 본 발명의 일시시예에 따른 방법은, 다수의 플래시 셀내에 데이터를 저장하기 위해 플래시 메모리 장치를 동작시키는 단계, 및 플래시 메모리 장치의 외부에의 소스로부터 하나 이상의 선택된 신호를 플래시 메모리 장치에 인가시킴으로써, 플래시 메모리 장치내의 누설 플래시 셀을 검출 또는 복구하는 동작을 개시하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 실시예에 따르는 시스템은, 인터페이스 신호, 어드레스 신호, 및 데이터 신호를 교환하도록 결합된 다수의 플래시 셀 및 다수의 핀을 구비하는 플래시 메모리 장치를 포함한다. 시스템은, 플래시 메모리 장치의 핀에 결합되어 인터페이스 신호, 어드레스 신호, 및 데이터 신호를 플래시 메모리 장치와 교환하는 제어기를 포함한다. 제어기는, 플래시 셀내에 데이터를 저장하기 위한 명령, 및 플래시 메모리 장치의 핀에 하나 이상의 선택된 신호를 인가함으로써, 플래시 메모리 장치내의 누설 플래시 셀을 검출 또는 복구하는 동작을 개시하기 위한 명령을 포함한다.
摘要翻译：闪存设备中的外部触发泄漏检测和修复。根据本发明的一个实施例，一种方法包括操作闪存设备以将数据存储在多个闪存单元中并启动操作以通过将一个或多个选择的信号耦合到闪存单元来检测或修复闪存设备中的泄漏闪存单元闪存装置从闪存装置外部的源。根据本发明的另一实施例，一种系统包括具有多个闪存单元和多个引脚以耦合以交换接口信号，地址信号和数据信号的闪存设备。该系统还包括耦合到闪存设备的引脚的控制器，以与闪存设备交换接口信号，地址信号和数据信号。控制器包括用于将数据存储在闪存单元中并且启动操作以通过将一个或多个选择的信号耦合到闪存器件的引脚来检测或修复闪存器件中的泄漏闪存单元的指令。

69. 发明授权

KR100348774B1 플래시형코어를갖는소거/기록가능롬어레이 失效
公开(公告)号：KR100348774B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1019960705804
申请日：1996-02-22
申请人： 아트멜 코포레이숀
发明人： 에밀람브라체 , 조지스마란도이우
IPC分类号： G11C14/00
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1008 , G06F12/0893 , G06F2212/2022 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/3431
摘要： A sector programmable EEPROM memory capable of emulating the byte programmable functionality of full-featured byte programmable EEPROMs. The EEPROM memory incorporates an on-chip write cache (83) used as a buffer between byte level data entered by the user system and word level data written to the main memory core. The EEPROM main memory core is divided into memory pages (32) with each memory page further divided into sub-page sectors (59-62), and each sub-page sector holding a multitude of multi-byte data words. The sub-page sectors within a memory page can be individually or collectively subjected to a program and erase cycle. The EEPROM memory incorporates an ECC unit (73) used to recover and refresh lost data in the memory core. The EEPROM memory is also capable of interruptible load cycles.
摘要翻译：一个扇区可编程EEPROM存储器，能够模拟全功能字节可编程EEPROM的字节可编程功能。 EEPROM存储器包含用作用户系统输入的字节级数据与写入主存储器核心的字级数据之间的缓冲器的片上写高速缓冲存储器（83）。 EEPROM主存储器核心被分成存储器页面（32），每个存储器页面被进一步分成子页面扇区（59-62），并且每个子页面扇区保存多个多字节数据字。存储器页面内的子页面扇区可以单独或共同经受编程和擦除循环。 EEPROM存储器包含用于恢复和刷新存储器内核中的丢失数据的ECC单元（73）。 EEPROM存储器也具有可中断的负载循环。＆lt;图像＆GT;

70. 发明授权

KR100335537B1 전환 가능한 멀티 비트 반도체 기억 장치 失效
标题翻译：可切换多位半导体存储器件
公开(公告)号：KR100335537B1
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：KR1019990009304
申请日：1999-03-19
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 이토다카시
IPC分类号： G11C11/407
CPC分类号： G11C16/3418 , G11C7/06 , G11C7/1072 , G11C7/14 , G11C7/18 , G11C11/4091 , G11C11/4099 , G11C11/565 , G11C16/24 , G11C16/3431 , G11C2211/5634 , G11C2211/5641 , G11C2216/26
摘要： 전환가능한멀티비트 DRAM에있어서, 메인비트선쌍(BLM, /BLM), 메인센스앰프(26)에부가하여, 서브비트선쌍(BLS, /BLS), 서브센스앰프(27)를마련하고, 메인비트선쌍(BLM, /BLM)과서브비트선쌍(BLS, /BLS)의사이에트랜지스터(28, 29)를접속하며, 메인비트선(BLM)과상보서브비트선(/BLS) 사이에트랜지스터(30), 기준캐패시터(31), 트랜지스터(32)를접속한다. 이들을제어함으로써, 메모리셀(20)을 4치메모리로서사용하기도하고, 2치메모리로서사용하기도한다. 이에따라, 기억용량및 소비전력을전환할수 있다.

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