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61. 发明授权

KR100582621B1 스위치 회로 장치 失效
标题翻译：切换电路设备
公开(公告)号：KR100582621B1
公开(公告)日：2006-05-23
申请号：KR1020020010093
申请日：2002-02-26
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 히라이도시까즈 , 아사노데쯔로
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L23/4824 , H01L2924/0002 , H03K17/693 , H03K2217/0036 , H01L2924/00
摘要： 화합물 반도체 스위치 회로 장치에서는 스위치 동작시키기 위해서 각 FET마다 제어 단자를 설치하고 있었다. 이 때문에 프린트 기판의 실장 면적이 커지는 문제점이 있었다. 제1 및 제2 FET와, 상기 양 FET의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속된 공통 입력 단자와, 상기 양 FET의 드레인 전극 또는 소스 전극에 접속된 제1 및 제2 출력 단자와, 상기 제1 FET의 상기 제1 출력 단자에 소정의 바이어스를 제공하는 바이어스 수단과, 제어 단자와 상기 제2 출력 단자를 접속하는 접속 수단과, 상기 제2 FET의 게이트 전극을 접지하는 접지 수단과, 상기 공통 입력 단자와 상기 제2 FET의 소스 전극 또는 드레인 전극 사이를 직류적으로 분리하는 분리 수단을 포함하고, 상기 제1 FET의 게이트 전극에 접속된 제어 단자에 제어 신호를 인가하는 것에 특징을 갖는다.
스위치 회로, 쇼트키, 오믹, 바이어스 수단, 분리 수단

62. 发明公开

KR1020060048209A 화합물 반도체 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：化合物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060048209A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050048183
申请日：2005-06-07
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 아사노데쯔로
IPC分类号： H01L29/80
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/0605 , H01L29/423 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48666 , H01L2224/48669 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/01032 , H01L2924/00
摘要： 화합물 반도체 장치에서는, 패드 전극 아래에 게이트 금속층을 형성하였지만, 매립 게이트 전극 구조의 경우에는, 패드 전극 하층의 게이트 금속층이 경질화되어, 와이어 본드 시의 불량이 다발하였다. 이를 해결하기 위해, 본 발명은 게이트 금속층을 형성하지 않고, 패드 금속층만으로 패드 전극을 형성한다. 패드 전극의 하방은 고농도 불순물 영역을 형성하여, 패드 전극을 기판에 직접 고착한다. 고농도 불순물 영역에 의해 소정의 아이솔레이션을 확보할 수 있기 때문에, 종래와 마찬가지의 질화막 불요의 구조이며, 또한 게이트 금속층이 경질화되는 것에 의한 와이어 본드 시의 불량을 회피할 수 있다. 따라서 FET의 특성을 향상시키는 게이트 전극 구조에서도 신뢰성 향상, 수율 향상을 실현할 수 있다.
소스 전극, 드레인 전극, 고농도 불순물 영역, 패드 금속층, 패드 전극, 게이트 금속층
摘要翻译：场效应晶体管的焊盘电极仅由焊盘金属层形成，而不提供栅极金属层。在焊盘电极的下方设置高浓度的杂质区，焊盘电极直接与基板接触。通过高浓度杂质区确保预定的隔离。因此，在不需要与现有技术相似的氮化物膜的结构中，可以避免由于栅极金属层的硬化引起的引线引起的缺陷。因此，在用于增强场效应晶体管的特性的掩埋栅电极结构的情况下，可以提高可靠性和产量。

63. 发明公开

KR1020050011657A 반도체 장치 失效
公开(公告)号：KR1020050011657A
公开(公告)日：2005-01-29
申请号：KR1020037017221
申请日：2002-11-28
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 아사노데쯔로 , 사까끼바라미끼또 , 히라이도시까즈
IPC分类号： H01L21/338 , H01L27/04 , H01L27/095 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/812 , H01L27/0248 , H01L27/0255 , H01L29/808
摘要： 마이크로파 FET에서는, 내재하는 쇼트키 접합 용량 또는 PN 접합 용량이 작아, 이들 접합이 정전기에 약하다. 그러나, 마이크로파 디바이스에서는 보호 다이오드를 접속하는 것에 의한 기생 용량의 증가가 고주파 특성의 열화를 초래하여, 그 방법을 취할 수 없었던 문제가 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위해 FET의 2 단자 사이에 제1 N
+ 형 영역, 절연 영역, 제2 N
+ 형 영역으로 이루어지는 보호 소자를 병렬로 접속한다. 근접한 제1, 제2 N
+ 영역 사이에서 방전할 수 있으므로, 기생 용량을 증가시키지 않고 FET의 동작 영역에 이르는 정전 에너지를 감쇠시킬 수 있다.

64. 发明公开

KR1020030082456A 반도체 스위치 회로 장치 失效
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR1020030082456A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：KR1020030023953
申请日：2003-04-16
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 아사노데쯔로 , 사까끼바라미끼또
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/4824 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L27/0605 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85201 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01037 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01088 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 화합물 반도체 스위치 회로 장치에서는, 고주파 신호가 몰드 수지를 통해 누설되어, 아이솔레이션의 악화를 야기하고 있었다.
FET의 보호막 위에 폴리이미드층을 형성하고, 실드 메탈을 형성한다. 실드 메탈은 제어 단자와 컨택트하고, 제어 신호가 인가된다. 이에 의해 실드 메탈은 DC 전위로 되고, 고주파적으로 GND 전위로 되므로, FET의 IN-OUT 사이의 고주파 신호의 누설을 억제할 수 있다. 격자 형상 또는 게이트 전극 위에만 실드 메탈을 형성함으로써 필요한 입력 신호의 실드 메탈에의 흡수도 저감시킬 수 있다.
摘要翻译：一种半导体开关电路器件，包括具有源极（13），栅极电极（17）和漏极（15）的场效应晶体管，连接到源电极（13）或漏电极（15）的第一电极焊盘，以及连接到未连接到第一电极焊盘（IN）的源电极（13）或漏电极（15）的第二电极焊盘。该装置还包括：接收直流电压并将直流电压施加到场效应晶体管的第三电极焊盘，覆盖场效应晶体管的第一绝缘层（60），设置在第一绝缘层（60）上方的金属层）并连接到第三电极焊盘，以及设置在金属层（70）上的第二绝缘层（80）。第三电极焊盘可以是控制端子焊盘，接地端子焊盘或接收恒定DC电源电压的端子焊盘。金属层（70）可以是平板状，格子状或梳状结构。

65. 发明公开

KR1020030043630A 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020030043630A
公开(公告)日：2003-06-02
申请号：KR1020020066853
申请日：2002-10-31
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 아사노데쯔로 , 사까끼바라미끼또 , 이노쯔메히데유끼 , 사까이하루히꼬 , 기무라시게오
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/4832 , H01L23/4824 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49844 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2223/6644 , H01L2223/6688 , H01L2224/05554 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15313 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H03K17/002 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to be capable of downsizing a chip or a package. CONSTITUTION: A semiconductor device is provided with an insulating support substrate(1), a semiconductor chip having a plurality of electrode pads at the surface portion, a plurality of conductive patterns(2) formed at the upper portion of the insulating support substrate corresponding to each electrode pad of the semiconductor chip, a connection part for connecting the electrode pads with the conductive patterns, and a plurality of outer connection electrodes corresponding to each conductive pattern. At this time, the semiconductor chip is fixed at a fixing portion(11) of at least one conductive pattern by using an insulating resin.
摘要翻译：目的：提供半导体器件以能够使芯片或封装体小型化。构成：半导体器件设置有绝缘支撑衬底（1），在表面部分具有多个电极焊盘的半导体芯片，形成在绝缘支撑衬底的上部的多个导电图案（2）对应于半导体芯片的每个电极焊盘，用于将电极焊盘与导电图案连接的连接部分和对应于每个导电图案的多个外部连接电极。此时，通过使用绝缘树脂将半导体芯片固定在至少一个导电图案的固定部分（11）上。

66. 发明公开

KR1020030040128A 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020030040128A
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：KR1020020070315
申请日：2002-11-13
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 아사노데쯔로 , 사까끼바라미끼또 , 이노쯔메히데유끼 , 사까이하루히꼬 , 기무라시게오
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L24/32 , H01L23/49562 , H01L23/49844 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L2224/05554 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01039 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/01032 , H01L2224/45099
摘要： PURPOSE: To solve the problem that, in a package structure in which a compound semiconductor chip is secure to an island of a punching frame to mold with a resin, a package size is not easily downsized, and further in the case of a reverse control type, a chip size is enlarged and this is a cause of increasing the costs by remaking a pattern. CONSTITUTION: Two patterns are extended under a chip and the chip is secure onto the pattern, so that a control terminal switches a connection point. Thus, as a normal pattern and a reverse control type of pattern can be switched only at a bonding position by using the same chip and the same pattern, it is possible to promptly and flexibly cope with a user's requirement and further to fairly reduce the cost as well. As a CSP, it is possible to largely contribute to downsizing of a package.
摘要翻译：目的：为了解决在将化合物半导体芯片固定在冲压框的岛上以用树脂模塑的封装结构中，封装尺寸不容易缩小的问题，而且在逆向控制的情况下类型，芯片尺寸被扩大，这是通过重新制作图案来增加成本的原因。构成：在芯片下扩展了两种模式，并将芯片固定在模式上，使得控制终端切换连接点。因此，通过使用相同的芯片和相同的图案，可以仅在接合位置仅切换正常图案和反向控制型图案，可以及时灵活地应对用户的要求，进一步降低成本以及。作为CSP，有可能在很大程度上有助于缩小包装尺寸。

67. 发明公开

KR1020030010552A 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법 失效
标题翻译：制造肖特基二极管的方法
公开(公告)号：KR1020030010552A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：KR1020020044132
申请日：2002-07-26
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 아사노데쯔로 , 오노다가쯔아끼 , 나까지마요시부미 , 무라이시게유끼 , 도미나가히사아끼 , 히라따고이찌 , 사까끼바라미끼또 , 이시하라히데또시
IPC分类号： H01L29/872
摘要： PURPOSE: To solve the conventional problem of a very precise etching control being required, when forming a Schottky junction section, resulting in a, poor reproducibility and unstable high frequency characteristics. CONSTITUTION: On the surface of a substrate, an InGaP layer is deposited, and then Pt/Ti/Pt/Au are vapor deposited thereon. Thereafter, heat treatment is conducted to embed Pt in the InGaP layer, to form a Schottky junction with a GaAs interface. Using this method, no complicated etching control is required, and a stable Schottky barrier diode with a proper reproducibility can be provided. Moreover, a manufacturing flow can be simplified to increase the efficiency.
摘要翻译：目的：为了解决需要非常精确的蚀刻控制的常规问题，当形成肖特基接合部分时，导致不良的再现性和不稳定的高频特性。构成：在衬底的表面上沉积InGaP层，然后在其上气相沉积Pt / Ti / Pt / Au。然后，进行热处理，将Pt埋入InGaP层中，与GaAs界面形成肖特基结。使用该方法，不需要复杂的蚀刻控制，并且可以提供具有适当再现性的稳定的肖特基势垒二极管。此外，可以简化制造流程以提高效率。

68. 发明公开

KR1020020076127A 화합물 반도체 스위치 회로 장치 失效
标题翻译：化合物半导体开关电路
公开(公告)号：KR1020020076127A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：KR1020020015850
申请日：2002-03-23
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 아사노데쯔로 , 히라이도시까즈
IPC分类号： H01L29/80
CPC分类号： H01L29/812 , H01L27/0605
摘要： PURPOSE: To provide a compound semiconductor switch circuit device capable of outputting a required maximum power even when a gate width is 400 μm. CONSTITUTION: In the compound semiconductor switch circuit device, a design manner for widely securing the gate width Wg and reducing an FET on- resistance in order to reduce an insertion loss as less as possible is employed. In addition, means for obtaining a predetermined isolation with the gate width of 600 μm is also employed. However, there is a problem of the insufficient power output if the gate width is determined 400 μm for a chip size shrink. By noting a design wherein the isolation is secured by eliminating a shunt FET in a high frequency band over 2.4 GHz, further, an FET in a transmitting side and an FET in a receiving side are formed with asymmetrical circuits having different impurity concentration channel regions. Thus, the circuit providing a predetermined isolation between both signal paths by reducing the gate width to 400 μm and reducing a capacitance component due to a gate electrode, and outputting the required maximum power output, is achieved.
摘要翻译：目的：提供即使栅极宽度为400μm也能够输出所需最大功率的复合半导体开关电路器件。构成：在化合物半导体开关电路装置中，采用用于广泛确保栅极宽度Wg并降低FET导通电阻以便尽可能减小插入损耗的设计方式。此外，还采用用于获得栅极宽度为600μm的预定隔离的装置。然而，如果对于芯片尺寸缩小确定了400μm的栅极宽度，则存在功率输出不足的问题。通过注意到通过在2.4GHz上消除高频带中的并联FET来确保隔离的设计，此外，发送侧的FET和接收侧的FET由具有不同杂质浓度沟道区的不对称电路形成。因此，实现了通过将栅极宽度减小到400μm并且减小由于栅电极引起的电容分量并输出所需的最大功率输出而在两个信号路径之间提供预定隔离的电路。

69. 发明公开

KR1020020070114A 스위치 회로 장치 失效
标题翻译：化合物半导体开关电路装置
公开(公告)号：KR1020020070114A
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020020010093
申请日：2002-02-26
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 히라이도시까즈 , 아사노데쯔로
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L23/4824 , H01L2924/0002 , H03K17/693 , H03K2217/0036 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: To solve the problem of the mounting area of a printed board increasing, due to the provision of a control terminal at each FET for making a switch operate. CONSTITUTION: A compound semiconductor switching circuit device comprises first and second FETs, a common input terminal commonly connected to source electrodes or drain electrodes of both the FETs, first and second output terminals connected to the source electrodes or drain electrodes of both the FETs, a bias means for applying a prescribed bias to the first output terminal of the first FET, a connecting means for connecting the control terminal to the second output terminal, a ground means for grounding a gate electrode of the second FET, and an isolating means for isolating the common input terminal and the source electrodes or the drain electrodes of the second FET in the manner of direct current. In this device, a control signal is applied to the control terminal connected to the gate electrode of the first FET.
摘要翻译：目的：为了解决印刷电路板的安装面积增加的问题，由于在每个FET处提供用于使开关工作的控制端子。构成：化合物半导体开关电路器件包括第一和第二FET，公共输入端公共连接到两个FET的源电极或漏电极，连接到两个FET的源电极或漏电极的第一和第二输出端，用于对第一FET的第一输出端施加规定的偏压的偏置装置，用于将控制端子连接到第二输出端子的连接装置，用于使第二FET的栅电极接地的接地装置，以及用于隔离第二FET的隔离装置公共输入端子和第二FET的源电极或漏电极以直流方式。在该装置中，控制信号被施加到连接到第一FET的栅电极的控制端子。

70. 发明公开

KR1020020028827A 화합물 반도체 장치 失效
标题翻译：化合物半导体器件
公开(公告)号：KR1020020028827A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：KR1020010062341
申请日：2001-10-10
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 아사노데쯔로 , 히라이도시까즈
IPC分类号： H01L29/80
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/48463 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: Compound semiconductor devices for use at frequencies of about 2.4 GHz and higher is provided to have a significantly smaller chip size than conventional devices while maintaining low insertion loss and high isolation. CONSTITUTION: A compound semiconductor device comprises a substrate made of a compound semiconductor; a connecting pad which is formed directly on the substrate and is used for connecting to a bonding wire; and an activated impurity region which is formed underneath the connecting pad and prevents a depletion layer from expanding beyond the impurity region.
摘要翻译：目的：提供在2.4GHz及更高频率下使用的复合半导体器件，其尺寸明显小于传统器件，同时保持低插入损耗和高隔离度。构成：化合物半导体器件包括由化合物半导体制成的衬底; 连接焊盘，其直接形成在基板上并用于连接到接合线; 以及形成在连接焊盘下方的活化杂质区域，并且防止耗尽层膨胀超过杂质区域。

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