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51. 发明公开

KR1020160030750A 기판 처리장치 有权
标题翻译：加工基材的装置
公开(公告)号：KR1020160030750A
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020140120326
申请日：2014-09-11
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 손형규
IPC分类号： H01L23/46 , H01L21/02 , H01L51/56
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L23/467
摘要： 본발명에따른기판을처리하는공정영역이형성된챔버를갖는기판처리장치는상부전극유닛, 상부전극유닛에대해대향배치되고기판이안착되며기판을냉각하는냉각유체가공급되는복수개의공급유로가형성되는하부전극유닛, 챔버에대해독립적인공간으로형성되고공급유로와연통되며외부로부터공급된냉각유체를수용하여공급유로로냉각유체를공급시키는냉각유체챔버및 상기냉각유체챔버에배치되어냉각유체챔버에수용된냉각유체가선택적으로상기공급유로로공급되도록상기공급유로를개폐하는개폐유닛을포함하는것을특징으로한다. 이에의하여, 냉각유체챔버에냉각유체를수용한후 개폐유닛의작동에따라균일한유속과유량으로기판으로공급하여냉각열을균일하게유지할수 있으므로, 공정처리시의기판온도를제어함과함께기판의파손을방지할수 있다.
摘要翻译：具有形成有用于处理基板的处理区域的室的基板处理装置包括：顶部电极单元; 底部电极单元，其布置成与顶部电极单元相对，并且具有多个供给流路，基板安装在其上，并且用于冷却基板的冷却流体通过; 冷却流体室，其形成为与室相关的独立空间，并与供给流路连通，并容纳从外部供给的冷却流体，并将冷却流体供给到供给流路; 以及打开/关闭单元，其布置在冷却流体室中，并且打开/关闭供应流动路径，以便容纳在冷却流体室中的冷却流体选择性地供应到供应流动路径。因此，基板处理装置可以在进行加工处理时控制基板温度，并且还可以防止对基板的损坏，因为通过根据操作以均匀的流量和通量将冷却流体供给到基板来均匀地保持冷却热在冷却流体室中容纳冷却流体之后的开闭单元。

52. 发明公开

KR1020160030329A 마이크로 위치결정 시스템을 갖는 급속 열처리 챔버 审中-实审
标题翻译：具有微型定位系统的快速热处理室
公开(公告)号：KR1020160030329A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020167005275
申请日：2009-11-05
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 소라브지,쿠르쉬드 , 라니쉬,조셉엠. , 아더홀드,볼프강 , 헌터,아론엠. , 코엘멜,블라크알. , 러너,알렉산더엔. , 메리,니어
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/687 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67259 , C23C16/46 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/68 , H01L21/681 , H01L21/6835 , H01L21/68742
摘要： 기판과기판지지부를동축으로정렬하는것, 또는경험적으로결정된위치를가지는평판형기판의급속열처리를위한방법및 장치가개시된다. 방법및 장치는기판및 기판지지부의상대적방향을결정하는센서시스템을포함하는장치및 방법을포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于同轴对准衬底和衬底支撑件或者用于具有凭经验确定的位置的平面衬底的快速热处理的方法和设备。该方法和设备包括一种设备和方法，该设备和方法包括确定衬底和衬底支撑件的相对定向的传感器系统。

53. 发明公开

KR1020160019364A 그래핀의 하지막의 생성 방법, 그래핀의 생성 방법 및 그래핀의 하지막 생성 장치 审中-实审
标题翻译：用于形成石墨基膜的方法，用于形成石墨的方法和用于形成石墨基膜的装置
公开(公告)号：KR1020160019364A
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020150106497
申请日：2015-07-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 니시데,다이스케 , 마츠모토,다카시 , 가가야,무네히토 , 이후쿠,료타
IPC分类号： H01L29/16 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/26 , C01B31/0453 , C01B32/186 , C23C16/0218 , C23C16/0281 , C23C16/18 , C23C16/45523 , C23C16/46 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/67103 , H01L21/68742 , H01L21/76864 , H01L21/76876 , H01L23/53276 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 고품질의그래핀을생성할수 있는그래핀의하지막의생성방법을제공한다. 수소가스및 암모니아가스를환원가스로서사용하여웨이퍼(W) 위에제1 니켈박막(50a)(제2 니켈박막(50b), 제3 니켈박막(50c))을형성하는 MOCVD와, 형성된제1 니켈박막(50a) 등에포함되는불순물이가스로서탈리되는온도까지웨이퍼(W)를가열하는제1 포스트어닐처리와, 제1 니켈박막(50a) 등에있어서니켈의결정립이성장하는온도까지웨이퍼(W)를가열하는제2 포스트어닐처리를이 순으로반복하여실행하고, 제1 니켈박막(50a), 제2 니켈박막(50b) 및제3 니켈박막(50c)을적층하여니켈막(50)을형성한다.
摘要翻译：提供了能够产生高品质石墨烯的石墨烯底层生成方法。该方法通过使用氢气在晶片（W）上重复并执行形成第一镍薄膜（50a）（第二镍薄膜（50b）和第三镍薄膜（50c））的金属有机化学气相沉积（MOCVD）气体和氨气作为还原气体; 将晶片（W）加热到第一镍薄膜（50a）中包含的异物作为气体的温度的第一后退火工艺; 以及将晶片（W）加热到镍晶粒生长第一镍薄膜（50a）的温度的第二后退火工艺。通过层压第一镍薄膜（50a），第二镍薄膜（50b）和第三镍薄膜（50c）来形成镍膜（50）。

54. 发明公开

KR1020160018375A 기판 가열 장치, 기판 가열 방법, 기억 매체 审中-实审
标题翻译：基板加热装置，基板加热方法和储存介质
公开(公告)号：KR1020160018375A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020150108097
申请日：2015-07-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미즈타,마사토 , 다카야나기,고지
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67103 , F27B17/0025 , H01L21/67017 , H01L21/68742
摘要： 본발명은기판을처리하는처리용기를포함하는복수의가열모듈과, 각가열모듈에공통인배기로를구비하는기판가열장치에있어서, 각가열모듈에서의배기량을정밀도높게제어한다. 상기처리용기내의처리분위기에퍼지용의기체를도입하기위한급기구와, 처리분위기를배기하는배기구를각각구비한복수의가열모듈과, 각각의배기구에접속된개별배기로와, 각개별배기로의하류단에공통으로접속된공통배기로와, 각개별배기로에분기해서설치되어, 처리용기의외부에개구되는분기로와, 상기배기구측으로부터상기공통배기로에배기되는배기량과상기처리용기의외부로부터상기분기로를통해서상기공통배기로에도입되는도입량의유량비를조정하기위한배기량조정부를구비하도록장치를구성한다. 그에의해각 개별배기로로부터공통배기로에의기체의유량의변동을억제한다.
摘要翻译：本发明涉及具有多个加热模块的基板加热装置，该加热模块包括用于处理基板的处理容器和每个加热模块共用的排气路径，以高精度地控制每个加热模块的排气量。基板加热装置包括：多个加热模块，每个加热模块包括用于将用于吹扫的气体引入处理容器中的处理气氛的空气供给口和用于排出处理气氛的排气口; 连接到每个排气口的单独的排气路径; 共同的空气排出路径，其共同连接到每个单独的排气路径的下游端; 分支路径，其从每个单独的排气路径分支并在处理容器的外部打开; 以及排气量调节单元，其调节从排气口侧到共用空气排出路径的排气量的流量比，以及从处理容器的外部到通过分支路径的共用排气路径的引入量。因此，抑制从各个排气通道到共用空气排放路径的气体的流量的波动。

55. 发明公开

KR1020150133900A 기판처리장치 审中-实审
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：KR1020150133900A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020140060306
申请日：2014-05-20
申请人： 주식회사 원익아이피에스
发明人： 배준성
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68721 , H01L21/68742
摘要： 본발명은기판처리장치에관한것으로서, 보다상세하게는기판에대한증착, 식각등 기판처리를수행하는기판처리장치에관한것이다. 본발명은, 밀폐된처리공간을형성하며측면에측면에기판의도입및 배출을위한하나이상의게이트가형성된공정챔버와; 상기공정챔버에승하강이가능하게설치되어기판이안착되는기판지지부와; 상기기판지지부가상기공정챔버에대하여상측으로이동될때 상기기판지지부에안착된기판의가장자리를기판지지부를향하여가압하는가압부재와; 상기기판지지부에대한상기가압부재의저면에대한높낮이를조절하는높이조절수단과; 상기공정챔버에서상기게이트의상측에설치되어상기가압부재를지지하는지지부재를포함하는것을특징으로하는기판처리장치를개시한다.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理装置，更具体地，涉及对基板进行金属化和蚀刻等基板处理的基板处理装置。基板处理装置包括：处理室，其具有密封的处理空间，并且具有用于在侧面上引入和排出基板的一个或多个栅极; 基板支撑单元，其安装在所述处理室中以能够上升和下降，其中所述基板安装在所述基板支撑单元上; 当所述基板支撑单元移动到所述处理室的上侧时，按压构件将安装在所述基板支撑单元上的所述基板的边缘朝向所述基板支撑单元按压; 高度控制单元，控制所述基板支撑单元上的所述按压构件的底部的高度; 以及支撑构件，其安装在处理室中的门的上部并且支撑按压构件。

56. 发明公开

KR1020150130261A 향상된 프로세스 균일성 및 감소된 기판 미끄러짐을 위한 서셉터들 审中-实审
标题翻译： SUSCEPTORS增强工艺均匀性和减少基体滑动
公开(公告)号：KR1020150130261A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020157017674
申请日：2014-03-07
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 쉴라반트,간가드하르 , 조쉬,마하데브 , 아오키,유지
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68735 , C23C16/4585 , C30B25/12 , H01L21/67115 , H01L21/68742
摘要： 기판을지지하기위한장치가본원에서제공된다. 일부실시예들에서, 기판지지부는최상부표면을갖는서셉터플레이트; 최상부표면내에형성되는리세스― 리세스는에지에의해정의됨―; 및리세스내에리세스의에지를따라배치되는복수의각을이룬지지엘리먼트들을포함하며, 각각의각을이룬지지엘리먼트는리세스의중심을향해아래쪽으로경사진제 1 표면을포함한다.

57. 发明公开

KR1020150110372A 기판 처리 장치 및 레지스트 박리 장치 审中-实审
标题翻译：基板加工装置和耐腐蚀装置
公开(公告)号：KR1020150110372A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020150038104
申请日：2015-03-19
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 고바야시겐이치 , 세키모토마사히코 , 요코야마도시오 , 아카자와겐이치 , 구라시나게이이치 , 미츠야다카시
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67057 , B25J11/0095 , H01L21/67034 , H01L21/67173 , H01L21/67276 , H01L21/68721 , H01L21/68742
摘要： 본발명은, 약액분위기가처리조의주위로확산되는것을억제한다. 본발명에따른기판처리장치는, 기판홀더에보유지지된기판을수납하고, 상기기판을처리하기위한처리조와, 기판홀더를지지하고, 기판홀더를처리조에수납, 및처리조로부터취출하도록구성된리프터와, 리프터에의해처리조로부터취출된기판홀더의주위를덮도록구성된커버를갖는다.
摘要翻译：本发明抑制处理槽周围的化学溶液气氛的扩散。根据本发明，一种基板处理装置包括：处理槽，用于存储基板保持器中存储和支撑的基板; 升降器，其构造成支撑所述基板保持器，将所述基板保持件存储在所述处理槽中，并从所述处理槽取出所述基板保持件; 以及盖，其构造成覆盖由所述提升器从所述处理槽取出的所述基板保持器周围。

58. 发明公开

KR1020150108751A 구리 배선을 가진 기판을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：制造具有铜相互连接的基板的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150108751A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020150031025
申请日：2015-03-05
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 마츠모토,겐지 , 가와사키,히로아키 , 나가이,히로유키
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/324 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/76883 , H01L21/02074 , H01L21/02167 , H01L21/02175 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/67103 , H01L21/67207 , H01L21/68742 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76807 , H01L21/3205 , H01L21/324 , H01L2924/01025
摘要： 본 발명은, 층간 절연막(11)의 표면에 노출된 구리 배선(14)의 표면을 박막에 의해 덮는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 구리 배선(14)의 표면에 망간 산화물의 층(25)을 형성하는 기술을 제공하는 것이다. 연마에 의해 층간 절연막(11)의 표면에 구리 배선(14)이 노출된 웨이퍼(W)를 어닐 장치에 반입해서 어닐 처리를 행하여, 연마 시에 사용된 슬러리에 포함되어 있던 BTA의 박층(23)을 구리 배선(14)의 표면으로부터 제거한다. 계속해서 웨이퍼(W)를 반송 용기(C)에 수용하여 대기에 노출시킴으로써 구리 배선(14)의 표면을 산화시켜 CuO
x 층(24)을 형성한다. 그 후, 반송 용기(C)를, ALD 장치(5)를 구비한 진공 처리 장치에 반송하고, ALD 장치(5)에 있어서, 웨이퍼(W)에 아미드아미노알칸계 망간 화합물을 원료로 하는 원료 가스와 수증기를 교대로 공급하여, 구리 배선(14)의 표면에 망간 산화물의 층(25)을 형성하고 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过薄膜覆盖暴露于层间绝缘膜（11）的表面的铜互连（14）的表面的半导体器件的制造方法。此外，本发明提供了在铜互连（14）的表面上形成氧化锰层（25）的技术。通过退火作为晶片（W）从铜互连件（14）的表面除去在研磨中使用的浆料中所含的BTA的薄层（23），其中铜互连（14）暴露于层间绝缘膜（11）通过抛光进入退火装置。通过将晶片（W）连续地容纳在携带容器（C）中来使晶片（W）暴露于大气中，通过氧化铜互连（14）的表面来形成CuO_层（24）。此后，携带容器（C）被携带到包括ALD装置（5）的真空处理装置中。在ALD装置（5）中，将水蒸气和酰胺氨基烷烃锰化合物为原料的原料气体交替供给到晶片（W），由此形成氧化锰层（25），铜互连（14）的表面。

59. 发明公开

KR1020150108321A 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：基板处理方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR1020150108321A
公开(公告)日：2015-09-25
申请号：KR1020150034305
申请日：2015-03-12
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 고바야시겐지 , 오쿠타니마나부
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67028 , B05B1/24 , B05B15/60 , B05C11/08 , B05D1/02 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68742 , H01L21/6875 , H01L21/324 , H01L21/02052 , H01L21/67017
摘要： 기판 처리 방법은, 기판을 유지하기 위한 기판 유지 유닛과, 상기 기판을 하방으로부터 가열하기 위한 핫 플레이트를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서 실행되는 기판 처리 방법으로서, 상기 핫 플레이트가 상기 기판 유지 유닛으로부터 하방으로 퇴피하는 퇴피 위치에 배치된 상태에서, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 상기 처리액 공급 공정에 병행하여, 상기 핫 플레이트의 상면에 당해 상면을 덮는 보호액의 액막을 형성하는 보호액 액막 형성 공정과, 상기 핫 플레이트를 상기 기판의 하면에 근접 또는 접촉시키면서, 당해 핫 플레이트에 의해 상기 기판을 가열하는 기판 가열 공정을 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理方法，具体地涉及一种在包括用于维持基板的基板保持单元和用于从下部加热基板的加热板的基板处理装置中执行的基板处理方法。此外，基板处理方法包括：处理液供给工序，向处理液保持单元的基板的上表面供给处理液，同时将热板配置在回收位置，在该缩回位置，热板回缩到下部部分来自基板保持单元; 保护液膜形成步骤，与所述处理液供给步骤平行地形成保护覆盖所述加热板的上表面的上表面的液体的液膜; 以及基板加热步骤，当热板靠近或与基板的下表面接触时，通过加热板加热基板。

60. 发明授权

KR101555702B1 금속 리프트오프 장비들 및 금속 리프트 오프 방법들 有权
标题翻译：金属剥离工具和方法
公开(公告)号：KR101555702B1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：KR1020140024649
申请日：2014-02-28
申请人： 엠이아이, 엘엘씨
发明人： 타이스스콧
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67057 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/022 , B08B3/024 , B08B3/04 , B08B3/045 , B08B3/048 , B08B3/08 , B08B2203/007 , H01L21/02052 , H01L21/0272 , H01L21/30604 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67063 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , H01L21/67109 , H01L21/67757 , H01L21/68742
摘要： 특정구현예들에있어서, 내측둑을포함하고웨이퍼카세트및 그내부에장입된웨이퍼들을수용하기위한침지탱크, 상기침지탱크내의유체에잠긴상태에서상기웨이퍼카세트를상승및 하강시킬수 있는상승및 하강메커니즘, 상기웨이퍼표면의평면과평행한상기침지탱크의대향하는측면들에위치되어금속을스트리핑하기위한저압고속의제1 스프레이젯들, 및상기침지탱크의바닥에위치되고압력균등화힘을주기위한제 2 스프레이젯들을포함하는금속리프트오프장비가제공된다. 상기침지탱크의바닥에는카세트내의웨이퍼들을수용하고주기적으로상승시키기위하여웨이퍼리프트삽입부가배치된다.

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