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51. 发明公开

KR1020040103397A 레지스트 감도의 평가 방법 및 레지스트의 제조 방법 失效
标题翻译：用于制造用于制造半导体器件的光刻工艺中使用的光电子发射器的灵敏度的方法和用于制造光刻胶的方法
公开(公告)号：KR1020040103397A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：KR1020040038090
申请日：2004-05-28
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 시오바라에이시 , 하야사끼게이 , 후지사와다다히또 , 이또오신이찌
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70608 , G03F7/70683 , H01L22/12
摘要： PURPOSE: A method for evaluating sensitivity of a photoresist used in a photo-lithography process for manufacturing a semiconductor device and a method for fabricating a photoresist are provided to manage accurately the sensitivity of a photoresist by improving the process for evaluating the sensitivity of a photoresist. CONSTITUTION: An exposure dose monitor mark is transferred onto an inspection resist layer with an inspection setting exposure dose by using an exposure device(S81). An inspection sensitivity index varying according to the inspection setting exposure dose is measured by using an inspection transferred image of the exposure dose monitor mark delineated on the inspection resist layer. An inspection photoresist sensitivity of the inspection resist layer is calculated by using sensitivity calibration data on the basis of the inspection sensitivity index(S85).
摘要翻译：目的：提供一种用于评估用于制造半导体器件的光刻工艺中的光致抗蚀剂的灵敏度的方法和用于制造光致抗蚀剂的方法，以通过改进用于评价光致抗蚀剂的灵敏度的方法来精确地控制光致抗蚀剂的灵敏度。构成：通过使用曝光装置，通过检查设定曝光量将曝光剂量监视标记转印到检查抗蚀剂层上（S81）。通过使用在检查抗蚀剂层上划定的曝光剂量监视标记的检查转印图像来测定根据检查设定曝光剂量而变化的检查灵敏度指标。通过使用基于检查灵敏度指数的灵敏度校准数据来计算检查抗蚀剂层的检查光致抗蚀剂的灵敏度（S85）。

52. 发明公开

KR1020010058612A 레티클 레지스트레이션 마크 형성방법 无效
标题翻译：形式注册标志的方法
公开(公告)号：KR1020010058612A
公开(公告)日：2001-07-06
申请号：KR1019990065963
申请日：1999-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 송정호 , 한상준
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/62
CPC分类号： G03F1/14 , G03F1/38 , G03F1/42 , G03F7/70683 , G03F7/70741
摘要： PURPOSE: A method for forming Reticle Registration Mark is provided to prevent the breakage of registration mark caused by capacitor oxidation film by a specific procedure for laminating respective layers of the mark. CONSTITUTION: The RRM formation method comprises a first step of laminating interlayered insulation film (10) and a capacitor oxidation film (20) in order then patterning the oxidation film to form a groove part (15); a second step of laminating a sensitive film (30) on the insulation film through the groove part and etching the insulation film to form a contact hole (15); a third step of forming a poly-3 layer (25); a fourth step of laminating the sensitive film on the poly-3 layer slightly apart from the inner wall side of the groove part and etching the poly-3 layer to form the registration mark; and removing the capacitor film with any etching solution after smoothing the capacitor film by CMP process.
摘要翻译：目的：提供一种形成光栅注册标记的方法，以防止由电容器氧化膜引起的对准标记由于层压各层标记的具体过程而破损。构成：RRM形成方法包括层叠层间绝缘膜（10）和电容器氧化膜（20）的第一步骤，然后依次图案化氧化膜以形成沟槽部分（15）; 通过所述槽部将所述绝缘膜上的敏感膜（30）层叠并蚀刻所述绝缘膜以形成接触孔（15）的第二工序; 形成聚-3层（25）的第三步骤; 第四步是将多层3层上的敏感膜层压到槽部的内壁侧，并蚀刻多层3以形成配准标记; 并通过CMP工艺对电容器膜进行平滑后，用任何蚀刻溶液除去电容器膜。

53. 发明授权

KR101918251B1 메트롤로지 타겟들을 디자인하는 방법, 메트롤로지 타겟들을 갖는 기판들, 오버레이를 측정하는 방법, 및 디바이스 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101918251B1
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：KR1020177000018
申请日：2014-08-01
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 덴보에프,아리에예프레이 , 바타차리야,카우스투브
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/705 , G03F7/70158 , G03F7/70633 , G03F7/70683 , G03F9/708 , H01L23/544
摘要： 메트롤로지타겟들이리소그래피공정에의해형성되고, 각각의타겟은저부격자및 최상부격자를포함한다. 리소그래피공정의오버레이성능은각각의타겟을방사선으로조명하고회절된방사선에서비대칭을관찰함으로써측정될수 있다. 메트롤로지레시피및 타겟디자인의파라미터들이재현성보다는오버레이의측정정확성을최대화하도록선택된다. 상기방법은 (ⅰ) 최상부격자에의해회절된방사선을나타내는제 1 방사선성분과 (ⅱ) 최상부격자및 중간층들을통해이동한후 저부격자에의해회절된방사선을나타내는제 2 방사선성분간의상대진폭및 상대위상중 적어도하나를계산하는단계를포함한다. 최상부격자디자인은상대진폭이 1(unity)에가까워지게되도록수정될수 있다. 메트롤로지레시피에서의조명방사선의파장은상대위상이π/2 또는 3π/2에가까워지게되도록조정될수 있다.

54. 发明授权

KR101906289B1 리소그래피를 수반하는 제조 공정을 위한 공정 파라미터의 측정 有权
公开(公告)号：KR101906289B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020167025864
申请日：2015-01-28
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 반데르스하르,마우리츠 , 덴보에프,아리에예프레이 , 아담,오메르아부바커오메르 , 후앙,테-치 , 장,유핑
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70633 , G01N21/47 , G01N21/8806 , G01N2201/12 , G03F7/70683
摘要： 리소그래피를수반하는제조공정을위한공정파라미터를측정하는방법이개시된다. 개시된구성에서, 상기방법은기판상의구역에서오버레이오차의제 1 및제 2 측정들을수행하는단계, 및오버레이오차의제 1 및제 2 측정들에기초하여공정파라미터의측정을획득하는단계를포함한다. 오버레이오차의제 1 측정은오버레이오차의제 2 측정보다알려진양만큼공정파라미터의섭동에더 민감하도록디자인된다.

55. 发明授权

KR101906098B1 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101906098B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020180004192
申请日：2018-01-12
申请人： (주)오로스 테크놀로지
发明人： 하호철 , 이길수
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70683 , G03F7/70633 , H01L21/027
摘要： 본발명은오버레이마크및 이를이용한오버레이계측방법및 반도체디바이스제조방법에관한것이다. 본발명은복수의연속하는패턴층 또는하나의패턴층에따로형성된복수개의패턴사이의상대적엇갈림을결정하는오버레이마크로서, 정렬시대칭중심을공유하며, 대칭중심을지나는 X축, Y축및 한쌍의대각선에의해서 8 분할된 8개의영역중에서대칭중심을기준으로시계방향을따라서하나의영역씩건너뛰면서선택된제1영역, 제3영역, 제5영역, 제7영역에형성되는제1 오버레이구조물과, 8 분할된영역중에서나머지영역인제2영역, 제4영역, 제6영역, 제8영역에, 상기제1 오버레이구조물의외곽에형성되는제2 오버레이구조물을구비하는제1 오버레이마크와, 상기제1 오버레이구조물과 X축및 Y축대칭인제3 오버레이구조물과, 상기제2 오버레이구조물과 X축및 Y축대칭인제4 오버레이구조물을구비하는제2 오버레이마크를포함하는것을특징으로하는오버레이마크를제공한다. 본발명에따른오버레이마크는광학적수차에따른영향을최소화할수 있다는장점이있다.

56. 发明授权

KR101901770B1 계측에 사용하기 위한 기판 및 패터닝 디바이스, 계측 방법, 및 디바이스 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101901770B1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：KR1020167033111
申请日：2015-04-16
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 퀸타닐라리차드 , 쾨느빌렘마리줄리아마르셀
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/84
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70683
摘要： 리소그래피장치(LA)에의하여패터닝디바이스(M)로부터의패턴이기판(W)에적용된다. 인가된패턴은제품피쳐와계측타겟(600, 604)을포함한다. 계측타겟은 X-선산란(계측장치(104))을사용하여오버레이를측정하기위한대타겟(600a)과가시방사선의회절(계측장치(102))에의해오버레이를측정하기위한소타겟(600b, 604)을포함한다. 더작은타겟(604) 중일부는더 큰타겟들사이의위치에분포되는반면에, 다른소타겟들(600b)은대타겟과동일한위치에배치된다. 동일한위치에서소타겟(600b)과대타겟(600a)을사용하여측정된값들을비교함으로써, 모든소타겟들을사용하여측정된파라미터값들(704)이정확도가증가하도록정정될수 있다. 대타겟은주로스크라이브레인(SL) 내에위치될수 있는반면에소타겟은제품영역(602, D) 내에분포된다.

57. 发明授权

KR101865641B1 검사 방법, 리소그래피 장치, 마스크 및 기판 有权
公开(公告)号：KR101865641B1
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：KR1020167018429
申请日：2014-11-20
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 반도멜렌유리요하네스로렌티우스마리아 , 엥블롬피터데이비드 , 케셀스람베르투스게라두스마리아 , 덴뵈프애리제프리 , 바타차리아카우스터브 , 하이넨폴크리스티안 , 피에테르스마르코요하네스앤마리
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/44
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F7/70683
摘要： 리소그래피공정과관련한초점정보를얻는방법및 장치가개시된다. 본방법은, 타겟을조명하는단계, 및타겟에의해산란된방사선을검출하여, 그타겟에대해, 타겟의전체적인비대칭을나타내는비대칭측정값을얻는단계를포함하고, 타겟은서로번갈아있는제 1 구조체와제 2 구조체를포함하며, 제 2 구조체의형태는초점의존적이고, 제 1 구조체의형태는제 2 구조체의초점의존성과동일한초점의존성을갖지않으며, 비대칭측정값은타겟을형성하는빔의초점을나타낸다. 이러한타겟을형성하기위한관련된마스크및 이러한타겟을갖는기판이또한개시된다.

58. 发明公开

KR20180026582A 다층 오버레이 계측 타겟 및 상보적 오버레이 계측 측정 시스템 审中-公开
标题翻译：多层覆盖计量目标和免费覆盖计量测量系统
公开(公告)号：KR20180026582A
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR20187006323
申请日：2011-07-28
申请人： KLA TENCOR CORP
发明人： KANDEL DANIEL , LEVINSKI VLADIMIR , COHEN GUY
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70683
摘要： 촬상기반계측에서사용하기위한다층오버레이타겟이개시된다. 오버레이타겟은 3개이상의타겟구조물을포함한복수의타겟구조물을포함하고, 각타겟구조물은 2개이상의패턴요소들의집합을포함하며, 타겟구조물은타겟구조물의정렬시에공통대칭중심을공유하도록구성되고, 각타겟구조물은공통대칭중심에대한 N도(N도는 180도이상임) 회전에대하여불변체이며, 2개이상의패턴요소는각각개별적인대칭중심을갖고, 각타겟구조물의 2개이상의패턴요소들은각각개별적인대칭중심에대한 M도(M도는 180도이상임) 회전에대하여불변체이다.
摘要翻译：公开了用于基于成像的度量衡中的多层覆盖目标。覆盖目标包括多个包括三个或更多个目标结构的目标结构，每个目标结构包括一组两个或更多个模式元素，其中目标结构被配置为在目标结构对齐时共享对称的共同中心，每个目标结构围绕所述公共对称中心不变为N度旋转，其中N等于或大于180度，其中所述两个或更多个图案元件中的每一个具有单独的对称中心，其中所述两个或更多个图案中的每一个每个目标结构的元素对于围绕单个对称中心的M度旋转是不变的，其中M等于或大于180度。

59. 发明公开

KR20180001954A 포토 마스크의 제조 방법, 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：制造照片的方法制造图案的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR20180001954A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR20160081113
申请日：2016-06-28
IPC分类号： H01L21/033 , G03F1/36 , G03F7/20 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70625 , G03F1/26 , G03F1/36 , G03F1/44 , G03F1/84 , G03F7/70683 , H01L21/823431 , H01L22/12 , H01L22/30 , H01L29/66795
摘要： 포토마스크의제조방법에있어서, 기판의칩 영역에대응하는마스크영역내에제1 회로마스크패턴및 상기제1 회로마스크패턴의임계치수를나타낼수 있는제1 모니터링마스크패턴의레이아웃을각각설계한다. 상기제1 회로마스크패턴과상기제1 모니터링마스크패턴을갖는제1 포토마스크를형성한다. 상기제1 포토마스크의상기제1 모니터링마스크패턴의임계치수를측정한다.
摘要翻译：提供了检查光掩模的方法。检查光掩模的方法包括电子检查光掩模的掩模区域中的第一掩模图案并且抑制电子检查掩模掩模区域中的单独的第二掩模图案。第一掩模图案包括对应于第二掩模图案的至少一部分的几何特征。而且，掩模区域在光掩模的划线区域之外。还提供了制造光掩模的相关方法和制造半导体器件的方法。

60. 发明公开

KR1020170042085A 반도체 장치의 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020170042085A
公开(公告)日：2017-04-18
申请号：KR1020150141573
申请日：2015-10-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김종훈
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/31053 , G03F7/70633 , G03F7/70683 , H01L21/28273 , H01L21/31111 , H01L21/32053 , H01L21/32133 , H01L21/764 , H01L27/11531
摘要： 본발명의실시예에따른반도체장치의제조방법은제1 영역및 제2 영역을포함하는기판상에, 실리콘막을포함하는패턴그룹을형성하는단계; 상기실리콘막이상기제1 영역상에서노출되고상기제2 영역상에서차단되도록, 상기기판상에절연패턴을형성하는단계; 상기제1 영역상에서노출된상기실리콘막의일부를실리사이드막으로변화시키는단계; 및상기실리사이드막으로의변화가차단된상기제2 영역상의상기패턴그룹중 일부를오버레이버니어로이용하는후속공정을실시하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施例的制造半导体器件的方法包括：在包括第一区域和第二区域的衬底上形成包括硅膜的图案组; 在衬底上形成绝缘图案，使得硅膜暴露在第一区域上并且阻挡在第二区域上; 将暴露在第一区域上的一部分硅膜改变为硅化物膜; 然后使用覆盖游标作为第二区域中的图案组的一部分执行随后的过程，其中硅化物膜的改变被阻挡。

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