专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

51. 发明公开

KR1020120037786A 저장 장치, 그것의 락 모드 관리 방법, 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 无效
标题翻译：存储设备，其锁定模式管理方法和具有该存储设备的存储器系统
公开(公告)号：KR1020120037786A
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020100099452
申请日：2010-10-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이원철 , 이정우
IPC分类号： G06F12/14 , G06F21/78 , G06F13/10
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7204
摘要： PURPOSE: A storing device using a soft lock mode, a lock mode managing method thereof, and a memory system including the same are provided to easily perform data backup by including a lock mode managing module. CONSTITUTION: An NVM(Non-Volatile Memory)(200) includes reserved blocks. A lock mode management module(101) enters a soft lock mode if the number of reserved blocks is less than a reference value. The NVM is a flash memory. The flash memory includes a user area having data blocks for storing user data and a reserved area. The lock mode management module is implemented through a firmware.
摘要翻译：目的：提供一种使用软锁模式的存储装置，其锁模式管理方法以及包括该存储装置的存储系统，以通过包括锁模式管理模块容易地执行数据备份。构成：NVM（非易失性存储器）（200）包括保留块。如果保留块的数量小于参考值，则锁模式管理模块（101）进入软锁模式。 NVM是闪存。闪速存储器包括具有用于存储用户数据和保留区域的数据块的用户区域。锁模式管理模块通过固件实现。

52. 发明公开

KR1020070119851A 퓨즈 구조물 및 그 형성 방법 失效
标题翻译：保险丝结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020070119851A
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR1020060054309
申请日：2006-06-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이원철
IPC分类号： H01H85/00
CPC分类号： H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A fuse structure and a manufacturing method thereof are provided to prevent adjacent line patterns from being short-circuited to each other by forming a barrier between lower and upper protective patterns. A fuse structure includes a dielectric structure(100), at least one fuse pattern(101a), and at least one barrier(111a). The dielectric structure includes a fuse region and a line region which is adjacent to the fuse region. The fuse pattern is elongated in a first direction on the fuse region and the line region. The barrier is elongated in a second direction, which is substantially normal to the first direction, on the fuse region, so that particles of the fuse pattern are blocked during a fuse pattern cutting process.
摘要翻译：提供熔丝结构及其制造方法，以通过在下保护图案和上保护图案之间形成屏障来防止相邻的线图案彼此短路。熔丝结构包括电介质结构（100），至少一个熔丝图案（101a）和至少一个屏障（111a）。电介质结构包括熔丝区域和与熔丝区域相邻的线路区域。熔丝图案在熔丝区域和线区域上沿第一方向细长。在保险丝区域上，阻挡层在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸，使得熔丝图案的颗粒在熔丝图案切割过程中被阻挡。

53. 发明授权

KR102164630B1 메모리 컨트롤러 및 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102164630B1
公开(公告)日：2020-10-12
申请号：KR1020130075394
申请日：2013-06-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이원철 , 김무성
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/06 , G06F12/00

54. 发明授权

KR101996825B1 3D 반도체 패키지 디자인 방법 및 컴퓨팅 시스템 有权
公开(公告)号：KR101996825B1
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：KR1020130005996
申请日：2013-01-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황보선 , 윤성희 , 정재훈 , 이원철 , 이태헌 , 천영회
IPC分类号： G06F17/50 , G11C5/06

55. 发明授权

KR102025193B1 메모리 컨트롤러 및 그것의 동작 방법, 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 有权
公开(公告)号：KR102025193B1
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：KR1020130017626
申请日：2013-02-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서영일 , 윤정호 , 이원철 , 정다운
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/06

56. 发明授权

KR102015053B1 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102015053B1
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：KR1020130018066
申请日：2013-02-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정다운 , 윤정호 , 김민철 , 서영일 , 이원철
IPC分类号： G06F12/00 , G06F13/14 , G11C16/06

57. 发明授权

KR101902870B1 ＤＣ 구조체 갖는 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101902870B1
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：KR1020120037481
申请日：2012-04-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장현우 , 이원철 , 정진원
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/8239 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L27/088 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 기판상에형성된층간절연층및 상기층간절연층을수직으로관통하여상기기판과접촉하는 DC 구조체를포함하는반도체소자가설명된다. 상기 DC 구조체는상기기판을노출시키는 DC 홀, 상기 DC 홀의내벽상에형성된절연성 DC 스페이서, 및상기 DC 홀을채우도록상기 DC 스페이서상에형성된전도성 DC 플러그를포함한다. 상기 DC 플러그는상대적으로수평폭이좁은하부 DC 플러그및 상대적으로수평폭이넓은상부 DC 플러그를포함한다.

58. 发明授权

KR101883656B1 활성영역과의 접촉면적이 확대된 콘택을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101883656B1
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：KR1020120033079
申请日：2012-03-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이원철 , 김은아 , 이자영
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/04 , H01L27/0207 , H01L27/10882 , H01L27/10885 , H01L27/10891
摘要： 본발명은반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 제1 접합영역및 제2 접합영역을포함하는기판; 상기기판내에매립된워드라인; 상기워드라인위에서상기워드라인과교차하는비트라인; 상기기판과상기비트라인사이에배치되어상기제1 접합영역과전기적으로연결된제1 콘택; 및인접한비트라인들사이에배치되어상기제2 접합영역과전기적으로연결되는, 상기제2 접합영역과의오버랩면적이상부에비해하부가더 큰제2 콘택을포함할수 있다.

59. 发明公开

KR1020160025892A 반도체 패키지 审中-实审
标题翻译：半导体封装
公开(公告)号：KR1020160025892A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140113353
申请日：2014-08-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김혁수 , 강태호 , 송태희 , 이원철
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/4985 , H01L23/04 , H01L23/3121 , H01L23/49844 , H01L23/552 , H01L25/0655 , H01L27/088 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/15156 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H05K1/0277 , H05K1/0281 , H05K1/189 , H05K3/284 , H05K2203/1316 , H05K2203/1327 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 부피를최소화하고신뢰성및 성능이향상될수 있는구부러진반도체패키지및 이를포함하는시스템을제공한다. 본발명에따른반도체패키지는, 일정한곡률반경을가지는원호를따라서연장되는아치형의굴곡고정부를가지며곡률중심을향하는제1 면및 반대되는제2 면을가지는플렉시블인쇄회로기판, 플렉시블인쇄회로기판의굴곡고정부의제2 면상에아치형을이루며부착되는적어도하나의반도체칩, 및적어도하나의반도체칩을감싸며플렉시블인쇄회로기판의굴곡고정부의제2 면상에형성되는강성을가지는몰드층을포함한다.
摘要翻译：提供一种可以使体积最小并且可以提高可靠性和性能的弯曲半导体封装以及包括该半导体封装的系统。根据本发明的半导体封装包括：柔性印刷电路板，其具有第一平面，该第一平面具有沿着具有恒定曲率半径并且朝向曲率中心的弧形延伸的拱形弯曲固定部分，并且与第一平面相对的第二平面平面; 至少一个半导体芯片，其安装在柔性印刷电路板的弯曲固定部分的第二平面上，形成拱形; 以及具有刚性的模具层，并且形成在柔性印刷电路板的弯曲固定部分的第二平面上，以围绕至少一个半导体芯片。

60. 发明公开

KR1020140103755A 메모리 컨트롤러 및 그것의 동작 방법, 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 审中-实审
标题翻译：内存控制器和操作方法相同，包含存储器控制器的存储器系统
公开(公告)号：KR1020140103755A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130017626
申请日：2013-02-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서영일 , 윤정호 , 이원철 , 정다운
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/7205
摘要： According to an embodiment of the present invention, a memory controller controls a non-volatile memory device having a plurality of memory blocks as a data storage space. The memory controller includes: an error detection and correction circuit which compares a threshold value with a bit error rate calculated based on data received from the non-volatile memory device, and which produces comparison results; and a reclaim control unit which receives the comparison results from the error detection and correction circuit, and which determines whether to execute a read reclaim operation of copying the data to another memory block different from a memory block where the data have been stored, based on a level of a reading voltage used to read the data, wherein the reclaim control unit controls the non-volatile memory device not to perform the read reclaim operation when a level of the reading voltage is included in a predetermined area.
摘要翻译：根据本发明的实施例，存储器控制器控制具有多个存储器块的非易失性存储器件作为数据存储空间。存储器控制器包括：误差检测和校正电路，其将阈值与基于从非易失性存储器件接收的数据计算的误码率进行比较，并产生比较结果; 以及回收控制单元，其接收来自所述错误检测和校正电路的比较结果，并且基于所述回收控制单元，基于所述回收控制单元，基于所述回收控制单元接收来自所述错误检测和校正电路的比较结果，并且其基于用于读取数据的读取电压的电平，其中当读取电压的电平被包括在预定区域中时，回收控制单元控制非易失性存储器件不执行读取回收操作。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式