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1. 发明公开

KR1020150002069A 메모리 컨트롤러 및 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：存储器控制器和存储器控制器的操作方法
公开(公告)号：KR1020150002069A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020130075394
申请日：2013-06-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이원철 , 김무성
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/06 , G06F12/00
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/0604 , G06F3/065 , G06F3/0679 , G06F2003/0697 , G06F2212/7205 , G06F2212/7211
摘要： 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러의 동작 방법은 상기 메모리 장치에 포함된 메모리 블록에 대한 리드 횟수와, 상기 메모리 블록에 포함된 복수의 페이지 그룹들 각각과 상기 메모리 장치의 P/E 사이클(program/erase cycle) 수에 따라 결정되는 기준 횟수들 각각을 비교하고, 비교 결과에 따라, 상기 복수의 페이지 그룹들 각각에 저장된 데이터를 다른 메모리 블록으로 카피 백(copyback) 할지 여부를 결정한다.
摘要翻译：本发明提供一种操作存储器控制器来控制存储器件的方法。根据本发明的方法包括以下步骤：比较存储器件中包括的存储器块的读取操作次数和根据存储器件的编程/擦除（P / E）周期数确定的参考数和每个页组包括在存储块中; 以及根据比较结果确定是否将存储在每个页组中的数据复制回另一个存储块。

2. 发明公开

KR1020140096875A 메모리 시스템의 및 그것의 블록 관리 방법 审中-实审
标题翻译：存储系统及其管理方法
公开(公告)号：KR1020140096875A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130010019
申请日：2013-01-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서영일 , 윤정호 , 이원철 , 정다운
IPC分类号： G06F12/02 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207
摘要： A memory system according to an embodiment of the present invention comprises a non-volatile memory device including multiple blocks and meta areas; and a memory controller which controls the non-volatile memory device. The meta areas save the number of erasure, a ready-to-use list, a long term list, and block retry information. The memory controller carries out wear leveling of the multiple blocks using the number of erasure and the block retry information.
摘要翻译：根据本发明的实施例的存储器系统包括：包括多个块和元区的非易失性存储器件; 以及控制非易失性存储器件的存储器控制器。元区保存擦除次数，即用型列表，长期列表和块重试信息。存储器控制器使用擦除次数和块重试信息来执行多个块的磨损均衡。

3. 发明公开

KR1020060099314A 반도체 기억소자의 퓨즈 영역 失效
标题翻译：半导体存储器件的保险丝区域
公开(公告)号：KR1020060099314A
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020050020690
申请日：2005-03-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이원철
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： H01L23/5258
摘要： 퓨즈 및 방습장벽을 갖는 반도체소자의 퓨즈 영역을 제공한다. 상기 퓨즈 영역은 반도체 기판 상에 하부 층간절연막을 포함한다. 상기 하부 층간절연막 상에 서로 이격된 제1 및 제2 하부배선들이 배치된다. 상기 제1 및 제2 하부 배선들 및 상기 하부 층간절연막을 갖는 상기 반도체 기판 상에 중간 층간절연막이 배치된다. 상기 중간 층간절연막 상에 차례로 적층된 상부 층간절연막, 하부 금속 층간절연막 및 상부 금속 층간절연막이 배치된다. 상기 상부 층간절연막 또는 상기 하부 금속 층간절연막 상에 상기 제1 및 제2 하부 배선들에 전기적으로 접속된 양 단들을 갖는 퓨즈가 배치된다. 적어도 상기 중간 층간절연막, 상기 상부 층간절연막, 상기 하부 금속층간절연막 및 상기 상부 금속층간절연막을 관통하고 상기 퓨즈를 둘러싸는 방습장벽이 배치된다. 상기 방습장벽은 상기 제1 및 제2 하부 배선들과 전기적으로 절연된다.
리페어공정, 리던던트 셀, 퓨즈, 방습장벽

4. 发明授权

KR102050896B1 메모리 컨트롤러 및 그것의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102050896B1
公开(公告)日：2019-12-02
申请号：KR1020130017627
申请日：2013-02-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서영일 , 윤정호 , 이원철 , 정다운
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/06 , G11C16/26

5. 发明公开

KR1020140104189A 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 처리 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件及其数据处理方法
公开(公告)号：KR1020140104189A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：KR1020130018066
申请日：2013-02-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정다운 , 윤정호 , 김민철 , 서영일 , 이원철
IPC分类号： G06F12/00 , G06F13/14 , G11C16/06
CPC分类号： G06F11/1666 , G06F11/073 , G06F11/0751 , G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G11C29/76
摘要： The present invention relates to a nonvolatile memory device and a data processing method thereof. According to the present invention, the nonvolatile memory device receives data requested to be written and a logical address thereof from a host. The nonvolatile memory device includes a nonvolatile memory which includes a memory block consisting of a plurality of pages; and a controller which controls the nonvolatile memory to write the data requested to be written in the memory block, wherein when a part of the pages is the bad pages, the controller maps the logical address of the data requested to be written to a physical address of the nonvolatile memory such that the data requested to be written can be written in an area except bad pages, with reference to a bad page map, and wherein the controller controls the nonvolatile memory to write dummy data in the bad pages when a writing operation of the data requested to be written is performed. According to the present invention, the nonvolatile memory device and the data processing method thereof can improve lifetime and accuracy by managing lifetime in page units.
摘要翻译：非易失性存储器件及其数据处理方法技术领域本发明涉及非易失性存储器件及其数据处理方法。根据本发明，非易失性存储装置从主机接收请求写入的数据及其逻辑地址。非易失性存储器件包括非易失性存储器，其包括由多页构成的存储块; 以及控制器，其控制非易失性存储器将请求写入的数据写入存储器块中，其中当一部分页面是坏页面时，控制器将请求写入的数据的逻辑地址映射到物理地址的非易失性存储器，使得要写入的数据可以被写入除了坏页面之外的区域，参考不良页面映射，并且其中当写入操作时，控制器控制非易失性存储器将伪数据写入坏页面执行要被写入的数据。根据本发明，非易失性存储器件及其数据处理方法可以通过以页面单位管理寿命来提高寿命和精度。

6. 发明公开

KR1020140091839A 비휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법 및 비휘발성 메모리 장치의 테스트 방법 审中-实审
标题翻译：在非易失性存储器件中存储数据的方法和测试非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020140091839A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020130003782
申请日：2013-01-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김은경 , 윤명원 , 이종철 , 권오석 , 이원철
IPC分类号： G11C16/34 , G11C29/00
CPC分类号： G11C16/3459 , G11C16/3418 , G11C16/349 , G11C29/08 , G11C29/50016
摘要： A data storage method of a nonvolatile memory device executes a program operation for target memory cells among a plurality of memory cells. First verification operation for the program fail or the program pass of the target memory cells is executed. When the target memory cells are determined as the program pass based on the result of the first verification operation, a second verification operation for the program symptom of the target memory cells is executed.
摘要翻译：非易失性存储器件的数据存储方法执行多个存储单元中的目标存储单元的编程操作。执行程序的首次验证操作失败或目标存储单元的程序通过。当基于第一验证操作的结果确定目标存储单元作为程序通过时，执行目标存储器单元的程序症状的第二验证操作。

7. 发明公开

KR1020140075461A 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020140075461A
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：KR1020120143826
申请日：2012-12-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한정훈 , 김성진 , 김천배 , 이원철 , 조병훈
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a semiconductor structure which has a first line which is extended from an upper part to a first direction, a first insulating layer which covers the semiconductor structure, a via plug which penetrates the first insulating layer, and a second line which is extended to a second direction which has a preset angle to the first direction on the first insulating layer, and is connected to the first line by the via plug. The second line has a protruding portion which protrudes from at least one among the first and second parts at the boundary of the first and the second parts.
摘要翻译：公开了一种半导体器件。半导体器件包括半导体结构，其具有从上部延伸到第一方向的第一线，覆盖半导体结构的第一绝缘层，穿透第一绝缘层的通孔塞，以及第二线，延伸到与第一绝缘层上的第一方向具有预定角度的第二方向，并且通过通孔插头连接到第一线。第二线具有在第一部分和第二部分的边界处从第一部分和第二部分中的至少一个突出的突出部分。

9. 发明授权

KR101933044B1 반도체 장치 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101933044B1
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：KR1020120032925
申请日：2012-03-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정진원 , 이원철
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/8239 , H01L21/28
摘要： 본 발명은 반도체 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 장치에서는 워드라인들 사이에서 이웃하는 스토리지 노드 패드들이 분리막 패턴에 의해 서로 이격된다. 이로써, 마스크 오정렬에 따른 브릿지 문제를 해결할 수 있다. 이로써 신뢰성이 향상된 반도체 장치를 제공할 수 있다.

10. 发明公开

KR1020170103243A 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170103243A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160025770
申请日：2016-03-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박동식 , 이원철
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/3003 , H01L21/76816 , H01L21/76849 , H01L21/76852 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L27/10894 , H01L28/90 , H01L29/34
摘要： 본발명에서는반도체소자가개시된다. 본발명의일 실시예에따른반도체소자는기판; 상기기판상에형성되고수소이온을포함하고있는수소제공절연층; 상기기판상에형성되고제1 배선및 제2 배선을포함하는제1 레벨층; 제3 배선을포함하고, 상기기판으로부터상기제1 레벨층과다른레벨에형성되는제2 레벨층; 상기제1 레벨층과상기제2 레벨층사이에형성되는층간절연막; 상기제3 배선과접하도록형성되는확산방지층; 상기층간절연막을관통하여상기제2 배선및 상기제3 배선을전기적으로연결하는콘택플러그; 및상기층간절연막을관통하여상기제1 레벨층및 제2 레벨층과접촉하고, 상기확산방지층과이격되며, 수소이온의이동경로를제공하는더미콘택플러그를포함한다.
摘要翻译：本发明公开了一种半导体器件。根据本发明实施例的半导体器件包括：衬底; 在衬底上形成并含有氢离子的氢供应绝缘层; 第一级层，形成在所述基板上并且包括第一布线和第二布线; 第二层级，其包括第三布线并且在与所述第一层级不同的水平处形成于所述衬底; 层间绝缘层，形成在第一层和第二层之间; 形成为与第三布线接触的扩散防止层; 接触插塞，通过层间绝缘膜电连接第二布线和第三布线; 以及通过层间绝缘膜与第一层和第二层接触并且与扩散防止层间隔开并提供用于传输氢离子的路径的伪接触插塞。

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