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51. 发明授权

KR100714269B1 반도체 소자 제조에 사용되는 금속층 형성방법 有权
标题翻译：用于形成金属层的方法用于制造半导体器件
公开(公告)号：KR100714269B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020040082027
申请日：2004-10-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이현석 , 김현영 , 문광진
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76846 , C23C16/14 , C23C16/4408 , C23C16/45523 , C23C16/509 , H01L21/28556 , H01L21/76843
摘要： 본 발명은 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 소자의 제조에 적합한 금속층 형성방법에 관한 것으로, 그의 형성방법은, 소정의 밀폐된 공간을 갖는 챔버에 수소 가스 및 염화금속화합물가스로 이루어진 혼합가스와 퍼지가스를 소정 시간동안 동시에 공급하여 도전층이 노출된 반도체 기판 상에 플라즈마 화학기상증착방법으로 제 1 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 챔버에 퍼지가스가 연속적으로 공급되는 과정에서 상기 수소 가스 및 염화금속화합물가스를 각각 소정의 시간을 두고 번갈아 공급시켜 상기 플라즈마 화학기상증착방법으로 상기 제 1 금속층 상에 제 2 금속층을 형성하는 단계를 포함함에 의해 금속층의 형성 시 종래의 화학기상증착방법에 비해 저온 공정인 플라즈마 화학기상증착 방법을 사용하여 고열에 의한 반도체 소자의 열화를 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
염화 티타늄(TiCl4), 아르곤(Ar), 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD), RF(radio Frequency)

52. 发明授权

KR100615602B1 매끄러운 표면을 갖는 타이타늄 나이트라이드 막의 형성방법들 및 이를 이용한 반도체 장치의 형성방법들 失效
标题翻译：形成具有平坦表面的硝酸钛层的方法和使用其形成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100615602B1
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020040073984
申请日：2004-09-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박재화 , 문광진 , 최길현 , 이상우 , 김정태 , 이장희
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76862 , H01L28/60
摘要： 매끄러운 표면(Smooth Surface)을 갖는 타이타늄 나이트라이드 막의 형성방법들 및 이를 이용한 반도체 장치의 형성방법들을 제공한다. 상기 형성방법들은 타이타늄 나이트라이드 막의 표면을 매끄럽게 형성해서 이를 반도체 개별 소자들에 적용할 수 있는 방안을 제공해준다. 이를 위해서, 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성한다. 상기 층간절연막을 갖는 반도체 기판을 증착 장비의 공정 챔버 내 안착시킨다. 상기 증착 장비의 공정 챔버에 금속 소스 및 질소 소스를 유입시킨다. 상기 질소 소스 및 금속 소스를 반응시켜서 층간절연막을 덮는 타이타늄 나이트라이드 막을 형성한다. 이때에, 상기 금속 소스 대 질소 소스의 비는 공정 챔버 내에서 1 이상이 되도록 형성한다.
금속 소스, 질소 소스, 타이타늄 나이트라이드 막, 공정 챔버, 증착 장비.

53. 发明公开

KR1020060012784A 반도체 메모리 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020060012784A
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：KR1020040061424
申请日：2004-08-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문광진 , 최길현 , 이상우 , 박재화
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L21/76889 , H01L21/28518 , H01L21/32137 , H01L27/10852 , H01L28/91 , H01L28/92
摘要： 미세한 셀 면적에 형성되는 실린더형 하부 전극을 가지는 반도체 메모리 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 도전 영역을 가지는 반도체 기판상에 개구부를 가지는 몰드 패턴을 형성한다. 개구부 내에 상기 도전 영역을 덮는 제1 금속막을 형성한다. 도전 영역을 덮는 제1 금속막을 실리사이드화하여 도전 영역 표면에 금속 실리사이드막을 형성한다. 제1 금속막 중 실리사이드화되지 않고 남은 부분을 건식 식각 방법에 의하여 제거한다. 개구부 내에 제2 금속막을 형성하여 실린더형 하부 전극을 형성한다.
OCS, 하부 전극, Ti, 실리사이드, TiN, 건식, 인시튜, 몰드 패턴

54. 发明公开

KR1020040048612A 코발트막의 형성 방법 无效
标题翻译：形成钴层的方法
公开(公告)号：KR1020040048612A
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：KR1020020076530
申请日：2002-12-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최길현 , 강상범 , 문광진
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: A method for forming a cobalt layer is provided to deposit a pure cobalt layer by removing a native oxide layer and the oxygen and carbon contained in a cobalt-metal organic source using the first and second radical treatment. CONSTITUTION: A silicon substrate is loaded in a reaction chamber. The first radical treatment is carried out on the silicon substrate. A cobalt-metal organic source layer is deposited on the silicon substrate by supplying a cobalt-metal organic source to the reaction chamber. The second radical treatment is carried out on the resultant structure for forming a cobalt layer on the silicon substrate. Preferably, the first radical treatment is carried out by using one selected from a group consisting of hydrogen and fluorine radical. Preferably, the second radical treatment is carried out by using hydrogen radicals.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成钴层的方法，通过使用第一次和第二次自由基处理除去天然氧化物层和包含在钴 - 金属有机源中的氧和碳来沉积纯钴层。构成：将硅衬底装入反应室。在硅衬底上进行第一次自由基处理。通过向反应室供应钴 - 金属有机源，在硅衬底上沉积钴 - 金属有机源层。对所得到的在硅衬底上形成钴层的结构进行第二根处理。优选地，通过使用选自氢和氟自由基的一种来进行第一次自由基处理。优选地，通过使用氢自由基进行第二自由基处理。

55. 发明公开

KR1020030042908A 오믹 콘택층을 구비한 콘택플러그 형성 방법 无效
标题翻译：形成具有OHMIC接触层的接触片的方法
公开(公告)号：KR1020030042908A
公开(公告)日：2003-06-02
申请号：KR1020010073739
申请日：2001-11-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문광진 , 이명범 , 박희숙 , 박성건
IPC分类号： H01L21/283
摘要： PURPOSE: A method for forming a contact plug having an ohmic contact layer is provided to reduce the contamination due to byproducts of TiClx and a contact resistance by reducing the remaining Cl from the byproducts of TiClx and a titanium silicide layer. CONSTITUTION: An insulating layer pattern(220) is formed on a semiconductor substrate(200) in order to define a contact hole for exposing an active region(210) of the semiconductor substrate. A titanium layer(240) is formed on the insulating layer pattern in order to form a titanium silicide layer(240a) as an ohmic contact layer on the active region. A hydrogen plasma process for the resultant is performed. A nitration process for the resultant is performed to form a titanium nitride layer(240b). A conductive material(260) is deposited on the resultant including the titanium nitride layer in order to bury the contact hole. A surface of the insulating layer pattern is exposed by planarizing a surface of the resultant.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成具有欧姆接触层的接触塞的方法，以通过从TiCl x和硅化钛层的副产物中还原剩余的Cl来减少由于TiCl x的副产物引起的污染和接触电阻。构成：为了限定用于暴露半导体衬底的有源区（210）的接触孔，在半导体衬底（200）上形成绝缘层图案（220）。在绝缘层图案上形成钛层（240），以在活性区域上形成作为欧姆接触层的硅化钛层（240a）。对所得物进行氢等离子体处理。进行所得的硝化处理以形成氮化钛层（240b）。导电材料（260）沉积在包含氮化钛层的结果上，以便埋入接触孔。通过使所得物的表面平坦化，使绝缘层图案的表面露出。

56. 发明公开

KR1020010036682A 전기도금법을 이용한 금속막 형성방법 无效
标题翻译：使用电镀形成金属膜的方法
公开(公告)号：KR1020010036682A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990043791
申请日：1999-10-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박병률 , 이명범 , 문광진
IPC分类号： H01L21/24
摘要： PURPOSE: A metal film forming method by using electroplating is provided to prevent voids within a contact hole by restricting seed layer from being melted by electrolyte. CONSTITUTION: An insulating film(24) is formed on a substrate(22). The insulating film(24) is etched to form a contact hole exposing a portion of the semiconductor substrate(22). TaN is deposited through CVD on the substrate(22) including the contact hole to form a barrier layer(26). A thin copper film is deposited on the barrier layer through PVD or CVD to form a seed layer(28). The substrate is loaded into a chamber, and current is applied between an anode and a cathode. The substrate is immerged into an electrolyte. A copper film(30) is deposited on the seed layer(28). Applying current is stopped and the substrate(22) is taken out of the electrolyte and unloaded from the chamber.
摘要翻译：目的：提供通过使用电镀的金属成膜方法，以通过限制种子层不被电解质熔化来防止接触孔内的空隙。构成：在基板（22）上形成绝缘膜（24）。蚀刻绝缘膜（24）以形成暴露半导体衬底（22）的一部分的接触孔。 TaN通过CVD沉积在包括接触孔的衬底（22）上以形成阻挡层（26）。通过PVD或CVD将薄的铜膜沉积在阻挡层上以形成种子层（28）。将基板装载到室中，并且在阳极和阴极之间施加电流。将基底浸入电解质中。在种子层（28）上沉积铜膜（30）。停止施加电流，将基板（22）从电解液中取出并从室中卸载。

57. 发明授权

KR102142366B1 반도체 집적 회로 소자 및 그 제조 방법, 반도체 패키지 有权
公开(公告)号：KR102142366B1
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：KR1020130138452
申请日：2013-11-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문광진 , 박병률 , 박재화
IPC分类号： H01L23/48

58. 发明授权

KR102114340B1 ＴＳＶ 구조 및 디커플링 커패시터를 구비한 집적회로 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102114340B1
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：KR1020130088248
申请日：2013-07-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박재화 , 강성희 , 문광진 , 박병률 , 방석철
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/64

59. 发明授权

KR101959284B1 반도체 장치 및 그 형성방법 有权
公开(公告)号：KR101959284B1
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：KR1020110121048
申请日：2011-11-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이도선 , 최길현 , 박병률 , 방석철 , 문광진 , 박건상 , 손성민
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/48

60. 发明授权

KR101828490B1 관통전극을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101828490B1
公开(公告)日：2018-02-12
申请号：KR1020110086935
申请日：2011-08-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 방석철 , 최길현 , 박병률 , 문광진 , 정덕영 , 이도선
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/7682 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 본발명은관통전극을갖는반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 상면과그 반대면인하면을갖는기판을제공하고, 상기기판의상면으로부터상기기판의하면을향해연장된홀과갭을형성하되상기갭은상기홀의주위를둘러싸며상기홀에비해얕은깊이로형성하고, 상기홀을절연체로매립하고, 상기기판의상면상에상기절연체를덮는금속배선을형성하고, 상기기판의하면을 1차리세스하여상기절연체를노출시키고, 상기절연체를제거하여상기홀을통해상기금속배선을노출시키고, 상기홀을전도체로매립하여상기금속배선과연결된관통전극을형성하고, 상기기판의하면을 2차리세스하여상기갭을노출시키고, 그리고상기기판의하면을덮는하부절연막을형성하는것을포함할수 있다.

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