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41. 发明授权

KR101039226B1 프로그래밍가능 진단 메모리 모듈 失效
公开(公告)号：KR101039226B1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：KR1020107003434
申请日：2008-07-21
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 케이시즈,모이세스 , 팸,남,휴 , 아라우조,다니엘,엔드 , 머트너리,바이라프,머르씨 , 드레프스,다니엘,마르크
IPC分类号： G06F11/273 , G11C29/56
CPC分类号： G06F11/2733 , G11C5/04 , G11C29/02 , G11C29/022 , G11C29/16 , G11C29/56 , G11C2029/5602
摘要： 프로그래밍가능 진단 메모리 모듈은 메모리 제어기 및 메모리 서브시스템 설계의 개선된 테스트 능력을 제공한다. 프로그래밍가능 진단 메모리 모듈은 외부 진단 시스템과 통신하는 인터페이스를 포함하고, 인터페이스는 메모리 모듈의 각종 행동을 변경하기 위해 커맨드들을 메모리 모듈에 전송하는데 사용된다. 변경된 행동은 오류를 시뮬레이팅하기 위해 메모리 모듈에 기록된 데이터 스트림을 변경하는 동작, 메모리 모듈 신호의 타이밍 및/또는 부하를 변경하는 동작, 메모리 모듈 내의 프로세서 코어에 의한 실행을 위한 프로그램을 다운로드하는 동작, 메모리 모듈의 출력 신호의 구동기 세기를 변화시키는 동작, 및 아날로그 영역에서, 메모리 모듈에 대한 전원공급 연결 상에 노이즈를 투입하는 것과 같은 메모리 모듈의 단자들에 있는 신호를 처리하는 동작일 수 있다. 메모리 모듈은 다수의 선택가능 메모리 모듈 타입들을 애뮬레이팅할 수 있고, 표준 메모리 모듈 동작을 제공하기 위해 완전한 스토리지 어레이를 포함할 수 있다.

42. 发明公开

KR1020110014658A 패턴 발생기 및 이를 이용한 메모리 시험 장치 有权
标题翻译：图案发生器和使用其的存储器测试装置
公开(公告)号：KR1020110014658A
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：KR1020107028625
申请日：2008-05-21
申请人： 가부시키가이샤 어드밴티스트
发明人： 야수이,타카히로
IPC分类号： G11C29/10 , G11C29/18 , G11C29/56
CPC分类号： G11C29/56 , G11C29/56004
摘要： 어드레스 연산 회로(10)는 피시험 메모리의 액세스처를 나타내는 로우 어드레스(ADRS_ROW)를 생성한다. 로우 어드레스용 메모리(12)는 어드레스 연산 회로(10)에 의해 생성된 로우 어드레스(ADRS_ROW)를 뱅크별로 기억한다. 피시험 메모리에 인가하는 뱅크 어드레스(BA)를 포함하고, 패턴 프로그램에 의해 생성되는 메모리 제어 신호(MCNT)를, 로우 어드레스용 메모리(12)에 로우 어드레스를 입력할 때의 세이브 어드레스(sa), 및 로우 어드레스용 메모리(12)로부터 로우 어드레스를 독출할 때의 로드 어드레스(la)로서 이용한다.

43. 发明公开

KR1020100114697A 스토리지 테스터 및 ＳＳＤ 디바이스 有权
标题翻译：存储测试仪和固态驱动器件
公开(公告)号：KR1020100114697A
公开(公告)日：2010-10-26
申请号：KR1020090033206
申请日：2009-04-16
申请人： (주) 제노맥스
发明人： 장영균 , 노건호 , 옹문발 , 이성현
IPC分类号： G11C29/56 , G01R31/3183 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G11C29/56 , G11C29/56004 , G11C2029/5602
摘要： PURPOSE: The storage tester and SSD device embody the tester for testing SSD and all kinds of the storages as the one-chip. Independently, each storage and SSD(Solid State Drive) are tested. CONSTITUTION: The storage interface unit(210) keeps interface with the storage. The user interface(220) is input the test condition for the test of the storage from user. The generation of test pattern part(230) is created the test pattern for the test of the storage. The test controller(240) controls the test of the storage through the test pattern.
摘要翻译：目的：存储测试仪和SSD设备体现了测试SSD和各种存储器作为单片机。独立地，测试每个存储和SSD（固态硬盘）。构成：存储接口单元（210）保持与存储器的接口。用户界面（220）输入用户测试存储的测试条件。生成测试图案部分（230）创建用于存储测试的测试图案。测试控制器（240）通过测试模式控制存储器的测试。

44. 发明公开

KR1020100049646A 시험 장치 및 시험 방법 失效
标题翻译：测试设备和测试方法
公开(公告)号：KR1020100049646A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：KR1020107005211
申请日：2007-10-09
申请人： 가부시키가이샤 어드밴티스트
发明人： 후지사키,켄이치
IPC分类号： G11C29/56 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G11C29/56 , G11C29/56008 , G11C2029/5606
摘要： A test device has a fail memory (AFM) for storing the fail information correspondingly to each address of a memory under test and a mark memory (CMM) for storing identification information for identifying whether the fail information stored in the AFM is valid for each address. If reading out identification information indicating that an address to be tested is invalid from the CMM, the test device overwrites the fail information in the AFM with new fail information generated by the test and, if reading out identification information indicating that the address to be tested is valid from the CMM, updates the fail information in the AFM with the newly generated fail information and writes it back to the AFM. If the fail information in the AFM is overwritten, the identification information taking that the fail information is valid is written to the CMM. If the AFM is initialized, information different from the identification information taking that the fail information is valid before the initialization is set as the identification information taking that the fail information is valid after the initialization.
摘要翻译：测试设备具有用于存储与被测存储器的每个地址相对应的故障信息的故障存储器（AFM）和用于存储用于识别存储在AFM中的故障信息是否对每个地址有效的标识信息的标记存储器（CMM）。如果从CMM读出指示被测试地址无效的识别信息，则测试设备用由测试产生的新故障信息覆盖AFM中的故障信息，并且如果读出指示要测试的地址的标识信息从CMM有效，使用新生成的故障信息更新AFM中的故障信息，并将其写回AFM。如果AFM中的故障信息被覆盖，则将失败信息有效的识别信息写入CMM。如果AFM被初始化，则在初始化之前将故障信息有效的识别信息的信息设置为在初始化之后失败信息有效的识别信息。

45. 发明公开

KR1020100016077A ＳＲＡＭ 메모리 셀의 평가 방법 및 ＳＲＡＭ 메모리 셀의 평가 프로그램을 컴퓨터가 판독 가능하게 기록한 기록 매체 有权
标题翻译：用于评估SRAM存储器单元的方法和SRAM存储器单元计算机的中等记录评估程序READABLY
公开(公告)号：KR1020100016077A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020097022739
申请日：2008-03-10
申请人： 고쿠리츠 다이가쿠 호진 큐슈 코교 다이가쿠
发明人： 나까무라,가즈유끼 , 고이께,히로끼
IPC分类号： G11C11/413 , G11C29/56
CPC分类号： G11C29/50 , G11C11/41 , G11C2029/5002
摘要： A method for evaluating an SRAM memory cell in which the time required for designing an SRAM memory cell can be shortened by evaluating static noise margin in a shorter time. A medium recording an evaluation program is also provided. Coordinate conversion is performed to rotate the coordinate axis by 45 degree for the I/O characteristics data of the first inverter of an SRAM memory cell, and a first proximity curve function is specified by fitting to a proximity curve. Coordinate conversion is performed to rotate the coordinate axis by 45 degree for the I/O characteristics data of the second inverter of the SRAM memory cell, and a second proximity curve function is specified by fitting to a proximity curve. A third proximity curve function is specified by mirror inverting the second proximity curve function for the Y axis and static noise margin is specified from the difference curve function of the first proximity curve function and the third proximity curve function.
摘要翻译：通过在较短时间内评估静态噪声容限，可以缩短设计SRAM存储单元所需的时间的SRAM存储单元的评估方法。还提供了记录评估程序的介质。执行坐标转换以将SRAM坐标轴旋转45度用于SRAM存储单元的第一反相器的I / O特性数据，并且通过拟合到接近曲线来指定第一接近曲线函数。执行坐标转换以将SRAM坐标轴旋转45度用于SRAM存储单元的第二反相器的I / O特性数据，并且通过拟合到接近曲线来指定第二接近曲线函数。通过镜像反转Y轴的第二接近曲线函数来指定第三接近曲线函数，并且根据第一接近曲线函数和第三接近曲线函数的差分曲线函数指定静态噪声容限。

46. 发明授权

KR100936057B1 외장형 메모리 카드용 실장검사 장치 有权
标题翻译：外置存储卡安装测试装置
公开(公告)号：KR100936057B1
公开(公告)日：2010-01-08
申请号：KR1020080062952
申请日：2008-06-30
申请人： (주)이엔티
发明人： 백승호 , 이윤진
IPC分类号： G11C29/56 , G01R31/26 , H01L21/66
摘要： 외장형 메모리 카드용 실장검사 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 외장형 메모리 카드용 실장검사 장치는, 외장형 메모리 카드(200)의 상부에서 인가되는 소정의 압력에 의하여 외장형 메모리 카드(200)를 메모리 카드 소켓(300)에 장착하여 외장형 메모리 카드(200)의 성능 검사를 수행하는 검사장치로서, 메모리 카드 소켓(300)은 외장형 메모리 카드(200)의 복수개의 제1 핀(210)에 대응하는 복수개의 제2 핀(310)을 포함하고, 메모리 카드 소켓(300)에 외장형 메모리 카드(200)의 장착 여부를 임의의 제1 핀(211)과 이에 대응하는 임의의 제2 핀(311a, 311b)의 접촉 여부에 따라 판단하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 외장형 메모리 카드(200)의 상부에서 소정의 압력을 인가하여 실장검사 장치(10)의 메모리 카드 소켓(300)에 외장형 메모리 카드(200)를 장착하는 방식을 취함으로써 SD 어댑터를 사용하지 않아도 용이하게 외장형 메모리 카드의 실장검사를 수행할 수 있다.
외장형 메모리 카드, 실장검사 장치, 메모리 카드 소켓

47. 发明公开

KR1020100002898A 외장형 메모리 카드용 실장검사 장치 有权
标题翻译：用于外部存储卡的安装测试设备
公开(公告)号：KR1020100002898A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062952
申请日：2008-06-30
申请人： (주)이엔티
发明人： 백승호 , 이윤진
IPC分类号： G11C29/56 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G11C29/56 , G11C2029/5602 , H05K5/0286
摘要： PURPOSE: A mounted testing a device for an external memory card is provided to improve the reliability of an mounting inspection by contacting a micro-SD card and a NAND pin. CONSTITUTION: An external memory card(200) is installed in a memory card socket(300). The memory card socket comprises a plurality of second pins which correspond to a plurality of first pins of the external memory card. The mounted state of the external memory card in the memory card socket is determined by a contact state of the first and second arbitrary pin. The memory card socket comprises a plurality of fourth pins which correspond to a plurality of third pins of the external memory card. The second pin comprises a pair of first and second ejection pins. The height of the first ejection pin is lower than that of the second ejection pin.
摘要翻译：目的：安装测试外部存储卡的设备，以通过接触micro-SD卡和NAND引脚来提高安装检查的可靠性。构成：外部存储卡（200）安装在存储卡插槽（300）中。存储卡插座包括对应于外部存储卡的多个第一引脚的多个第二引脚。存储卡插槽中的外部存储卡的安装状态由第一和第二任意引脚的接触状态决定。存储卡插座包括对应于外部存储卡的多个第三引脚的多个第四引脚。第二销包括一对第一和第二排出销。第一排出销的高度低于第二排出销的高度。

48. 发明授权

KR100755021B1 메모리 모듈의 전자적 테스트 방법 失效
标题翻译：电子测试内存模块的方法
公开(公告)号：KR100755021B1
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：KR1020030017691
申请日：2003-03-21
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 아들러프랑크 , 푀르스테마르쿠스 , 티엘레프랑크
IPC分类号： G11C29/56 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G11C29/56 , G11C2029/1208 , G11C2029/5604 , G11C2029/5606
摘要： 메모리 모듈을 전자적으로 테스트하기 위한 본 발명에 따른 방법에서 테스트될 메모리 모듈은 테스트 컴퓨터 시스템에 접속된다. 그 다음에, 컴퓨터 시스템 구성 파일 및 테스트될 메모리 모듈에 대한 테스트 정보가 컴퓨터 시스템에 전자적으로 입력된다. 그리고 나서, 메모리 모듈이 적어도 하나의 기능 테스트의 테스트 단계의 단계적인 자동 처리에 의해 전자적으로 테스트된다. 테스트 결과는 단계적으로 적어도 하나의 결과 파일에 전자적으로 저장되고 자동으로 평가된다. 에러 정보는 적어도 하나의 통계 파일에 전자적으로 저장되고 출력된다.

49. 发明公开

KR1020030076429A 메모리 모듈의 전자적 테스트 방법 失效
标题翻译：内存模块的电子测试方法
公开(公告)号：KR1020030076429A
公开(公告)日：2003-09-26
申请号：KR1020030017691
申请日：2003-03-21
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 아들러프랑크 , 푀르스테마르쿠스 , 티엘레프랑크
IPC分类号： G11C29/56 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G11C29/56 , G11C2029/1208 , G11C2029/5604 , G11C2029/5606
摘要： 메모리 모듈을 전자적으로 테스트하기 위한 본 발명에 따른 방법에서 테스트될 메모리 모듈은 테스트 컴퓨터 시스템에 접속된다. 그 다음에, 컴퓨터 시스템 구성 파일 및 테스트될 메모리 모듈에 대한 테스트 정보가 컴퓨터 시스템에 전자적으로 입력된다. 그리고 나서, 메모리 모듈이 적어도 하나의 기능 테스트의 테스트 단계의 단계적인 자동 처리에 의해 전자적으로 테스트된다. 테스트 결과는 단계적으로 적어도 하나의 결과 파일에 전자적으로 저장되고 자동으로 평가된다. 에러 정보는 적어도 하나의 통계 파일에 전자적으로 저장되고 출력된다.

50. 发明公开

KR1019910012741A 반도체 소자의 전기적 검사 방법 失效
标题翻译：半导体器件的电气检查
公开(公告)号：KR1019910012741A
公开(公告)日：1991-08-08
申请号：KR1019890019054
申请日：1989-12-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김관우
IPC分类号： G11C29/56 , G11C29/48 , G01R31/26
摘要： 내용 없음

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