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41. 发明授权

KR100228623B1 내용 주소화 메모리 失效
标题翻译：内容可寻址内存
公开(公告)号：KR100228623B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019910008893
申请日：1991-05-30
申请人： 에스티 마이크로일렉트로닉스, 인코포레이티드
发明人： 마아크에이.라이싱거
IPC分类号： G11C15/00
摘要： 본 발명의 내용 주소화 메모리는 다수의 엔트리들을 가지는 메모리 어레이를 포함한다. 제어 회로는 상기 어레이의 각 엔트리를 비교기에 연속적으로 출현시키기 위해 제공된다. 입력 신호도 또한 상기 비교기에 제공된다. 입력 신호를 정합하는 엔트리들은 나중의 사용을 위해 식별된다. 상기 입력 신호는 마스크 될 수 있어, 각 엔트리의 단지 선택된 항목들만이 입력신호에 비교된다. 일반적인 RAM 기술은 상기 메모리 어레이를 위하여 사용될 수 있다. 선택적으로, 전하 결합 소자에서 형성된 어레이와 같은 직렬 메모리 어레이가 사용될 수 있다.

42. 发明公开

KR1019990040860A 연상 메모리 셀들을 갖는 반도체 메모리 장치 및그 장치의 탐색 방법 失效
公开(公告)号：KR1019990040860A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970061350
申请日：1997-11-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이광진
IPC分类号： G11C15/00
摘要： 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 연상 메모리 셀을 갖는 반도체 메모리 장치의 데이터 탐색 방법에 관한 것으로서, 복수 개의 연상 메모리 셀을 구비하는 연상 메모리 셀 어레이와 랜덤 억세스 메모리 셀을 갖고, 상기 연상 메모리 셀을 통해 랜덤 억세스 메모리 셀에 저장된 데이터와 외부로부터 인가되는 탐색 데이터를 비교하여 매치 여부를 판단하는 방법에 있어서, 비교되는 탐색 데이터와 랜덤 억세스 메모리 셀에 저장된 데이터가 전달되는 매치 라인을 프리챠지하는 단계와; 비트 라인을 프리챠지하는 단계와; 비트 라인에 탐색 데이터를 입력하는 단계와; 상기 탐색 데이터를 비트 라인을 통해 입력받는 단계와; 상기 탐색 데이터와 랜덤 억세스 메모리 셀에 저장된 데이터를 비교하여 출력하는 단계를 포함한다. 이와 같은 방법에 의해서, 매치 라인이 프리챠지하는 구간에서 탐색 데이터가 들어와도 안정적인 탐색 동작을 수행하고, 매치 라인으로 인해 전류 소모 양도 줄일 수 있다.

43. 发明公开

KR1019990029488A 컨텐트주소지정가능메모리 失效
公开(公告)号：KR1019990029488A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980036256
申请日：1998-09-03
申请人： 노오텔 네트웍스 리미티드
发明人： 슐츠케네스제임스 , 샤파이파하드 , 깁슨가넷프레데릭랜달
IPC分类号： G11C15/00
摘要： 본 발명의 내용 번지화 기억 장치는, 워드 매치 논리를 국부화시키기 위해, 워드 슬라이스 구조, 및 기억 장치 입력/출력 회로와 복수의 워드 슬라이스 사이에서 데이타를 반송시키는 공용 데이타 버스를 채용하고 있다. 타이밍 정보는 모델 공용 데이타 신호의 형태로 공용 데이타 버스 내에 제공된다. 이 신호는 기억 장치를 자기 타이밍시키는 2개의 주 제어 신호와 상호작용한다. 모든 가능한 기억 장치 상태가 유일하게 표현되지만, 기억 장치가 무효 또는 회복할 수 없는 상태에서 파워업할 수 없도록 다수의 주 제어 신호가 존재한다. 3개의 모델 타이밍 경로가 실제 동작, 즉 판독, 기입, 및 탐색 각각을 위한 동작의 지연과 자기 타이밍 루프의 지연을 매치시키는데 사용된다.

44. 发明公开

KR1019980702846A 반도체 집적회로 失效
公开(公告)号：KR1019980702846A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019970706253
申请日：1996-03-18
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 히구치히사유키 , 다치바나스구루 , 이시바시고이치로 , 우에하라게이지로
IPC分类号： G11C15/00
摘要： 반도체 집적회로에 관한 것으로서, 풀어소시에이티브방식의 TLB를 사용해서 고속이고 저소비전력의 고속데이타 일치검출회로 및 그것을 사용한 TLB를 제공하기 위한 것으로서, 반도체 집적회로가 입력된 다비트의 데이타신호와 기억된 데이타를 비교하고 일치일 때 비도통, 불일치일 때 도통으로 되고 비교하는 입력신호의 수와 동일 갯수의 전계효과형 트랜지스터, 이 전계효과형 트랜지스터의 드레인이 병렬로 접속되고 또한 소오스가 소정전위를 공급하고 병렬로 접속되고 또한 적어도 데이타신호와 데이타가 비교가 실행되는 기간에는 전류가 공급되는 일치검출 신호선을 갖는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해, 연상메모리의 일치신호 검출신호선으로 소정의 전류를 공급해서 신호선의 전위의 변화를 조사하여 데이타의 일치/불일치를 검출하는 것에 의해 검출회로의 동작을 고속화하고 또 회로를 간단화할 수 있으며, 또한 시간적으로 또 공간적으로 전력을 집중적으로 공급하여 고속동작을 손상시키는 일 없이 저소비 전력화를 달성할 수 있다는 효과가 얻어진다.

45. 发明授权

KR1019970004068B1 집적메모리회로 失效
标题翻译：集成存储器电路
公开(公告)号：KR1019970004068B1
公开(公告)日：1997-03-24
申请号：KR1019890012192
申请日：1989-08-26
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 유도쿠스아키아누스마리아람베르스 , 리챠드챨스포스 , 뢸로프헤르만빌렘살테르스
IPC分类号： G11C15/00
CPC分类号： G11C7/1006
摘要： 없음

46. 发明公开

KR1019910005311A 극성 프로그램어블 회로 失效
公开(公告)号：KR1019910005311A
公开(公告)日：1991-03-30
申请号：KR1019890012537
申请日：1989-08-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황보준식 , 최정달
IPC分类号： G11C15/00
摘要： 내용 없음

47. 发明公开

KR1019890013654A 반도체 집적회로 장치 无效
公开(公告)号：KR1019890013654A
公开(公告)日：1989-09-25
申请号：KR1019890001695
申请日：1989-02-14
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 사또가쯔유끼 , 나까자또신지 , 후나끼쥰 , 야마무라마사히로
IPC分类号： G06F12/08 , G11C15/00
摘要： 내용 없음.

48. 发明授权

KR102367338B1 TCAM 장치 및 그것의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102367338B1
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：KR1020170116124
申请日：2017-09-11
IPC分类号： G11C15/00 , G06F16/00
摘要： 본발명의실시예에따른 TCAM(Ternary Content Addressable Memory) 장치는메모리셀을포함할수 있다. 메모리셀은데이터저장회로, 리미터회로, 그리고디스차지회로를포함할수 있다. 메모리셀은셀 데이터를저장하기위해프로그램되고, 검색데이터에따른검색전압을전압분배하는직렬연결된제 1 저항및 제 2 저항을포함할수 있다. 리미터회로는분배된전압의레벨에따라, 입력단으로제공된분배된전압을출력단으로전달할수 있다. 디스차지회로는리미터회로의출력단의전압에따라, 저장된셀 데이터가검색데이터와매치(match)되는지여부를나타내는매칭라인을디스차지(discharge)할수 있다.

49. 发明公开

KR20180011016A 멤리스터 기반 내용 지정 메모리 审中-公开
标题翻译：基于MEMRISTOR的内容可寻址内存
公开(公告)号：KR20180011016A
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR20170092234
申请日：2017-07-20
IPC分类号： G11C15/00 , G06F17/30 , G11C11/16
CPC分类号： G11C15/046 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C15/04
摘要： 예시적인내용어드레스지정가능메모리. 메모리의비트셀은제 1 데이터라인과제 2 데이터라인사이에서직렬로연결된멤리스터및 스위칭트랜지스터를포함할수 있다. 또한, 비트셀은매치라인과레일사이에연결된매치라인트랜지스터를포함할수 있다. 매치라인트랜지스터의게이트는멤리스터및 스위칭트랜지스터의공통노드에연결될수 있다. 스위칭트랜지스터는, 온일때의채널저항값이멤리스터의저저항상태와연관된저항값과멤리스터의고저항상태와연관된저항값사이에있도록크기가정해질수 있다.
摘要翻译：示例内容可寻址内存。存储器的位单元可以包括串联连接在第一数据线和第二数据线之间的忆阻器和开关晶体管。位单元还可以包括连接在匹配线和轨道之间的匹配线晶体管。匹配线晶体管的栅极可以连接到忆阻器和开关晶体管的公共节点。开关晶体管的大小可以使得其导通时的沟道电阻在与忆阻器的低电阻状态相关的电阻和与忆阻器的高电阻状态相关的电阻之间。

50. 发明授权

KR101557883B1 터너리 컨텐츠 어드레스가능 메모리(TCAM)를 위한 정적 NAND 셀 有权
标题翻译：用于三元内容可寻址存储器TCAM的TCAM NAND非易失性存储器
公开(公告)号：KR101557883B1
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020157020112
申请日：2013-12-20
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 테르지오글루,에신 , 데사이,니시쓰 , 바티콘다,라케쉬 , 중,창호 , 윤,세이승
IPC分类号： G11C15/04 , G11C15/00
CPC分类号： G11C15/04 , G11C15/00 , G11C15/043 , G11C15/046
摘要： 정적터너리컨텐츠어드레스가능메모리(TCAM)는, 개재매치라인들에커플링되는키 셀및 마스크셀을포함한다. 키셀은제 1 풀-다운트랜지스터및 제 1 풀-업트랜지스터에커플링된다. 마스크셀은제 2 풀-다운트랜지스터및 제 2 풀-업트랜지스터에커플링된다. 제 1 풀-다운트랜지스터및 제 2 풀-다운트랜지스터는병렬로접속되고, 제 1 풀-업트랜지스터및 제 2 풀-업트랜지스터는직렬로접속된다. 또한, 매치라인출력은, 제 1 풀-다운트랜지스터및 제 2 풀-다운트랜지스터에커플링되고, 제 1 풀-업트랜지스터및 제 2 풀-업트랜지스터에추가적으로커플링된다.

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