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    • 49. 发明公开
    • 나노튜브들을 증착시키기 위한 디바이스
    • 用于沉积纳米颗粒的装置
    • KR1020160135343A
    • 2016-11-25
    • KR1020167029330
    • 2015-03-19
    • 아익스트론 에스이
    • 조래이,알렉산드레립핑턴,데이비드에릭테오,케네스비.케이.루페싱헤,나린엘.
    • C23C16/26C23C16/458C23C16/455C01B31/02C01B31/04C23C16/46
    • C23C16/26C01B32/16C01B32/186C23C16/45565C23C16/4587C23C16/46
    • 본발명은프로세스챔버하우징(19) 내에배치되는기판지지부(1)에의해지지되는기판(6) 상에, 탄소질(carbonaceous) 구조들, 예를들어, 나노튜브들또는그래핀형태의층들을증착시키기위한디바이스에관한것이고, 여기서, 프로세스가스는프로세싱챔버하우징(19) 내에배치된가스유입엘리먼트(24, 25)의가스배출개구들(39)을통해, 적어도하나의기판(6)으로의방향으로공급될수 있다. 본발명에따른기능적으로유리한수정으로서, 프로세스챔버하우징(19)은홀딩리세스들(holding recesses)(34, 35, 36, 37, 38)을가지는 2개의대향하는벽들(48, 48')을가진다. 적어도하나의플레이트-형상컴포넌트(24, 25, 26, 30, 31)는프로세스챔버하우징(19) 내에배치되고, 이플레이트-형상컴포넌트는각각이 2개의벽들(48, 48') 중하나의벽의홀딩리세스(34 내지 38)에개별적으로삽입되는서로등지는 2개의엣지부분들을가진다.
    • 本发明涉及一种用于沉积碳质结构的装置,例如在基板(6)上形成纳米管或石墨烯形式的层,该基板由布置在处理室壳体(19)中的基板支撑件(1)支撑,其中 处理气体可以通过设置在处理室壳体(19)中的气体入口元件(24,25)的气体出口(39)沿该方向被输送到至少一个基板(6)上。 作为功​​能上有利的修改,根据本发明,处理室壳体(19)具有两个具有保持凹部(34,35,36,37,38)的相对的壁(48,48')。 至少一个板状部件(24,25,26,30,31)设置在处理室壳体(19)中,该板状部件必须具有彼此远离的两个边缘部分,每个边缘部分分别插入 两个壁(48,48')中的一个的保持凹部(34至38)。