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31. 发明授权

KR100664985B1 질화물계 반도체 소자 有权
标题翻译：基于氮化物的半导体器件
公开(公告)号：KR100664985B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020040085789
申请日：2004-10-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김선운 , 조동현 , 김제원 , 이규한 , 오정탁 , 김동준
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/0213 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要： 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, n형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층 및 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 n형 질화물반도체층 사이에 형성되며 양자우물층과 양자장벽층을 갖는 활성층을 포함한 질화물 반도체 소자에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 서로 다른 조성을 갖는 제1 질화물반도체층과 제2 질화물반도체층이 적어도 2회 반복하여 형성된 전자방출층을 포함하고, 상기 제1 질화물반도체층은 상기 양자우물층보다 크고 상기 양자장벽층보다 작으며 상기 활성층에 가까울수록 작은 에너지밴드갭을 가지며, 상기 제2 질화물반도체층은 적어도 인접한 제1 질화물반도체층(들)의 에너지밴드갭보다 높은 에너지밴드갭을 가지며, 전자의 터널링이 가능한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
압전필드효과(piezoelectric field effect), 터널링(tunneling), 내부양자효율(internal quantum efficiency)

32. 发明公开

KR1020060043422A 반도체 레이저 소자 有权
标题翻译：半导体激光装置
公开(公告)号：KR1020060043422A
公开(公告)日：2006-05-15
申请号：KR1020050018228
申请日：2005-03-04
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 마쯔무라히로아끼 , 고따니야스히사
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/1017 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/12
摘要： 반도체 레이저에는, 기판(101)의 주면(主面) 상에 제1 도전형의 반도체층(200)과, 활성층(205)과, 제2 도전형의 반도체층(210)과, 제2 도전형의 반도체층(210)에서 스트라이프 모양의 영역에 전류를 협착함으로써 형성된 도파로 영역(10)과, 도파로 영역(10)에 대하여 대체로 수직인 단면에 설치된 공진면(20)이 구비되어 있다. 공진면(20)에 근접하는 영역에서, 도파로 영역(10)으로부터 이간하여, 제2 도전형의 반도체층(210)에 복수의 오목부(110)가 형성되어 있다.
반도체 레이저, 반도체층, 기판, 도파로 영역, 공진면, 오목부
摘要翻译：半导体激光器包括在基板101的主表面上的第一导电半导体层200，有源层205，第二导电半导体层210和第二导电半导体层。具有半导体层210，波导区10和谐振表面20通常设置在一个横截面垂直于通过收缩当前在露台的条纹形状的区域形成的波导区（10）。在波导区域10的靠近谐振面20的区域中，在第二导电类型半导体层210中形成多个凹部110。

33. 发明授权

KR100527349B1 질화물반도체소자 有权
公开(公告)号：KR100527349B1
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：KR1020057012686
申请日：1998-01-08
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 나가하마신이치 , 세노마사유키 , 나카무라슈지
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
摘要： 발광소자를 구비한 질화물반도체소자는 n도전형의 하나 또는 둘 이상의 질화물반도체층의 n형 영역과, p도전형의 하나 또는 둘 이상의 질화물반도체층으로 이루어진 p형 영역과 그리고 n형 영역과 p형 영역사이에 활성층을 구비한다. 상기 소자에 있어서, 상기 p도전형의 반도체 영역 또는 상기 n도전형의 반도체영역의 적어도 하나의 질화물반도체층은 각각 질화물반도체로 이루어지고 서로 조성이 다른 제1층과 제2층이 적층된 초격자층이다. 상기 초격자층 구조는 상기 질화물반도체소자의 작동 전류와 전압을 낮게 할 수 있으므로 질화물반도체소자의 전력효율을 높일 수 있다.

34. 发明公开

KR1020030064629A 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1020030064629A
公开(公告)日：2003-08-02
申请号：KR1020030004709
申请日：2003-01-24
申请人： 소니 주식회사
发明人： 다케야모토노부 , 아사노다케하루 , 이케다마사오
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/04 , H01S5/0213 , H01S5/2004 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 본 발명은, 질화물계 III-V족 화합물 반도체를 사용하고, n측 클래드층과 p측 클래드층 사이에 활성층을 개재하는 구조의 반도체 레이저와 같은 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 상기 p측 클래드층은 활성층으로부터 순차로 멀어지면서 적층되는 언도우프 또는 n형의 제 1 층(9) 및 p형의 제 2 층(12)으로 제조된다. 상기 제 1 층(9)은 최소 50 nm 의 두께를 갖는다. 상기 p형의 제 2 층(12)은 내부에 전자 차단층으로서 큰 밴드 갭을 갖는 p형의 제 3 층을 구비한다. 따라서 반도체 발광 소자는 동작 전압이 감소되는 한편, 양호한 광학 특성을 확보하는데 필요한 p측 클래드층의 두께를 유지한다.

35. 发明公开

KR1020000016589A 질화물반도체의성장방법및그를이용한질화물반도체기판및질화물반도체소자 有权
标题翻译：氮化物半导体生长方法，氮化物半导体衬底和氮化物半导体器件
公开(公告)号：KR1020000016589A
公开(公告)日：2000-03-25
申请号：KR1019980710185
申请日：1998-04-09
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 기요쿠히로유키 , 나카무라슈지 , 고자키도쿠야 , 이와사나루히토 , 초초가즈유키
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
摘要： PURPOSE: A method of growing a nitride semiconductor crystal having very few crystal defects and capable of being used as a substrate is provided. CONSTITUTION: The method comprises the step of forming a first selective growth mask equipped with a plurality of first windows for selectively exposing the surface of a support on the support having a main plane and including different kinds of substrates made of materials different from those of a nitride semiconductor, and the step of growing the nitride semiconductor, by using a gaseous Group III element source and a gaseous nitrogen source, until portions of the nitride semiconductor crystal growing in adjacent windows from the surface of the support exposed from the window join with one another on the upper surface of the selective growth mask.
摘要翻译：目的：提供一种生长具有非常少的晶体缺陷且能够用作衬底的氮化物半导体晶体的方法。构成：该方法包括形成配备有多个第一窗口的第一选择性生长掩模的步骤，用于选择性地将具有主平面的支撑体上的支撑体的表面暴露，并且包括由不同于氮化物半导体，以及通过使用气态III族元素源和气态氮源生长氮化物半导体的步骤，直到来自从窗户露出的支撑体的表面的相邻窗口中生长的氮化物半导体晶体的一部分与一个另一个在选择性生长掩模的上表面上。

36. 发明公开

KR1020140040106A 평형 변형의 레이저 다이오드 无效
标题翻译：应变平衡激光二极管
公开(公告)号：KR1020140040106A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020137020924
申请日：2012-02-02
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바트,라자람 , 시조브,드미트리서기비츠 , 자,청-은
IPC分类号： H01S5/32 , H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/3406 , H01S5/34333
摘要： 본원의 개념에 따라서, 레이저 다이오드 도파관 구성이 고려될 수 있는 바와 같이, 레이저의 도파관 층들에서의 Al 사용은 하나 이상의 광 구속 우물들(InGaN) 및 하나 이상의 해당 변형 보상 장벽들(Al(In)GaN)을 포함하는 InGaN/Al(In)GaN 도파 상부구조체의 형태로 존재하게 된다. 광 구속 우물들의 조성물이 강한 광 구속을 제공하되, 심지어 Al(In)GaN 변형 보상 장벽들의 존재에서도 제공하지만, 레이저 방출을 흡수하지 못하도록 선택된다. 변형 보상 장벽들의 조성물은 Al(In)GaN이 InGaN 광 구속 벽들의 압축 변형을 보상하는 인장 변형을 나타내지만, 광 구속을 저해하지 않도록 선택된다.

37. 发明授权

KR101361016B1 반도체 레이저, 반도체 장치의 제조 방법, 광 픽업, 및 광디스크 장치 有权
标题翻译：半导体激光器，制造半导体器件的方法，光学拾取器和光盘设备
公开(公告)号：KR101361016B1
公开(公告)日：2014-02-10
申请号：KR1020070042688
申请日：2007-05-02
申请人： 소니 주식회사
发明人： 구라모토마사루
IPC分类号： H01S5/30 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/065 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/2081 , H01S5/2231 , H01S5/3216 , H01S2304/04
摘要： 본 명세서에 개시된 반도체 레이저는, 제1 도전형의 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 위의 활성층; 상기 활성층 위의 포화가능한 흡수층; 및 상기 포화가능한 흡수층 위의 제2 도전형의 제2 클래드층을 포함하고, 적어도 상기 제2 클래드층에, 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 한 쌍의 홈(groove)이 형성되되 그 사이에 릿지 스트라이프(ridge stripe)가 형성되어 있다. 상기 반도체 레이저에서, 상기 홈의 바닥면에서 상기 활성층의 상부면까지의 거리는 105nm 이상이고, 상기 홈의 바닥면에서 상기 포화가능한 흡수층의 상부면까지의 거리는 100nm 이하이다.
반도체 레이저, 클래드층, 홈, 활성층, 흡수층, 릿지 스트라이프, 광 픽업, 광 디스크 장치, 반도체 장치, 제조

38. 发明公开

KR1020140007970A 반도체 디바이스 및 그 제조 방법과 반도체 디바이스를 포함하는 장치 无效
标题翻译：具有减少应力电子阻挡层的基于氮化镓的半导体器件
公开(公告)号：KR1020140007970A
公开(公告)日：2014-01-20
申请号：KR1020137034413
申请日：2007-07-17
申请人： 에이저 시스템즈 엘엘시
发明人： 프런드조셉마이클
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/2009 , H01S5/3201 , H01S5/3216
摘要： 본 발명에 따른 반도체 디바이스는 활성층(active layer)과, 클래딩층(cladding layer)을 포함한다. 전자 차단층은 적어도 부분적으로 활성층과 클래딩층 사이의 영역에 위치하며, 활성층으로부터 클래딩층 쪽으로의 전자의 흐름을 위한 전위 장벽을 형성하도록 구성된다. 전자 차단층은 주기율표의 Ⅲ족의 2개의 원소와 주기율표의 Ⅴ족의 원소를 포함한다. 주기율표의 Ⅲ족의 2개의 원소 중 하나는 활성층으로부터 클래딩층 쪽 방향으로 갈수록 농도가 점진적으로 증가하는 제 1 부분과 제 1 부분과 클래딩층 사이에서 농도가 점진적으로 감소하는 제 2 부분을 포함하는 농도 프로파일을 갖는다.

39. 发明公开

KR1020090094091A 반도체 디바이스 및 그 제조 방법과 반도체 디바이스를 포함하는 장치 无效
标题翻译：具有减少应力电子阻挡层的基于氮化镓的半导体器件
公开(公告)号：KR1020090094091A
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：KR1020097012066
申请日：2007-07-17
申请人： 에이저 시스템즈 엘엘시
发明人： 프런드조셉마이클
IPC分类号： H01S5/323 , H01L33/14
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/2009 , H01S5/3201 , H01S5/3216
摘要： A semiconductor device comprises an active layer (350) and a cladding layer (370). An electron blocking layer (380) is at least partially disposed in a region between the active layer and the cladding layer and is configured to form a potential barrier to a flow of electrons from the active layer toward the cladding layer. The electron blocking layer comprises two elements from Group m of the periodic table and an element from Group V of the periodic table. One of the two elements from Group III of the periodic table has a concentration profile with a first portion that gradually increases in concentration in a direction away from the active layer toward the cladding layer and a second portion that gradually decreases in concentration between the first portion and the cladding layer.
摘要翻译：半导体器件包括有源层（350）和覆层（370）。电子阻挡层（380）至少部分地设置在有源层和包覆层之间的区域中，并且被配置为形成从有源层朝向包层的电子流的势垒。电子阻挡层包括来自元素周期表的第m族元素和元素周期表第Ⅴ族元素的两个元素。周期表第III组的两个元素中的一个具有浓度分布，第一部分在远离有源层朝向包层的方向上逐渐增加浓度，第二部分在第一部分和包覆层。

40. 发明授权

KR100789028B1 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR100789028B1
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：KR1020060082170
申请日：2006-08-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다찌바나고이찌 , 혼고지에 , 나고하지메 , 누노우에신야
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
摘要： 반도체 장치는, 활성층, 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 활성층과 상기 제1 반도체층의 사이에 배치되며, 제1 도전형의 불순물로 도핑되고 전자 또는 정공의 오버플로를 방지하는 오버플로 방지층, 상기 활성층과 상기 오버플로 방지층의 사이, 및 상기 오버플로 방지층과 상기 제1 반도체층의 사이 중 적어도 한 곳에 배치되는 제1 도전형의 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 활성층의 사이에 배치되며, 상기 오버플로 방지층, 상기 제1 반도체층, 및 상기 제2 반도체층보다 작은 밴드갭을 갖고 제1 도전형의 불순물의 확산을 방지하는 불순물 확산 방지층을 포함한다.
불순물 확산 방지층, 활성층, 레이저 다이오드, GaN, 가이드층, 오버플로 방지층
摘要翻译：半导体装置，其被布置在有源层，第一半导体层，有源层和第一导电类型的第一半导体层之间的溢出，掺杂与由电子或空穴溢出防止第一导电类型的杂质层，所述有源层和所述阻挡层之间的溢出，以及第二半导体层，并且所述第一半导体层和所述第一导电类型的有源层和在溢出的层被布置在第一位置上方的所述半导体层之间的至少一个设置在之间，它包括溢出层，第一半导体层，并且所述第二型的杂质扩散层具有更小的带隙比所述半导体层，以防止所述第一导电类型的杂质的扩散。

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