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31. 发明公开

KR1020100109164A 조명 제어 모듈, 그것을 포함하는 회절 조명 시스템 및 포토리소그래피 시스템 无效
标题翻译：照明控制模块，衍射照明系统和包括它们的光刻系统
公开(公告)号：KR1020100109164A
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020090027623
申请日：2009-03-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심우석 , 전용진 , 이석주
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70108 , G03F7/70158 , G03F7/7055
摘要： PURPOSE: An illumination control module, a diffraction illumination system and a photolithography system including the same are provided to improve productivity in various photolithography processes by applying one diffraction lighting system to various photolithography process. CONSTITUTION: An illumination control module(100) comprises an upper lens(110) and a lower lens(120). The upper lens has a swollen ring shape. The lower lens has a concave ring shape. The absolute value of a focus distance of the lower lens is different to that of the upper lens. The circular constant of the lower lens is same as that of the upper lens. The horizontal width of the lower lens is smaller than the that of the upper lens. The upper lens and lower lens are independently moved up and down.
摘要翻译：目的：提供照明控制模块，衍射照明系统和包括其的光刻系统，以通过将一个衍射照明系统应用于各种光刻工艺来提高各种光刻工艺中的生产率。构成：照明控制模块（100）包括上透镜（110）和下透镜（120）。上透镜有一个肿胀的环形。下透镜具有凹环形状。下透镜的对焦距离的绝对值与上镜头的绝对值不同。下透镜的圆形常数与上透镜的圆形常数相同。下透镜的水平宽度小于上透镜的水平宽度。上透镜和下透镜独立上下移动。

32. 发明公开

KR1020070017597A 노광 장치 无效
标题翻译：露出装置
公开(公告)号：KR1020070017597A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020050072063
申请日：2005-08-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김종혁 , 김상민 , 심우석 , 성낙희 , 이중현 , 윤광섭
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 레티클을 비접촉 방식으로 고정할 수 있는 노광 장치는, 광원부, 광의 진행경로 상에 배치되며 전자기력으로 레티클을 고정하기 위한 전자석들이 구비된 레티클 스테이지, 레티클이 레티클 스테이지 내에 위치하도록 상방으로 가스를 분사하여 레티클을 부양하는 인젝터 및 레티클을 통과한 광의 진행경로 상에 기판이 위치하도록 기판을 지지하는 기판 스테이지를 포함한다. 이 경우, 레티클 스테이지에 배치된 레티클의 측면들과 상면 둘레에는 강자성체 물질이 코팅될 수 있다. 전자석들은 레티클의 수용 공간이 마련된 사각틀 형상으로 배치될 수 있으며, 각 전자석의 상단부는 레티클을 하방으로 가압하는 전자기력을 생성하기 위하여 예각으로 굴곡질 수 있다. 또한, 각 전자석의 둘레에는 전자석에 전류를 인가하기 위한 코일이 배치될 수 있다. 전자기력으로 레티클을 고정할 수 있어 레티클이 오염되거나 손상되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 결과적으로는, 기판 상에 레티클 패턴을 우수하게 노광할 수 있다.

33. 发明公开

KR1020060059443A 커패시터 제조 방법 및 이를 채용한 디램 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：制造电容器的方法和具有该电容器的DRAM器件
公开(公告)号：KR1020060059443A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098538
申请日：2004-11-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심우석 , 박영욱 , 이중현 , 윤광섭 , 김철호 , 박태진
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852
摘要： 커패시터 및 이를 갖는 디램 장치를 제조하는 방법에서, 커패시터를 형성하기 위하여 우선 기판 상에 콘택 플러그의 표면을 노출시키는 개구부를 갖는 몰드 막을 형성한다. 상기 개구부 측벽, 저면 및 몰드막의 상부면에 하부 전극용 금속막을 연속적으로 형성한다. 상기 개구부 내부를 채우는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 하부 전극용 금속막을 부분적으로 제거시켜 실린더형 하부 전극을 형성한다. 상기 몰드막 하부의 구조물들이 손상되는 것을 상기 포토레지스트 패턴에 의해 저지하면서 상기 몰드막을 선택적으로 제거한다. 상기 포토레지스트 패턴을 제거한다. 다음에, 상기 층간 절연막, 하부 전극 외벽, 내벽 및 내부 저면 상에 유전막을 형성한 후 상부 전극을 형성함으로서 커패시터를 완성한다. 상기 공정에 의하면, 커패시터의 하부 전극과 전기적으로 접속하는 콘택 플러그의 손상을 최소화할 수 있다.

34. 发明公开

KR1020060047051A 포토레지스트 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR1020060047051A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020040092873
申请日：2004-11-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심우석 , 이중현 , 윤광섭 , 이시형 , 성낙희
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 미세한 개구폭을 갖는 포토레지스트 패턴 형성 방법에서, 기판 상에 기 형성된 제1 포토레지스트 패턴 상에 케미컬(chemical)-물질막을 형성한다. 이어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴 및 케미컬-물질막이 가교 반응하도록 상기 케미컬-물질막을 블랭크 노광(blank exposure)하고 열처리하여 상기 제1 포토레지스트 패턴의 표면에 가교막(crosslinked layer)을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴, 가교막 및 케미컬-물질막을 린스(rinse)하여 상기 가교 반응에 관여하지 않은 상기 케미컬-물질막을 제거한다. 그리하여, 상기 기판 상에 상기 제1 포토레지스트 패턴 사이의 제1 개구의 폭 보다 작은 제2 개구의 폭을 상기 기판 상에 형성하는 제2 포토레지스트 패턴을 형성한다. 따라서, 패턴들 사이의 폭이 미세하고 프로파일이 우수한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

35. 发明公开

KR1020050122043A 산소 플라즈마 공정을 이용한 금속막 배선방법 无效
标题翻译：使用O2等离子体工艺的金属层接线方法
公开(公告)号：KR1020050122043A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：KR1020040047178
申请日：2004-06-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심우석
IPC分类号： H01L21/3205
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 도전 금속층 패턴 형성에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 도전 금속층 패턴 형성시 금속층 상에 반사 방지막을 형성하고, 상기 반사 방지막을 O2 플라즈마 처리하여 반사율을 일정하게 하는 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 반도체 소자 형성에 있어서, 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간 절연막 상에 도전 금속층을 형성하는 공정과, 상기 도전 금속층상에 반사 방지막을 형성하는 공정과, 상기 반사 방지막을 O2 플라즈마를 실시하여 반사율을 일정하게 유지하는 특성을 갖게하는 공정을 실시하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 반사 방지막층을 O2 플라즈마 처리함으로 반사율이 일정하게 되어 도전 금속층 패턴 형성시 일정한 금속 배선층을 형성 반도체 소자의 신뢰성을 향상 시킨다.

36. 发明公开

KR1020050068547A 포토리소그래피용 포토 마스크 无效
标题翻译：照相胶卷照相机
公开(公告)号：KR1020050068547A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030100088
申请日：2003-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유지용 , 심우석 , 성승원 , 윤형주
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명에서는 하나의 포토 마스크만으로 반도체 웨이퍼의 주변 영역과 셀 영역의 패터닝을 가능하게 하는 포토 마스크의 구조가 제시된다.
본원발명에 따른 포토리소그래피용 포토 마스크를 살펴보면, 수정 기판; 상기 수정 기판의 제1면에 형성되고, 반도체 웨이퍼의 주변 영역 패터닝에 이용되는 제1 패턴막; 및 상기 수정 기판의 제2면에 형성되고, 상기 반도체 웨이퍼의 셀 영역 패터닝에 이용되는 제2 패턴막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 상기 구성에 있어서, 수정 기판의 두께 만큼 입사되는 광선의 포커싱 거리의 차이가 있게 되므로, 하나의 포토 마스크를 이용하여 주변 영역의 패터닝 형성과 셀 영역의 패터닝 형성을 동시에 하는 것이 가능하다.

37. 发明公开

KR1020050068546A 오염 지표가 형성된 포토마스크 无效
标题翻译：具有缺陷指示器的照片
公开(公告)号：KR1020050068546A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030100086
申请日：2003-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 변성환 , 심우석
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 오염 지표가 형성된 포토마스크에 관한 것으로서, ArF 엑시머 레이저를 이용하는 노광 공정에서 일정량 이상의 노광이 진행되었을 경우에 포토마스크에 발생되는 헤이즈 결함을 방지하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 포토마스크는 일정량 이상이 노광되면 색깔이나 굴절률 등의 성질이 변하는 폴리머와 같은 물질을 이용하여 마스크 주변 영역에 오염 지표를 형성한다. 따라서, 헤이즈 결함이 발생하기 전에 이를 예고하고 효율적으로 방지할 수 있다.

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