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21. 发明公开

KR1020020040672A 임계전류 저하가 최소화된 고온 초전도성분 연결방법 및제조품 有权
标题翻译：采用可忽略的关键电流降解和制造方法接合高温超导体元件的方法
公开(公告)号：KR1020020040672A
公开(公告)日：2002-05-30
申请号：KR1020017015524
申请日：2000-06-02
申请人： 아메리칸 수퍼컨덕터 코포레이션
发明人： 부제크,데이비드엠. , 스쿠디에르,존디. , 하르노이스,리차드이. , 스프레아피코,세르지오 , 게라르디,라우레
IPC分类号： H01L39/02
CPC分类号： H01L39/02 , Y10S428/93 , Y10S505/927
摘要： 임계 전류 저하를 최소화하면서 고온 초전도 성분을 연결하는 방법이 제공된다. 형성된 제품은 고온 초전도 성분 임계 전류의 80% 이상인 임계전류를 가진다. 본 발명은 또한 최소한의 임계전류 저하로 연결된 성분의 비틀림 또는 휨 없이 맨드렐 주위에 연결된 성분을 용이하게 감게 하는 스플라이싱 기하를 제공한다.

22. 发明授权

KR1019970007765B1 초전도 산화물 와이어 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：超导氧化物线及其制造方法
公开(公告)号：KR1019970007765B1
公开(公告)日：1997-05-16
申请号：KR1019880007719
申请日：1988-06-25
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 다까하시껭 , 다께다유끼오 , 야마자끼다께오 , 미요시다다히꼬 , 소에따아쯔꼬 , 마에다구니히로 , 스즈끼다까아끼 , 나까무라기이에 , 기따자와죠우시로 , 나까자와마사도시
IPC分类号： H01B12/10
CPC分类号： H01L39/248 , C04B35/4504 , C04B35/4512 , C04B35/4521 , H01L39/143 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , Y10S505/705 , Y10S505/917 , Y10S505/928 , Y10T29/49014 , Y10T428/25
摘要： 내용없음.

23. 发明授权

KR101451599B1 초전도성 물품 및 제조 방법 有权
标题翻译：超级文章和制作方法
公开(公告)号：KR101451599B1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020097011964
申请日：2007-11-12
申请人： 수퍼파워, 인크.
发明人： 키아노,윤페이 , 셀바마닉캄,벤캐트
IPC分类号： H01B12/00
CPC分类号： H01L39/143 , H01L39/2461 , Y10S428/93 , Y10T428/31678
摘要： 기판을 포함하는 초전도성 물품이 제공되며, 상기 기판은 텍스쳐링되지 않고 주로 니켈 및 약 20wt% 이상의 합금 원소를 함유하는 니켈-계열 합금을 포함하고, 상기 기판은 본질적으로 Mo 및 Mn을 함유하지 않는다. 상기 초전도성 물품은 상기 기판 위에 놓이는 버퍼 층 및 상기 버퍼 층 위에 놓이는 고온 초전도(high-temperature superconducting:HTS) 층을 부가적으로 포함한다.
초전도체, 이축 텍스쳐링, 어닐링, 이온 빔 보조식 피착(IBAD), 엽렬, 이원 합금, 항복 강도, 크립, 탄성률, 희토류 원소, 전력 그리드, 캡핑 층, 펄스 레이저 피착(PLD), 스퍼터링, 화학적 기상 피착

24. 发明授权

KR101247548B1 밀도 특성을 가진 초전도 소자들 有权
标题翻译：具有密度特性的超导制品
公开(公告)号：KR101247548B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020077019282
申请日：2006-02-23
申请人： 수퍼파워, 인크.
发明人： 셀바마닉캄,벤캇 , 헤이즐턴,드루,더블류. , 큐이아오,윤페이
IPC分类号： H01B12/00 , H01F6/00 , H01L23/48 , H01L27/00
CPC分类号： H01L39/2461 , H01F27/2847 , H01F36/00 , H02K3/02 , H02K55/00 , Y02E40/62 , Y02E40/66 , Y10S428/93 , Y10S505/877 , Y10T29/49014
摘要： 기판, 상기 기판 위에 놓이는 버퍼층과 상기 버퍼층 위에 놓이는 초전도층을 갖는 초전도 소자가 개시된다. 실시예들에 따르면, 소자는 낮은 밀도 특성들을 가지며, 소자의 전체 및/또는 개별 층들로서 소자와 연관된다. 소자는 긴 길이의 도전체들, 코일이 감긴 긴 도전체들, 및 예를 들면 그러한 코일들을 포함한 기계들의 형태로 구현될 수 있다.
초전도, 기판, 버퍼, 도전체, 코일, 소자, 알루미늄

25. 发明授权

KR101119957B1 초전도체 코팅된 테이프들용 2축-텍스처링된 막 증착 有权
标题翻译：用于超导体涂层胶带的双轴织构膜沉积
公开(公告)号：KR101119957B1
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：KR1020067020957
申请日：2005-04-08
申请人： 수퍼파워, 인크.
发明人： 지옹,슈밍 , 셀바매니켐,벤카트
IPC分类号： H01L39/00 , C23C14/46
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/08 , C23C14/225 , C23C14/48 , H01L39/2461 , Y10S428/93 , Y10S505/73
摘要： 본 발명은 연속적으로 이동하는 금속 테이프 기판상에 2축-텍스처링된 막을 고속 증착 속도로 증착하는 방법들에 관한 것이다. 이들 방법들은 2축-텍스처링된 막이 형성되도록, 막의 최상의 이온 텍스처 방향 또는 막의 제 2 최상의 이온 텍스처 방향을 따라 배열된 이온빔 입사각에서 이온빔을 사용하여 증착된 막에 동시에 충돌시키면서 기판 법선으로부터 5°내지 약 80°의 경사 입사각을 가진 증착 플럭스를 사용하여 기판상에 막을 증착하는 단계를 포함하며; 증착 플럭스 입사면은 상기 2축-텍스처링된 막이 고속 인-플레인 성장 속도를 가지는 방향에 평행하게 배열된다. 기판, 앞의 방법에 의하여 상기 기판상에 증착된 2축-텍스처링된 막, 및 2축-텍스처링된 막상에 증착된 초전도층이 기술된다.
금속 테이프 기판, 이온 텍스처 방향, 이온빔 입사각, 초전도층, 2축-텍스처링된 막

26. 发明授权

KR101062808B1 고온 초전도체 와이어를 위한 아키텍쳐 有权
公开(公告)号：KR101062808B1
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：KR1020087003954
申请日：2006-07-28
申请人： 아메리칸 수퍼컨덕터 코포레이션
发明人： 팀,코넬리스레오한스 , 말로제모프,알렉시스피 , 러피치,마틴더블유 , 숍,우르스-데틀레프 , 톰슨,엘리오트디 , 베레벨리이,데런
IPC分类号： H01L39/02
CPC分类号： H01L39/143 , H01L39/248 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702
摘要： 본 발명은 제 1 기판을 덮는 제 1 고온 초전도체 층을 포함하는 제 1 초전도체 인서트 및 제 2 기판을 덮는 제 2 고온 초전도체 층을 포함하는 제 2 초전도체 인서트를 가지는 초전도체 와이어 어셈블리를 포함하는 적층 초전도체 와이어에 관한 것이다. 상기 제 1 및 제 2 초전도체 인서트는 그들 각각의 기판에서 함께 결합되어 있다. 전기 전도성 구조물은 초전도체 와이어 어셈블리를 실질적으로 에워싸고 있다.

27. 发明授权

KR100853737B1 광촉매와 그 사용방법 有权
标题翻译：光合作用及其用途
公开(公告)号：KR100853737B1
公开(公告)日：2008-08-25
申请号：KR1020060052746
申请日：2006-06-12
申请人： 지엠 글로벌 테크놀러지 오퍼레이션스 엘엘씨 , 학교법인 포항공과대학교
发明人： 리웨이 , 오세에이치 , 이재성 , 장점석
IPC分类号： B01J21/06 , B82B3/00 , B01J23/00
CPC分类号： C01B3/042 , B01J27/04 , B01J35/004 , Y02E60/364 , Y10S428/93 , Y10S977/811 , Y10S977/812 , Y10S977/813 , Y10T428/2991
摘要： 복합 광촉매는 반도체 코어와 상기 반도체 코어의 표면상에 처리된 나노스케일 입자를 포함하며, 상기 나노스케일 입자는 전자운반체로서 상기 광촉매는 가시광선에 감응하는 것이다.
복합 광촉매, 가시광선, 반도체 코어, 나노스케일

28. 发明公开

KR1020070120584A 접합 초전도 제품 有权
标题翻译：加入超级文章
公开(公告)号：KR1020070120584A
公开(公告)日：2007-12-24
申请号：KR1020077025925
申请日：2006-04-10
申请人： 수퍼파워, 인크.
发明人： 셀바마니캄,벤캐트 , 시,이-얀 , 놀,알란,로버트
IPC分类号： H01B12/00
CPC分类号： H01L39/02 , Y10S428/93 , Y10S505/927
摘要： A superconducting article includes a first superconductive segment having a nominal thickness tn1, a second superconductive segment having a nominal thickness tn2, and a joint region comprising a splice connecting the first and second superconductive segments together. The splice overlies portions of both the first and second superconductive segments along the joint region, the joint region having a thickness tjr, wherein tjr is not greater than at least one of 1.8tn1 and 1.8tn2.
摘要翻译：超导制品包括具有标称厚度tn1的第一超导部分，具有标称厚度tn2的第二超导部分和包括将第一和第二超导部分连接在一起的接头的接合区域。接头在接合区域上覆盖第一和第二超导部分的两部分，接头区域具有厚度tjr，其中tjr不大于1.8tn1和1.8tn2中的至少一个。

29. 发明公开

KR1020070026446A 초전도체 코팅된 테이프들용 2축-텍스처링된 막 증착 有权
标题翻译：用于超导体涂层的双色纹膜沉积
公开(公告)号：KR1020070026446A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020067020957
申请日：2005-04-08
申请人： 수퍼파워, 인크.
发明人： 지옹,슈밍 , 셀바매니켐,벤카트
IPC分类号： H01L39/00 , C23C14/46
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/08 , C23C14/225 , C23C14/48 , H01L39/2461 , Y10S428/93 , Y10S505/73
摘要： Methods for depositing, at a very high deposition rate, a biaxially-textured film on a continuously moving metal tape substrate are disclosed. These methods comprise: depositing a film on the substrate with a deposition flux having an oblique incident angle of about 5‹ to about 80‹ from the substrate normal, while simultaneously bombarding the deposited film using an ion beam at an ion beam incident angle arranged along either a best ion texture direction of the film or along a second best ion texture direction of the film, thereby forming the biaxially-textured film wherein a deposition flux incident plane is arranged parallel to a direction along which the biaxially-textured film has a fast in-plane growth rate. Superconducting articles comprising a substrate, a biaxially-textured film deposited on said substrate by said methods above; and superconducting layer disposed on the biaxially-textured film are also disclosed. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：公开了以非常高的沉积速率在连续移动的金属带基材上沉积双轴织构的膜的方法。这些方法包括：在基板上沉积具有大约5°至大约80°的斜入射角的沉积焊剂的沉积焊剂，同时使用沿离子束入射角度的离子束轰击沉积膜是膜的最佳离子结构方向或沿着膜的第二最佳离子纹理方向，从而形成双轴织构化膜，其中沉积磁通入射平面平行于双轴织构化膜具有快速的方向平面内增长率。超导物品包括基底，通过上述方法沉积在所述基底上的双轴织构化膜; 并且还公开了设置在双轴织构化膜上的超导层。 ®KIPO＆WIPO 2007

30. 发明授权

KR100618606B1 금속 산화물 소자를 제조하는 방법 失效
标题翻译：金属氧化物制造方法
公开(公告)号：KR100618606B1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020040040086
申请日：2004-06-02
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준
IPC分类号： H01L39/02 , H01B12/00
CPC分类号： C30B23/02 , C30B25/025 , C30B29/22 , H01L39/2422 , Y10S428/93 , Y10T29/49014
摘要： 본 발명은 복제공정을 이용하여 초전도층 성장된 초전도 선재를 제조하는 방법에 관한 것으로, 루프 형상의 기본모재로부터 길이가 긴 테이프 형상의 초전도 선재를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 산화물 소자의 제조방법은 단결정 또는 배향된 표면을 갖는 기본모재 상에 물에 용해 가능한 분리층을 형성하고 분리층의 상부에 초전도층을 형성하며, 초전도층의 상부에 지지층을 형성한 후 분리층을 물에 의한 용해 방법으로 제거하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 기본모재로부터 분리된 초전도층과 지지층으로 구성되고 기본모재의 결정성이 그대로 복제된 초전도 선재를 제조하는 것이 가능하다.
초전도체, 선재, 복제, 단결정, 용해, 기본모재

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