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    • 22. 发明授权
    • 웨이퍼 이면 연마장치
    • WAFER背面抛光装置
    • KR101613477B1
    • 2016-04-19
    • KR1020150019955
    • 2015-02-10
    • 장경덕
    • 장경덕
    • H01L21/304H01L21/02
    • H01L21/304H01L21/02024H01L2224/03602
    • 본발명은웨이퍼의이면을균일하게연마하여이면의이물질을제거하고이면의평탄도를향상시키는웨이퍼이면연마장치에관한것으로서, 반도체소자를형성한표면의반대면인이면을하부방향으로한 웨이퍼(W)를회전시키는헤드부(100); 직경을웨이퍼(W)의직경보다상대적으로작게한 연마패드(210)로웨이퍼(W)를하부에서지지한후, 연마패드(210)를회전시키는중에, 웨이퍼(W) 이면의범위내에서연마패드(210)를폭방향으로이동시키는이동수단(230)에의해웨이퍼(W) 이면의전면을연마시키는패드부(200); 웨이퍼(W)의표면을향해상부에서탈이온수(DI Water)을토출하는상부액 공급관(300); 웨이퍼(W)의이면을향해하부에서탈이온수(DI Water)을토출하는하부액 공급관(400); 을포함하여구성된다.
    • 晶片背面抛光装置技术领域本发明涉及对晶片背面进行均匀抛光以除去背面的异物的晶片背面研磨装置,从而提高背面的平坦度。 所述晶片背面研磨装置具备:头部(100),使与所述半导体元件安装面相反的背面的晶片(W)向下方旋转; 通过使用具有比晶片(W)的直径相对更小的直径的抛光垫(210)从底部支撑晶片(W)的焊盘部分(200),并且抛光晶片(W)的整个背面, 在通过在宽度方向上使晶片(W)的背面的范围内移动抛光垫(210)的移动机构(230)旋转抛光垫(210)期间, 从顶部朝向晶片(W)的表面排出去离子水(DI水)的上部液体供给管(300) 以及从底部将DI水排出到晶片(W)的背面的下部液体供给管(400)。
    • 26. 发明授权
    • 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
    • 使用该研磨组合物的研磨方法,以及
    • KR101564676B1
    • 2015-11-02
    • KR1020147033389
    • 2009-01-29
    • 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
    • 미즈노타카히로이자와요시히로아카츠카도모히코
    • C09K3/14H01L21/304
    • C09G1/02C09K3/1436C09K3/1463H01L21/02024H01L21/31053H01L21/3212
    • 본발명의제1의태양에관한연마용조성물은질소함유화합물및 연마용입자를함유하고, pH가 1~7인연마용조성물이다. 연마용조성물중에포함되는질소함유화합물은일반식: R-N(-R)-R(단, R, R, R은각각알킬기또는알킬기에특정기가추가된기를나타내고, R~R중 2개는헤테로사이클의일부를구성할수 있고, R~R중 2개는공통이고남은 1개로헤테로사이클의일부를구성할수 있음)으로표현되는구조를가지고, 이외에카르복실베타인형양성계면활성제, 술포베타인형양성계면활성제, 이미다졸린형양성계면활성제, 및아민옥사이드형양성계면활성제로이루어지는군으로부터선택되는어느하나를바람직하게포함할수 있다. 본발명의제2의태양에관한연마용조성물은수용성고분자및 연마용입자를함유하고, 산화제를함유하지않으며, pH가 1~8인연마용조성물이다.
    • 根据本发明的第一方面的抛光组合物含有含氮化合物和氮和研磨,pH值为1-7键马勇组合物的颗粒。 包含在通式的抛光组合物的含氮化合物:两个RN的(-R)-R(其中,R,R,R表示被添加到每个特定组表示烷基或烷基,R〜R是杂环 uiil的2和可构成,R〜[R狗是常见的,具有一个单一的休息,其由表示可形成杂环的一部分),比Beta羧酸娃娃两性表面活性剂以外的结构,磺酸盐两性表面活性剂的β娃娃 时,它可以期望包括从困型两性表面活性剂已经选择的一个,和由氧化胺型两性表面活性剂组成的组。 根据本发明的第二方面的抛光组合物含有水溶性高分子和磨料颗粒,它不含有氧化剂,pH值为1-8键马勇组合物。