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21. 发明授权

KR101284787B1 스퍼터 타겟으로의 원형 대칭의 ＲＦ 피드 및 ＤＣ 피드를 갖는 물리 기상 증착 반응로 有权
标题翻译：物理蒸气沉积反应器，具有圆形对称RF进料和直流进料到喷头目标
公开(公告)号：KR101284787B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020117011118
申请日：2009-10-02
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 하우릴착,라라
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/3444 , H01J37/3455
摘要： 천정에 스퍼터 타겟을 갖는 PVD 반응로에 있어서, 회전 자석 조립체를 둘러싸는 전도성 하우징은 회전 자석 축을 위한 중앙 포트를 가진다. 상기 하우징의 전도성 중공형 실린더는 스핀들의 외측 부분을 둘러싼다. RF 전력은 중공형 실린더로부터 방사상으로 연장하는 방사상 RF 커넥션 로드에 커플링되며, DC 전력은 중공형 실린더로부터 방사상으로 연장하는 다른 방사상 DC 커넥션 로드에 커플링된다.

22. 发明授权

KR101275093B1 배기가능 마그네트론 챔버 有权
标题翻译：可行的MAGNETRON CHAMBER
公开(公告)号：KR101275093B1
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020060067402
申请日：2006-07-19
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 이나가와,마코토
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/56 , H01J37/32449 , H01J37/3408
摘要： 본발명은타깃(18) 및이의배킹플레이트(20)에밀봉된진공-펌핑마그네트론챔버(32)를가진스퍼터반응기(50)와관련한진공펌핑시스템및 방법에관한것이다. 주스퍼터챔버(14)는타깃정면에진공밀봉되고저온펌핑된다(26). 바이패스도관(51) 및밸브(54)는마그네트론챔버및 주챔버를연결한다. 마그네트론챔버에결합된기계적러핑펌프(34)는바이패스밸브가폐쇄되고저온펌프가개방되기전에바이패스도관을통해주 챔버를 1 토르미만으로펌핑하고, 그후, 타깃에걸친압력차를감소시키기위하여마이크론챔버를펌핑하는것을계속한다. 바이패스밸브의양단에연결된압력차스위치(58)는예컨대누설또는전기적결함이존재할때 압력차가 20 토르와같은제한치를초과할때마다바이패스밸브를즉시개방시킨다. 바이패스도관은또한배기절차에서사용된다.
摘要翻译：真空抽吸系统和与溅射反应器结合的方法，其具有密封到目标背板的真空泵浦的磁控管腔。主溅射室被真空密封到目标前部并且被低温泵送。旁路管道和阀门连接磁控管和主室。连接到磁控管室的机械粗抽泵在旁通阀关闭之前通过旁路管道将主室泵送到小于1乇，并且冷冻泵打开，然后继续泵送磁控管室以减小目标上的压力差。当差压超过限制（例如20 Torr）时，例如当发生泄漏或电气故障时，连接在旁路阀旁边的压差开关立即打开。旁路管道也用于排气过程。

23. 发明公开

KR1020130057366A 스퍼터링 장치 无效
标题翻译：溅射装置
公开(公告)号：KR1020130057366A
公开(公告)日：2013-05-31
申请号：KR1020110123227
申请日：2011-11-23
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 윤종원
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/46 , H01J37/3408 , H01J37/345
摘要： PURPOSE: A sputtering device is provided to uniformly form a thin film with high purity by using an ion beam source for a sputtering operation without forming plasma in a reaction chamber. CONSTITUTION: A target(23) is installed in a processing chamber(21). An ion beam source(10) irradiates ion beams to the target. A substrate faces the target. A vacuum exhaust tube(22) is connected to a vacuum pump and exhausts the processing chamber. A sputtering electrode(24) is connected to a power source to form a negative polarity. A substrate stage(25) loads the substrate.
摘要翻译：目的：提供溅射装置以通过使用用于溅射操作的离子束源来均匀地形成具有高纯度的薄膜，而不在反应室中形成等离子体。构成：目标（23）安装在处理室（21）中。离子束源（10）将离子束照射到靶。基板面向目标。真空排气管（22）连接到真空泵并排出处理室。溅射电极（24）连接到电源以形成负极性。衬底台（25）加载衬底。

24. 发明公开

KR1020130046360A 마그네트론 스퍼터 장치 有权
标题翻译： MAGNETRON喷射装置
公开(公告)号：KR1020130046360A
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：KR1020120116441
申请日：2012-10-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미즈노시게루 , 도시마히로유키
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/345
摘要： PURPOSE: A magnetron sputtering device is provided to improve film formation speed by forming a magnet alignment structure in a basic body. CONSTITUTION: A power supply unit applies voltage to a target(31). A basic body is formed in the rear part of the target. A magnet alignment structure(5) includes a group(52) of magnets in the basic body. The magnets are arranged with a network. A core member is formed in the region surrounded by a magnet cross section.
摘要翻译：目的：提供磁控溅射装置，通过在基体中形成磁体对准结构来提高成膜速度。构成：电源单元向目标电压施加电压（31）。在目标的后部形成一个基本体。磁体对准结构（5）包括基体中的一组磁体（52）。磁铁配有网络。在由磁体横截面包围的区域中形成芯构件。

25. 发明授权

KR101256856B1 진공 물리적 기상 증착을 위한 성형 애노드 및 애노드-실드 접속 有权
标题翻译：用于真空真空蒸发沉积的形状阳极和阳极屏蔽连接
公开(公告)号：KR101256856B1
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：KR1020117014639
申请日：2009-12-08
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 리유밍 , 버크마이어제프리
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3438 , H01J37/3447
摘要： 물리적 기상 증착 장치는 측벽을 갖는 진공 챔버, 캐소드, 고주파 전원 장치, 기판 지지체, 실드, 및 애노드를 포함한다. 캐소드는 진공 챔버 내부에 있으며 스퍼터링 타겟을 포함하도록 구성된다. 고주파 전원 장치는 캐소드에 전력을 인가하도록 구성된다. 기판 지지체는 진공 챔버 내부에 있으며 그 진공 챔버의 측벽으로부터 전기적으로 절연된다. 실드는 진공 챔버의 내부에 있으며 그 진공 챔버의 측벽에 전기적으로 접속된다. 애노드는 진공 챔버의 내부에 있으며 그 진공 챔버의 측벽에 전기적으로 접속된다. 애노드는 환상체 및 환상체로부터 내부로 돌출되는 환상 플랜지를 포함하며, 환상 플랜지는 플라즈마의 생성을 위해 타겟의 아래쪽에 용적을 규정하도록 위치결정된다.

26. 发明授权

KR101246458B1 마그네트론 스퍼터링 장치 및 마그네트론 스퍼터링 방법 有权
标题翻译：磁控溅射装置和磁控溅射方法
公开(公告)号：KR101246458B1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：KR1020107020395
申请日：2009-03-10
申请人： 가부시키가이샤 알박
发明人： 아카마츠야스히코 , 나카무라규조 , 고바야시모토시 , 기요타준야 , 유카와도미유키 , 다케이마사키 , 오이시유우이치 , 아라이마코토 , 이시바시사토루
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3444
摘要： 본 발명은, 장기간에 있어서 균일한 막두께 분포의 성막이 가능한 마그네트론 스퍼터링 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치 (1) 는, 진공조 (2) 와 진공조 (2) 내에 형성되고, 그 정면 측에 타깃 (7) 을 유지하고, 또한, 그 배면측에 복수의 마그넷 (12) 을 유지하는 배킹 플레이트 (8) 를 갖는 캐소드부 (6) 와, 캐소드부 (6) 에 대하여 직류 전력을 공급하는 직류 전원 (30) 을 구비한다. 배킹 플레이트 (8) 에 대하여 타깃 (7) 측의 방전 공간에, 독립적으로 전위를 제어할 수 있는 복수의 제어 전극 (21, 22) 이 형성되어 있는 것이다.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种能够在长时间内形成具有均匀膜厚分布的膜的磁控溅射技术。根据本发明的磁控溅射设备1形成在真空室2和真空室2中，并且在其前侧具有靶7并且在其背侧具有多个磁体12，直流电源30用于向阴极部分6供应直流电力。阴极部分6具有用于保持阴极部分6的背板8，能够独立地控制电位的多个控制电极21和22形成在靶7相对于背板8一侧的放电空间中。

27. 发明授权

KR101089427B1 리던던시형 애노드 스퍼터링 방법 및 조립체 失效
标题翻译：冗余阳极溅射方法和装配
公开(公告)号：KR101089427B1
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020087013479
申请日：2006-11-06
申请人： 폰 아르데네 게엠베하
发明人： 테쉬너,고에츠 , 밀데,팔크 , 미링,엔노 , 마이쓰너,프랭크 , 그로써,고에츠
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3444 , C23C14/354 , C23C14/564 , H01J37/32532 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3438
摘要： 본 발명은 마그네트론으로 형성된 캐소드를 갖는 기판을 코팅하기 위한 방법 그리고 진공 챔버, 마그네트론-캐소드, 두 개의 전극 및 전압원을 갖는 기판을 코팅하기 위한 조립체에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 방법에서는 캐소드 외에 두 개의 전극에는 양전위(애노드 전위) 또는 음전위가 교대로 공급된다. 본 발명의 과제는, 층 두께의 균일성을 높임으로써 그리고 리던던시형 애노드에 의해서 야기되는 기판의 오염을 줄임으로써 기판 코팅의 품질을 높이는 것이다. 방법과 관련된 본 발명의 과제는 음전위가 캐소드 전위의 레벨과 최대로 같은 레벨로 발생 됨으로써 해결된다. 그럼으로써, 세척될 전극이 선행하는 반파(half wave)에서 코팅된 경우보다 더 심하게 침식되는 상황이 피해진다. 조립체와 관련된 본 발명의 과제는 마그네트론-캐소드와 전극이 스위칭 소자를 통해 전기 도금(galvanic) 없이 전압원에 연결됨으로써, 다시 말해 전압원으로부터 발생한 음전압 및 양전압이 전극들에 교대로 인가될 수 있도록 그리고 상기 음전압 및 양전압의 레벨이 캐소드 전압의 레벨과 최대로 같도록 상기 마그네트론-캐소드와 전극의 연결이 이루어짐으로써 해결된다.

28. 发明公开

KR1020110124788A 진공을 파괴하지 않으면서 페디스털 표면으로부터 잔류물을 제거하기 위한 인 시튜 플라즈마 세정 有权
标题翻译：在没有破裂真空的基础表面去除残留物的现场等离子体清洁
公开(公告)号：KR1020110124788A
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：KR1020117022656
申请日：2010-02-17
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 그린,리차드제이. , 트사이,쳉-흐시웅 , 로이,삼브후엔. , 바자즈,푸니트 , 루,데이비드에이치.
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/54 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/32862 , C23C14/50 , C23C14/564 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01J37/3408
摘要： 증착 챔버의 인 시튜 플라즈마 세정 방법 및 장치가 제공된다. 일 실시예에서, 진공을 유지시키면서 증착 챔버를 플라즈마 세정하는 방법이 제공된다. 이 방법은 상기 챔버 내에 배치되고 전기적으로 플로팅하는 증착 링에 의해 둘러싸이는 서셉터 상에 기판을 위치시키는 단계, 상기 챔버 내의 증착 링 및 기판상에 금속 막을 증착하는 단계, 진공을 유지시키면서 상기 증착 링 상에 증착된 금속 막을 접지시키는 단계, 및 진공을 유지시키면서 접지된 상기 증착 링 상의 금속 막을 재스퍼터링하지 않으면서, 상기 챔버 내에 형성된 플라즈마를 이용하여 상기 챔버로부터 오염물을 제거하는 단계를 포함한다.

29. 发明授权

KR101061076B1 스퍼터링 캐소드, 스퍼터링 캐소드를 구비한 스퍼터링 장치, 필름-형성 방법, 및 전자 장치 제조 방법 有权
标题翻译：具有溅射阴极的溅射装置，溅射阴极，成膜方法和电子器件制造方法
公开(公告)号：KR101061076B1
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020090021228
申请日：2009-03-12
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 이타가키카츠노리 , 우치야마토모오 , 하리야스코 , 사이토히로아키 , 치바토시노부
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/545 , H01J37/3408 , H01J37/3455
摘要： 본 발명은 자석 유닛과 타겟 사이의 거리를 조절하기 위한 자유도를 증가시킬 수 있는 스퍼터링 캐소드를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 캐소드는 각각의 자석 유닛을 위한 자석 유닛과 타겟 사이의 거리를 개별적으로 조절하기 위한 거리 조절 메커니즘과 타겟의 후면에 대향하는 위치에 배열된 복수의 자석 유닛을 포함한다. 또한, 스퍼터링 캐소드는 타겟의 후면에 평행하게 복수의 자석 유닛을 왕복운동하기 위한 왕복운동 메커니즘을 포함한다. 복수의 자석 유닛, 거리 조절 메커니즘 및 왕복 운동 메커니즘은 비워질 수 있는 자석 챔버에 수용될 수 있다.
타겟, 자석 유닛, 거리 조절 메커니즘, 왕복 운동 메커니즘, 스퍼터링 캐소드
摘要翻译：本发明提供一种溅射阴极，其能够增加用于调节磁体单元与靶之间的距离的自由度。溅射，根据本发明的阴极包括磁体单元具有多个布置在相对的位置的距离控制机构，用于单独地调节所述目标之间的距离为每个所述磁体单元的背面和目标磁铁单元的一个实施例的。此外，溅射阴极包括用于使多个磁体单元平行于靶的后表面往复运动的往复机构。多个磁体单元，距离调节机构和往复机构可以容纳在能够排空的磁体室中。

30. 发明公开

KR1020110042218A 스퍼터링 장치, 박막 형성 방법 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：溅射装置，薄膜形成方法及场效应晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR1020110042218A
公开(公告)日：2011-04-25
申请号：KR1020117005642
申请日：2009-10-09
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 쿠라타,타카오미 , 키요타,준야 , 아라이,마코토 , 아카마츠,야스히코 , 이시바시,사토루 , 사이토,카즈야
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/56 , H01L29/772
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32752 , H01J37/3408
摘要： 하지층의 데미지를 저감할 수 있는 스퍼터링 장치, 박막 형성 방법 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법을 제공한다.
스퍼터링 장치(100)는, 반송 기구와 제1 타겟(Tc1)과 제2 타겟(Tc2~Tc5)과 스퍼터 수단을 구비한다. 반송 기구는, 진공조의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 지지부를, 기판의 피처리면과 평행한 반송면을 따라 직선적으로 반송한다. 제1 타겟(Tc1)은, 반송면과 제1 간격을 두고 대향한다. 제2 타겟(Tc2~Tc5)은, 제1 타겟(Tc1)보다 기판의 반송 방향 하류측에 배치되고, 반송면과 제1 간격보다도 작은 제2 간격을 두고 대향한다. 스퍼터 수단은, 각 타겟을 스퍼터한다. 이 스퍼터링 장치(100)에 의하면, 하지층에 미치는 데미지가 작고, 성막 특성이 양호한 박막을 형성하는 것이 가능하다.
摘要翻译：提供一种能够降低接地层的损伤的溅射设备，薄膜形成方法和场效应晶体管的制造方法。

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