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21. 发明公开

KR1020050110539A 반도체 소자 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR1020050110539A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：KR1020040035738
申请日：2004-05-19
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 강태욱 , 정창용 , 김창수
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： G03F1/103 , G03F7/0041 , G03F7/168 , G03F7/30 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： 본 발명은 기판상에 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하기 위한 방법으로 0.7 내지 2Pa의 압력으로 0.1 내지 0.6W/㎤의 파워 밀도를 갖는 유도 결합형 플라즈마 장치를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시켜 포토레지스트 패턴의 잔류물이 발생되지 않도록 제거하는 반도체 소자 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 소자 형성 방법은 소정의 소자가 형성된 기판상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 소정의 공정을 진행하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 0.7 내지 2Pa의 공정 압력과 0.1 내지 0.6W/㎤의 파워 밀도를 갖는 고밀도 플라즈마 장치로 산소 플라즈마를 발생하여 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자 형성 방법에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 반도체 소자 형성 방법은 유도 결합형 플라즈마 장치를 이용하여 특정의 공정 압력 및 파워 밀도에서 산소 플라즈마를 발생시켜 포토레지스트 패턴을 잔류물없이 제거함으로서, 공정 시간을 단축시킬 뿐만 아니라 포토레지스트의 잔류물이 남지 않아 이후 박막트랜지스터를 형성하였을 때, 잔류물에 의한 불량이 발생하지 않는 효과가 있다.

22. 发明公开

KR1020160110631A 편광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 패널 审中-实审
标题翻译：极化器，制造极化器的方法和显示具有偏振器的面板
公开(公告)号：KR1020160110631A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150032887
申请日：2015-03-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조성원 , 손정하 , 배수빈 , 여윤종 , 이주형
IPC分类号： G02B5/30 , G02F1/1335
CPC分类号： G02B5/3058 , B81C1/00388 , B81C1/00404 , B81C2201/0149 , C09K13/00 , C23F4/00 , G02F2001/133548 , G03F7/0041 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31056 , H01L21/31111 , H01L21/31116
摘要： 편광소자의제조방법은, 베이스기판상에제1 층을형성하는단계, 상기제1 층상에제1 격벽층을형성하는단계, 상기제1 격벽층상에제2 격벽층을형성하는단계, 상기제1 격벽층및 상기제2 격벽층을동시에식각하여, 제1 격벽층-패턴및 상기제1 격벽층-패턴상에배치되는제2 격벽층-패턴을형성하는단계, 상기제1 격벽층-패턴이형성된상기제1 층상에블록공중합체층을형성하는단계, 상기블록공중합체층으로부터미세패턴을형성하는단계, 및상기미세패턴및 상기제1 및제2 격벽층-패턴들을마스크로이용하여, 상기제1 층을패터닝하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明提供能够阻止静电流入的偏振装置及其制造方法及包括该偏振装置的显示面板。制造偏振装置的方法包括以下步骤：在基底基板上形成第一层; 在所述第一层上形成第一分隔层; 在所述第一分隔层上形成第二分隔层; 通过同时蚀刻第一分隔层和第二分隔层，形成设置在第一分隔层图案上的第一分隔层图案和第二分隔层图案; 在其上形成有第一分隔层图案的第一层上形成嵌段共聚物层; 从嵌段共聚物层形成精细图案; 并且通过使用精细图案和第一和第二分隔层图案作为掩模来图案化第一层。

23. 发明公开

KR1020160098517A 패턴 형성 방법, 에칭 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 有权
标题翻译：图案形成方法，蚀刻方法，制造电子器件的方法和电子器件
公开(公告)号：KR1020160098517A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020167021234
申请日：2015-02-04
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 우에바료스케 , 이구치나오야 , 야마나카츠카사 , 탄고나오히로 , 시라카와미치히로 , 카토케이타
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/2053 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/31144 , G03F7/0041 , G03F7/0382
摘要： 패턴형성방법은, (i) 기판상에, 하기공정 (i-1), 하기공정 (i-2) 및하기공정 (i-3)을이 순서로행하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정, (i-1) 기판상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (1)을이용하여제1 막을형성하는공정 (i-2) 제1 막을노광하는공정 (i-3) 노광한제1 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정 (iii) 적어도제1 네거티브형패턴상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (2)를이용하여제2 막을형성하는공정, (v) 제2 막을노광하는공정, 및 (vi) 노광한제2 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 적어도제1 네거티브형패턴상에제2 네거티브형패턴을형성하는공정을 갖는다.
摘要翻译：图案形成方法包括通过使用光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物在基板上形成第一膜的步骤（i-1）来在基板上形成第一负型图案的步骤（i），步骤 i-2），使第一膜和第（i-3）步曝光; 使用光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物（2）至少在第一负型图案上形成第二膜的步骤（iii）。步骤（v）使第二膜曝光; 以及步骤（vi），使至少在第一负型图案上显影出曝光的第二膜并形成第二负型图案。

24. 发明授权

KR101632860B1 알코올 화합물과 그 제조 방법, 락톤 화합물의 제조 방법, (메트)아크릴산에스테르와 그 제조 방법, 중합체와 그 제조 방법, 레지스트 조성물과 이것을 사용한 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：醇类化合物及其生产方法用于生产乳酸酯化合物甲基丙烯酸酯的方法和生产该聚合物的方法及其生产方法及其组合物及其制备方法
公开(公告)号：KR101632860B1
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020157022793
申请日：2012-06-14
申请人： 미쯔비시 케미컬 주식회사
发明人： 사꾸마,사또시 , 세리자와,마사시 , 야스다,아쯔시 , 야다,노부히사 , 마에다,신니찌
IPC分类号： C07D493/18 , G03F7/004 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/004 , C07D307/93 , C07D493/08 , C07D493/18 , G03F7/0041 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/38
摘要： 용매중에서, 식 (C)로표현되는화합물과, 디보란및 보란착체로이루어지는군에서선택되는붕소화제를반응시켜반응액을얻는히드로붕소화반응공정과, 상기반응액을과산화수소처리한후, 산을첨가하여 pH0.5 내지 4로하는산 처리공정을갖는방법에의해, 불순물이적은알코올화합물을고수율로제조할수 있다. 식중, A내지 A은, 각각독립적으로, 수소원자, 메틸기또는에틸기를나타내고, X는산소원자, 황원자, 메틸렌기또는에틸렌기를나타낸다.
摘要翻译：通过进行以下步骤提供含有较少杂质的醇化合物：通过在溶剂中使式（C）表示的化合物与选自以下的硼剂的溶剂反应获得反应混合物的硼氢化方法：乙硼烷和硼烷络合物; 以及将反应混合物的pH设定为0.5〜4的氧化方法，其在用过氧化氢处理反应混合物后进行。在该式中，A1至A6各自独立地为氢原子，甲基或乙基，X为氧原子，硫原子，亚甲基或亚乙基。

25. 发明公开

KR1020160016395A 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 审中-实审
标题翻译：耐腐蚀剥离剂组合物和使用它的剥离材料的方法
公开(公告)号：KR1020160016395A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140100467
申请日：2014-08-05
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최한영 , 김성식 , 김병묵
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/0041 , G03F7/20 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/423 , H01L21/31133
摘要： 본발명은아닐린아미드류, N-에탄올아미드류, N-t-부틸아미드류, 몰포린아미드류, 및 N-알킬피레라진아미드류로이루어진군으로부터선택되는 1종이상의아미드화합물, 유기아민화합물및 글리콜에테르화합물을포함하는레지스트박리액조성물및 이를이용한레지스트의박리방법을제공한다.
摘要翻译：提供了一种抗蚀剂剥离组合物，其包含有机胺化合物，二醇醚化合物和一种或多种选自苯胺，N-乙醇酰胺，N-叔丁基酰胺，吗啉酰胺和N-烷基的酰胺化合物哌嗪酰胺和使用其的抗蚀剂剥离法。抗蚀剂剥离组合物可以显着地除去通过剥离溶液的极性而在湿法或干法蚀刻后改性的抗蚀剂图案，并且具有优异的储存稳定性，特别是由于高沸点而导致的工艺损失特别小。

26. 发明公开

KR1020150109225A 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020150109225A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140032392
申请日：2014-03-19
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김혜정 , 김성환 , 남연희 , 김윤준 , 문준영 , 송현지 , 윤용운 , 이충헌
IPC分类号： C07C217/84 , C07C217/86 , G03F7/06 , G03F7/004
CPC分类号： C09D7/63 , C07C233/80 , C07C251/24 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/50 , C09D5/006 , G03F7/0752 , G03F7/094 , C07C217/84 , C07C217/86 , G03F7/0041 , G03F7/066
摘要： 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 상기하드마스크조성물을사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]A, B, B′, L, L′, X 및 X′의정의는명세서에기재된바와같다.
摘要翻译：本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含单体的硬掩模组合物，以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法。 A，B，B'，L，L'，X和X'的定义与说明书中的定义相同。

27. 发明公开

KR1020150098691A 신규한 염료 화합물, 상기 염료 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물, 및 컬러 필터 有权
标题翻译：新型染料化合物，感光树脂组合物和彩色玻璃
公开(公告)号：KR1020150098691A
公开(公告)日：2015-08-31
申请号：KR1020140017960
申请日：2014-02-17
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 신명엽 , 플럭카르스텐 , 베르베리히마르틴
IPC分类号： C07D409/06 , G03F7/004 , G03F7/11
CPC分类号： C07D409/06 , C09B23/04 , C09B69/105 , G02B5/223 , G03F7/0007 , G03F7/105 , G03F7/0041 , G03F7/0047 , G03F7/11
摘要： 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이 제공된다.
[화학식 1]

(상기 화학식 1에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)
摘要翻译：提供化学式1表示的化合物。在化学式1中，各取代基与说明书中的定义相同。

28. 发明公开

KR1020140049983A 감광성 수지 조성물, 및 이것을 사용한 감광성 필름, 감광성 적층체, 영구 패턴 형성방법 및 프린트 기판 无效
标题翻译：感光树脂组合物，感光膜，感光层压板，形成永久性图案的方法和使用其的印刷底材
公开(公告)号：KR1020140049983A
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020137028353
申请日：2012-08-16
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 아리오카다이스케 , 하야시토시아키
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/027
CPC分类号： G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03F7/0041 , G03F7/0384
摘要： 산 변성의 에틸렌성 불포화기 함유 수지, 무기 필러, Zr, Bi 또는 Sb 중 적어도 1종의 금속을 갖는 무기 화합물의 이온 포착제, 라디칼 중합성 모노머, 광중합 개시제 및 열가교제를 각각 적어도 1종 함유하는 감광성 수지 조성물로서, 상기 무기 필러의 함유량이 상기 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분 전체 용량 중의 20용량% 이상인 감광성 수지 조성물, 및 이것을 사용한 감광성 필름, 감광성 적층체, 영구 패턴 형성방법 및 프린트 기판.

29. 发明公开

KR1020140006859A 차광성 조성물, 차광성 조성물의 제조방법, 솔더 레지스트, 패턴형성방법, 및 고체 촬상 소자 无效
标题翻译：遮光组合物，用于制造遮光组合物的方法，用于形成图案的方法和固态成像装置
公开(公告)号：KR1020140006859A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020137020328
申请日：2012-02-17
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 무로나오츠구 , 타마다요시노리 , 쿠보타마코토
IPC分类号： G02B5/22 , H01L27/14 , G03F7/004 , H05K3/28
CPC分类号： G02B5/223 , G02B3/0056 , G02B5/201 , G02B7/021 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/105 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H05K1/0274 , H05K3/3452 , G03F7/0041
摘要： 본 발명은 후막 형성에 대한 적성을 갖는 차광성 조성물을 제공하고, 코팅 균일성이 뛰어나며, 요철 표면 상에 두께 균일성을 갖고, 또한 적외선 영역에서 광의 차광성이 뛰어난 막을 제공하는 것이다. 차광성 조성물은: (A) 차광성 입자 또는 차광성 염료 중 어느 하나; (B) 100㎚~3,000㎚의 입자 지름을 갖고 입자 지름은 입자 지름 분포에서 최대값인 제 1 필러; 및 (C) 5㎚~90㎚의 입자 지름을 갖고 입자 지름은 입자 지름 분포에서 최대값인 제 2 필러를 포함한다.

30. 发明公开

KR1020130141383A 술포늄염, 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：磺酸盐，聚合物，耐腐蚀组合物和方法
公开(公告)号：KR1020130141383A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020130067780
申请日：2013-06-13
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 오하시마사키 , 하타케야마준
IPC分类号： C07C321/10 , G03F7/004
CPC分类号： C07C69/54 , G03F7/0041 , G03F7/0045 , G03F7/027 , G03F7/0395 , G03F7/20 , G03F7/2041 , C07C321/10
摘要： The present invention relates to a sulfonium salt characterized by comprising: (a) a polymerizable substituent; (b) a sulfonium cation; and (c) a sulfonium anion within the same molecule, and generating sulfonic acid by sensing high energy ray or heat. Resist material using sulfonium salt as a base resin of the present invention has excellent resolution, thereby being remarkably effective in precise micromachining, particularly in ArF immersion lithography or electron ray lithography, EUV lithography as resist material.
摘要翻译：本发明涉及锍盐，其特征在于包括：（a）可聚合取代基; （b）锍阳离子; 和（c）同一分子内的锍阴离子，并且通过感测高能量射线或热量产生磺酸。使用锍盐作为本发明的基础树脂的抗蚀剂材料具有优异的分辨率，因此在精确的微加工中尤其是在ArF浸渍光刻或电子射线光刻，作为抗蚀剂材料的EUV光刻中显着有效。

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