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1. 发明授权

KR101940522B1 패턴 형성 방법, 보호막 형성용 조성물, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스 有权
公开(公告)号：KR101940522B1
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：KR1020177005993
申请日：2015-09-15
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 이노우에나오키 , 탄고나오히로 , 야마모토케이 , 시라카와미치히로 , 고토아키요시
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/039

2. 发明授权

KR101869310B1 패턴 형성 방법, 처리제, 전자 디바이스 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101869310B1
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：KR1020167020561
申请日：2015-02-16
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 후루타니하지메 , 시라카와미치히로 , 고토아키요시 , 코지마마사후미
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/16 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要： 패턴형성방법은, 산의작용에의하여분해되어극성기를발생하는기를갖는수지를적어도함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여기판상에막을형성하는공정 (1)과, 막을노광하는공정 (2)와, 노광된막을실질적으로용해시키지않고, 노광된막중에발생하는극성기와이온결합, 수소결합, 화학결합및 쌍극자상호작용중 어느하나의상호작용을하는성분과, 노광된막을접촉시키는공정 (3)과, 노광된막을유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하고, 막중의노광량이적은영역을제거하여, 패턴을형성하는공정 (4)를이 순서로갖는다.

3. 发明公开

KR1020170093927A 패턴 형성 방법, 보호막 형성용 조성물 및 전자 디바이스의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：图案形成方法，用于形成保护膜的组合物，以及电子装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020170093927A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020177018836
申请日：2015-12-16
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 탄고나오히로 , 이노우에나오키 , 야마모토케이 , 시라카와미치히로 , 고토아키요시
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/11 , G03F7/32 , C08F220/34
CPC分类号： C08F220/34 , G03F7/11 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要： (a) 감활성광선성또는감방사선성수지조성물을기판상에도포하여감활성광선성또는감방사선성막을형성하는공정, (b) 보호막형성용조성물을상기감활성광선성또는감방사선성막상에도포하여보호막을형성하는공정, (c) 상기보호막으로피복된감활성광선성또는감방사선성막을노광하는공정, 및 (d) 노광된상기감활성광선성또는감방사선성막을, 유기용제를함유하는현상액으로현상하는공정을포함하는패턴형성방법. 상기보호막은, 프로톤억셉터성관능기를갖는수지 (X)를함유한다.
摘要翻译：（A）使用光化射线或该过程的最后辐射敏感树脂组合物的感涂布在基板上，以形成使用光化射线或最后辐射沉积感，（b）该一个用于形成光化射线或最后辐射敏感膜的感的保护膜组合物也包括在这个过程中，步骤（c），和（d）在暴露的光化射线或曝光用光化射线或涂有保护膜最后辐射沉积的意义上形成一层保护膜的最后辐射沉积的意义中，有机溶剂以及开发抗蚀剂膜的开发步骤。保护膜含有具有质子受体官能团的树脂（X）。

4. 发明授权

KR101742117B1 패턴 형성 방법, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 레지스트 필름 有权
标题翻译：图案形成方法，活性射线敏感或辐射敏感树脂组合物和抗蚀剂膜
公开(公告)号：KR101742117B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020137022819
申请日：2012-02-24
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 타카하시히데노리 , 야마구치슈헤이 , 카타오카쇼헤이 , 시라카와미치히로 , 요시노후미히로 , 사이토쇼이치
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/32 , C08F20/16
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/40
摘要： 패턴형성방법은 (i) (P) 특정일반식으로나타내어지는 (a) 반복단위를갖는수지, 및 (B) 활성광선또는방사선의조사에의해유기산을발생할수 있는화합물을함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물에의해필름을형성하는공정; (ii) 상기필름을노광하는공정, 및 (iii) 유기용제함유현상액을사용하여필름을현상해서네가티브형패턴을형성하는공정을포함한다.
摘要翻译：图案形成方法（i）（P）的活性射线的含有树脂的化合物感，和光化射线或辐射的（B）照射具有（a）由特定式表示的重复单元可以使有机酸城堡或者辐射敏感树脂组合物; （ii）使膜曝光，和（iii）使用含有机溶剂的显影剂使膜显影以形成负图案。

5. 发明授权

KR101708784B1 패턴 형성 방법, 다층 레지스트 패턴, 유기용제 현상용 다층막, 레지스트 조성물, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 有权
标题翻译：图案形成方法用于制造电子器件和电子器件的有机溶剂开发电阻组合物方法的多层电阻图案多层膜
公开(公告)号：KR101708784B1
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020137035000
申请日：2012-06-28
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 카토케이타 , 시라카와미치히로 , 오다니타다히로 , 나카무라아츠시 , 타카하시히데노리 , 이와토카오루
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/095 , G03F7/32 , H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/42 , G03F7/11 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/095
摘要： 본발명은 (i) 기판상에제 1 수지조성물(I)을사용하여제 1 막을형성하는공정, (ii) 상기제 1 막상에상기수지조성물(I)과다른제 2 수지조성물(II)을사용하여제 2 막을형성하는공정, (iii) 상기제 1 막과상기제 2 막을갖는다층막을노광하는공정, 및 (iv) 노광된상기다층막에있어서상기제 1 막과상기제 2 막을유기용제함유현상액을사용해서현상하여네거티브형패턴을형성하는공정을포함하는패턴형성방법을제공한다.
摘要翻译：提供一种图案形成方法，包括：（i）通过使用第一树脂组合物（I）在基材上形成第一膜的步骤，（ii）通过使用第二树脂在第一膜上形成第二膜的步骤不同于树脂组合物（I）的树脂组合物（II），（iii）暴露具有第一膜和第二膜的多层膜的步骤，以及（iv）使第一膜和第二膜显影的步骤在曝光的多层膜中，通过使用含有机溶剂的显影剂形成负图案。

6. 发明授权

KR101692807B1 패턴 형성 방법, 에칭 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 有权
标题翻译：用于制造电子设备和电子设备的图案形成方法蚀刻方法
公开(公告)号：KR101692807B1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：KR1020167021234
申请日：2015-02-04
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 우에바료스케 , 이구치나오야 , 야마나카츠카사 , 탄고나오히로 , 시라카와미치히로 , 카토케이타
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/2053 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/31144
摘要： 패턴형성방법은, (i) 기판상에, 하기공정 (i-1), 하기공정 (i-2) 및하기공정 (i-3)을이 순서로행하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정, (i-1) 기판상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (1)을이용하여제1 막을형성하는공정 (i-2) 제1 막을노광하는공정 (i-3) 노광한제1 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정 (iii) 적어도제1 네거티브형패턴상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (2)를이용하여제2 막을형성하는공정, (v) 제2 막을노광하는공정, 및 (vi) 노광한제2 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 적어도제1 네거티브형패턴상에제2 네거티브형패턴을형성하는공정을 갖는다.
摘要翻译：图案形成方法包括通过使用光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物在基板上形成第一膜的步骤（i-1）来在基板上形成第一负型图案的步骤（i），步骤 i-2），使第一膜和第（i-3）步曝光; 使用光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物（2）至少在第一负型图案上形成第二膜的步骤（iii）。步骤（v）使第二膜曝光; 以及步骤（vi），使至少在第一负型图案上显影出曝光的第二膜并形成第二负型图案。

7. 发明公开

KR1020160098517A 패턴 형성 방법, 에칭 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 有权
标题翻译：图案形成方法，蚀刻方法，制造电子器件的方法和电子器件
公开(公告)号：KR1020160098517A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020167021234
申请日：2015-02-04
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 우에바료스케 , 이구치나오야 , 야마나카츠카사 , 탄고나오히로 , 시라카와미치히로 , 카토케이타
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/2053 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/31144 , G03F7/0041 , G03F7/0382
摘要： 패턴형성방법은, (i) 기판상에, 하기공정 (i-1), 하기공정 (i-2) 및하기공정 (i-3)을이 순서로행하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정, (i-1) 기판상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (1)을이용하여제1 막을형성하는공정 (i-2) 제1 막을노광하는공정 (i-3) 노광한제1 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정 (iii) 적어도제1 네거티브형패턴상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (2)를이용하여제2 막을형성하는공정, (v) 제2 막을노광하는공정, 및 (vi) 노광한제2 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 적어도제1 네거티브형패턴상에제2 네거티브형패턴을형성하는공정을 갖는다.
摘要翻译：图案形成方法包括通过使用光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物在基板上形成第一膜的步骤（i-1）来在基板上形成第一负型图案的步骤（i），步骤 i-2），使第一膜和第（i-3）步曝光; 使用光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物（2）至少在第一负型图案上形成第二膜的步骤（iii）。步骤（v）使第二膜曝光; 以及步骤（vi），使至少在第一负型图案上显影出曝光的第二膜并形成第二负型图案。

8. 发明公开

KR1020160043013A 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 처리제 有权
标题翻译：图案形成方法，电子设备生产方法和加工代理
公开(公告)号：KR1020160043013A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020167006366
申请日：2014-09-01
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 에노모토유이치로 , 우에바료스케 , 시라카와미치히로 , 후루타니하지메 , 고토아키요시 , 코지마마사후미
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/42 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/20 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0273
摘要： (1) 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여, 막을형성하는공정, (2) 상기막을, 활성광선또는방사선에의하여노광하는공정, (3) 상기막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여피처리패턴을형성하는공정, 및 (4) 상기피처리패턴에대하여, 1급아미노기및 2급아미노기중 적어도어느하나를갖는화합물 (x)를포함하는처리제를작용시켜, 처리완료패턴을얻는공정을포함하는, 패턴형성방법에의하여, 패턴에처리제를작용시키는(이른바, 슈링크공정을실시하는) 것에의하여패턴의미세화를도모하는패턴형성방법에있어서, 상기패턴의미세화가우수한것에의하여, 초미세한스페이스폭(예를들면 60nm 이하)을갖는라인앤드스페이스패턴을확실히형성할수 있고, 또한, 그라인앤드스페이스패턴을, 슈링크공정이적용된후에있어서의러프니스성능이우수한상태에서형성가능한패턴형성방법및 그에이용되는처리제, 및상기패턴형성방법을사용하는전자디바이스의제조방법을제공한다.

9. 发明授权

KR101462972B1 패턴 형성 방법, 다층 레지스트 패턴, 유기용제 현상용 다층 필름, 레지스트 조성물, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 有权
标题翻译：图案形成方法，多层电阻图案，用于有机溶剂开发的多层膜，电阻组合物，制造电子器件的方法和电子器件
公开(公告)号：KR101462972B1
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020147011155
申请日：2012-10-19
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 시라카와미치히로 , 카토케이타 , 오다니타다히로 , 나카무라아츠시 , 타카하시히데노리 , 이와토카오루
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/325 , H01L21/0271
摘要： (i) 제 1 수지 조성물(I)을 이용하여 기판 상에 제 1 필름을 형성하는 공정, (ii) 상기 수지 조성물(I)과 다른 제 2 수지 조성물(II)을 이용하여 제 1 필름 상에 제 2 필름을 형성하는 공정, (iii) 상기 제 1 필름 및 제 2 필름을 갖는 다층 필름을 노광하는 공정, 및 (iv) 상기 노광된 다층 필름에 있어서의 상기 제 1 필름 및 제 2 필름을 유기용제 함유 현상액을 이용하여 현상하여 네거티브 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법.

10. 发明公开

KR1020120098416A 패턴형성방법, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 레지스트막 审中-实审
标题翻译：图案形成方法，丙烯酸敏感或辐射敏感性树脂组合物和耐腐蚀膜
公开(公告)号：KR1020120098416A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020120011570
申请日：2012-02-06
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 카타오카쇼헤이 , 타카하시히데노리 , 야마구치슈헤이 , 사이토쇼이치 , 시라카와미치히로 , 요시노후미히로
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/00 , G03F7/32 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0002 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/322
摘要： PURPOSE: A pattern forming method, an active ray-sensitive or radiation ray-sensitive resin composition for the method, and a resist film formed by the same are provided to improve exposure latitude and line width roughness. CONSTITUTION: A pattern forming method includes the following: a film is formed by using an active ray-sensitive or radiation ray-sensitive resin composition; the film is exposed; and a developer containing an organic solvent develops the exposed film. The active ray-sensitive or radiation ray-sensitive resin composition contains a resin. The resin includes a repeating unit with a group generating a polar group by the action of acid and a repeating unit represented by chemical formula I or II. In chemical formula I and II, R11 and R21 are respectively hydrogen atoms or alkyl groups; R12 and R22 are respectively alkyl groups, cycloalkyl groups, alkoxy groups, alkoxy carbonyl groups, carboxyl groups, halogen atoms, hydroxyl groups, or cyano groups. R13 and R23 are respectively alkylene groups, cycloalkylene groups, or the combination of the same; Y1 and Y2 are respectively single bonds, ether bonds, ester bonds, amide bonds, urethane bonds, or ureylene bonds; and X1 and X2 are respectively methylene groups, methyl methylene groups, dimethyl methylene groups, ethylene groups, oxygen atoms, or sulfur atoms.
摘要翻译：目的：提供用于该方法的图案形成方法，主动射线敏感或辐射敏感性树脂组合物以及由其形成的抗蚀剂膜以改善曝光宽容度和线宽粗糙度。构成：图案形成方法包括：通过使用活性射线敏感或辐射敏感树脂组合物形成膜; 电影曝光; 并且含有有机溶剂的显影剂显影曝光的膜。活性射线敏感或辐射敏感性树脂组合物含有树脂。树脂包括具有通过酸作用产生极性基团的基团的重复单元和由化学式I或II表示的重复单元。在化学式I和II中，R 11和R 21分别是氢原子或烷基; R 12和R 22分别是烷基，环烷基，烷氧基，烷氧基羰基，羧基，卤素原子，羟基或氰基。 R13和R23分别是亚烷基，亚环烷基或它们的组合; Y1和Y2分别是单键，醚键，酯键，酰胺键，氨基甲酸酯键或脲基键; X1和X2分别是亚甲基，甲基亚甲基，二甲基亚甲基，亚乙基，氧原子或硫原子。

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