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    • 본발명은물리적두께가 30 nm 이하인금속 M의산화물의하나이상의층으로표면의적어도일부분이코팅된기재를얻는방법에관한것으로, 상기산화물층은은의하나이상의층을포함하는층의스택에포함되지않는다. 상기방법은금속 M, 금속 M의질화물, 금속 M의탄화물또는금속 M의산소가화학량론적양 이하인산화물로부터선택된물질의하나이상의중간층을캐소드스퍼터링(cathodic sputtering)에의해침착시키고, 상기중간층이티타늄산화물을기재로하는층의위 또는아래에침착되지않고, 상기중간층의물리적두께가 30 nm 이하인단계; 및상기중간층의표면의적어도일부분을열 처리에의해산화시키고, 그동안상기중간층이산화성분위기, 특히공기와직접접촉되고, 상기기재의온도는열 처리동안 150℃를초과하지않는단계를포함한다.
    • 本发明涉及一种用于获得所述表面涂覆的基材的至少一部分以一个或多个30nm或更小的金属M的氧化物层的物理厚度的方法,所述氧化物层包括层,其包括的所述至少一个层的叠层 它没有。 该方法包括通过一个金属M,金属M的氮化物,金属M uitan货物或金属氧的M为化学计量量的阴极溅射(阴极溅射)从不会比中间层的氧化物更选择的材料中的至少一个中间层上沉积为氧化钛 其中中间层不沉积在基于第一层的层的上方或下方,并且中间层的物理厚度为30nm或更小; 和氧化至少通过热处理所述中间层,在此期间,中间层是在与氧化气氛直接接触的表面的一部分,特别是空气,所述基板的所述温度包括在热处理过程中的步骤不超过150℃。