会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 4. 发明公开
    • 박막 침착 방법
    • 薄膜沉积法
    • KR1020120091043A
    • 2012-08-17
    • KR1020127008329
    • 2010-09-30
    • 쌩-고벵 글래스 프랑스
    • 카르샹코앙드리뒤랑도안느나도니콜라
    • C03C17/00C03C17/245C23C14/58
    • C03C17/002C03C17/245C03C2217/71C03C2218/154C03C2218/322C23C14/0635C23C14/0641C23C14/14C23C14/185C23C14/541C23C14/5813C23C14/5853Y10S977/755Y10S977/891Y10T428/24917
    • 본 발명은 물리적 두께가 30 nm 이하인 금속 M의 산화물의 하나 이상의 층으로 표면의 적어도 일부분이 코팅된 기재를 얻는 방법에 관한 것으로, 상기 산화물 층은 은의 하나 이상의 층을 포함하는 층의 스택에 포함되지 않는다. 상기 방법은 금속 M, 금속 M의 질화물, 금속 M의 탄화물 또는 금속 M의 산소가 화학량론적 양 이하인 산화물로부터 선택된 물질의 하나 이상의 중간층을 캐소드 스퍼터링(cathodic sputtering)에 의해 침착시키고, 상기 중간층이 티타늄 산화물을 기재로 하는 층의 위 또는 아래에 침착되지 않고, 상기 중간층의 물리적 두께가 30 nm 이하인 단계; 및 상기 중간층의 표면의 적어도 일부분을 열 처리에 의해 산화시키고, 그 동안 상기 중간층이 산화성 분위기, 특히 공기와 직접 접촉되고, 상기 기재의 온도는 열 처리 동안 150℃를 초과하지 않는 단계를 포함한다.
    • 本发明的主题是用至少一种金属M的氧化物的至少一部分获得涂覆在其表面的至少一部分的基板的方法,其物理厚度为30nm以下,所述氧化膜不是 所述方法包括以下步骤:选自金属M,金属M的氮化物,金属M的碳化物和氧化合物的至少一种中间膜,所述金属M的氧化物化学计量氧化物 金属M通过溅射沉积,所述中间膜不沉积在氧化钛基膜之上或之下,所述中间膜的物理厚度为30nm或更小; 并且所述中间膜的表面的至少一部分通过热处理被氧化,在该过程中所述中间膜与氧化气氛,特别是空气直接接触,所述热处理期间所述基材的温度不超过150℃。
    • 6. 发明授权
    • 박막 침착 방법
    • 薄膜沉积法
    • KR101746245B1
    • 2017-06-12
    • KR1020127008329
    • 2010-09-30
    • 쌩-고벵 글래스 프랑스
    • 카르샹코앙드리뒤랑도안느나도니콜라
    • C03C17/00C03C17/245C23C14/58
    • C03C17/002C03C17/245C03C2217/71C03C2218/154C03C2218/322C23C14/0635C23C14/0641C23C14/14C23C14/185C23C14/541C23C14/5813C23C14/5853Y10S977/755Y10S977/891Y10T428/24917
    • 본발명은물리적두께가 30 nm 이하인금속 M의산화물의하나이상의층으로표면의적어도일부분이코팅된기재를얻는방법에관한것으로, 상기산화물층은은의하나이상의층을포함하는층의스택에포함되지않는다. 상기방법은금속 M, 금속 M의질화물, 금속 M의탄화물또는금속 M의산소가화학량론적양 이하인산화물로부터선택된물질의하나이상의중간층을캐소드스퍼터링(cathodic sputtering)에의해침착시키고, 상기중간층이티타늄산화물을기재로하는층의위 또는아래에침착되지않고, 상기중간층의물리적두께가 30 nm 이하인단계; 및상기중간층의표면의적어도일부분을열 처리에의해산화시키고, 그동안상기중간층이산화성분위기, 특히공기와직접접촉되고, 상기기재의온도는열 처리동안 150℃를초과하지않는단계를포함한다.
    • 本发明涉及一种用于获得所述表面涂覆的基材的至少一部分以一个或多个30nm或更小的金属M的氧化物层的物理厚度的方法,所述氧化物层包括层,其包括的所述至少一个层的叠层 它没有。 该方法包括通过一个金属M,金属M的氮化物,金属M uitan货物或金属氧的M为化学计量量的阴极溅射(阴极溅射)从不会比中间层的氧化物更选择的材料中的至少一个中间层上沉积为氧化钛 其中中间层不沉积在基于第一层的层的上方或下方,并且中间层的物理厚度为30nm或更小; 和氧化至少通过热处理所述中间层,在此期间,中间层是在与氧化气氛直接接触的表面的一部分,特别是空气,所述基板的所述温度包括在热处理过程中的步骤不超过150℃。