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21. 发明公开

KR1020070058939A 유전체 박막을 포함하는 메모리 소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：包括电介质薄膜的存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070058939A
公开(公告)日：2007-06-11
申请号：KR1020060044063
申请日：2006-05-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 최성율 , 유민기 , 김안순 , 아칠성 , 유한영
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/4234 , H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要： A method device including a dielectric thin film is provided to simplify the structure of a memory device and embody integration of the memory device by using a dielectric thin film having a simple structure in which a plurality of dielectric layers are stacked. At least one dielectric thin film(130) is formed on a lower electrode(120), including a plurality of dielectric layers having different charge trap densities. An upper electrode(125) is formed on the dielectric thin film. Different space-charge limit currents flow through the dielectric thin film according to the charge trap density, controlled according to the impurities added to the dielectric thin film.
摘要翻译：提供一种包括电介质薄膜的方法装置，以简化存储器件的结构，并且通过使用具有堆叠多个电介质层的简单结构的电介质薄膜来实现存储器件的集成。至少一个电介质薄膜（130）形成在下电极（120）上，包括具有不同电荷陷阱密度的多个电介质层。在电介质薄膜上形成上电极（125）。不同的空间电荷极限电流根据电荷陷阱密度流过电介质薄膜，根据添加到电介质薄膜中的杂质控制。

22. 发明公开

KR1020110034533A 바이오 센서 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：生物传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110034533A
公开(公告)日：2011-04-05
申请号：KR1020100024235
申请日：2010-03-18
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김태엽 , 양종헌 , 안창근 , 박찬우 , 아칠성 , 김안순 , 성건용 , 박선희
IPC分类号： G01N27/02 , G01N33/48 , B82B3/00
摘要： PURPOSE: A biosensor and a manufacturing method thereof are provided to limit the flow of current using an insulating layer channel including a silicon nano dot instead of a silicon nano wire. CONSTITUTION: A biosensor(300) comprises a source(120), a drain(130), an insulating layer channel, and a probe molecule(160). The source and the drain are formed on the upper part of the substrate. The insulating layer channel is formed between the source and the drain. The insulating layer channel comprises a nano dot. The probe molecule is fixed to the insulating layer channel. The probe molecule reacts on target molecule injected from the outside. The probe molecule is fixed to the nano dot.
摘要翻译：目的：提供生物传感器及其制造方法，以使用包含硅纳米点而不是硅纳米线的绝缘层通道来限制电流的流动。构成：生物传感器（300）包括源（120），漏极（130），绝缘层通道和探针分子（160）。源极和漏极形成在衬底的上部。在源极和漏极之间形成绝缘层沟道。绝缘层通道包括纳米点。探针分子固定在绝缘层通道上。探针分子与从外部注入的靶分子发生反应。探针分子固定在纳米点上。

23. 发明公开

KR1020100061604A 바이오 센서 有权
标题翻译：生物传感器
公开(公告)号：KR1020100061604A
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：KR1020080120189
申请日：2008-11-29
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김태엽 , 양종헌 , 안창근 , 박찬우 , 아칠성 , 김안순 , 백인복 , 성건용 , 박선희
IPC分类号： G01N33/53 , G01N33/48
摘要： PURPOSE: A bio-sensor is provided to reduce production cost and to simply detect a target material without using a syringe pump. CONSTITUTION: A bio-sensor comprises: a sensor body for detecting a target material by interaction of the target material and sensing material; and a upper housing(110) providing a fluidic material containing the target material. The upper housing comprises: a filter(116) for filtering the filtered fluidic material; an inlet(114) of upper solution for providing the fluidic material by capillary phenomena; a flow channel(113) for providing flow of the fluidic material from the filter; an outlet(115) of upper solution for discharging the fluidic material; and a storing container(117) for storing the fluidic material through the outlet.
摘要翻译：目的：提供生物传感器以降低生产成本，并且在不使用注射泵的情况下简单地检测目标材料。构成：生物传感器包括：传感器体，用于通过目标材料和传感材料的相互作用来检测目标材料; 以及提供含有目标材料的流体材料的上壳体（110）。上壳体包括：用于过滤流体过滤材料的过滤器（116）; 上部溶液的入口（114），用于通过毛细管现象提供流体材料; 用于从过滤器提供流体材料流动的流动通道（113）用于排出流体材料的上部溶液的出口（115）; 以及用于通过出口存储流体材料的储存容器（117）。

24. 发明公开

KR1020100038961A 검출 소자 有权
标题翻译：感应装置
公开(公告)号：KR1020100038961A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：KR1020080098141
申请日：2008-10-07
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 안창근 , 박찬우 , 양종헌 , 백인복 , 아칠성 , 김안순 , 김태엽 , 성건용
IPC分类号： G01N33/53 , G01N33/48 , G01N27/26 , G01N27/327
CPC分类号： G01N27/4145 , G01N27/4146
摘要： PURPOSE: An element for detecting a specific functional group in fluid is provided to widen surface are of a conductive cubic structure and to maximize voltage variation. CONSTITUTION: A detection element comprises a detection capacitor which contains a first and second electrodes and having the first electrode at the lower portion of reaction layer; and an electric field effect transistor containing a gate electrode(240). The second electrode is conductively connected to a source electrode of the electric field effect transistor and is formed with a higher conductive material than the electric field transistor substrate(200). The electric field transistor comprises a source/drain electrode(220), gate insulating layer(230), and gate electrode.
摘要翻译：目的：提供用于检测流体中特定官能团的元件，以使表面具有导电立方结构并使电压变化最大化。构成：检测元件包括检测电容器，其包含第一电极和第二电极，并且在反应层的下部具有第一电极; 和含有栅电极（240）的电场效应晶体管。第二电极导电地连接到电场效应晶体管的源极，并且形成有比电场晶体管衬底（200）更高的导电材料。电场晶体管包括源极/漏极（220），栅极绝缘层（230）和栅电极。

25. 发明授权

KR100943707B1 나노 구조물을 포함하는 3차원 나노 소자 有权
标题翻译：包括纳米结构的三维纳米器件
公开(公告)号：KR100943707B1
公开(公告)日：2010-02-23
申请号：KR1020070100350
申请日：2007-10-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 유한영 , 김병훈 , 김안순 , 백인복 , 아칠성 , 양종헌 , 박찬우 , 안창근
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y25/00
CPC分类号： H01J49/4205 , B81B7/0025 , B81B2201/0214 , B81B2201/0271 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N2291/0257 , H01J49/0018 , H01L29/0673 , H01L29/7613 , H01L29/775 , H03H2009/02314
摘要： 본 발명은 3차원 나노 구조물을 이용한 3차원 나노 소자에 관한 것으로, 본 3차원 나노 소자는 기판 상부에 부양된 진동부와 상기 진동부의 길이 방향의 양단부를 지지하는 지지부를 구비하는 하나이상의 나노 구조물; 상기 나노 구조물의 지지부를 지지하기 위해 상기 기판 상에 형성되는 지지대; 상기 나노 구조물의 진동부 하부에 상기 나노 구조물과 교차되도록 형성되어 상기 나노 구조물을 제어하는 하나이상의 제어부; 및 상기 진동부 상에 형성되어 외부에서 유입 및 흡착되는 물질을 감지하는 감지부를 포함한다.
이에 따라, 일반적인 평면 구조에서 나노 소자와 기판 사이에 발생하는 불순물 형성을 줄일 수 있으며, 평면 구조에서 발생하지 않는 기계적 떨림 현상을 형성 시킬 수 있다. 특히, 3차원 나노구조물을 형성함으로써 기계적 전기적 특성을 가지게 하여 나노 전기적 기계특성(nanomechanical system; nems)으로부터 새로운 형태의 나노 구조물을 포함한 3차원 나노 소자를 제공할 수 있을 뿐만 아니라 평면 구조에서 형성하기 어려웠던 단전자 소자, 스핀 소자, 단전자 소자와 전계효과 트랜지스터와의 결합 등을 용이하게 형성할 수 있다.
3차원 나노 구조물, 진동부, 질량 분석 소자, 전자 소자

26. 发明授权

KR100906154B1 반도체 나노선 센서 소자 및 이의 제조 방법 失效
标题翻译：半导体纳米传感器器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100906154B1
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020070125679
申请日：2007-12-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박찬우 , 안창근 , 양종헌 , 백인복 , 아칠성 , 유한영 , 김안순 , 김태엽 , 장문규 , 전명심
IPC分类号： H01L29/00 , G01N27/00 , G01N33/48 , B82Y15/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , H01L29/0673 , H01L29/78696
摘要： 본 발명은 바이오 센서 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 통상적인 포토리소그래피 공정을 이용하여 수 내지 수십 나노미터 선폭의 실리콘 나노선 채널을 형성하고 이를 이용하여 반도체 나노선 센서 소자를 제작하는 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 나노선 센서 소자 제조 방법은, (a) SOI(Silicon On Insulator) 기판의 최상부층인 제 1 도전형 단결정 실리콘층을 식각하여 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴의 양쪽 측벽을 상기 제 1 도전형과 반대 타입인 제 2 도전형으로 도핑함으로써 제 2 도전형 채널을 형성하는 단계; (c) 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴의 양단에 전극 형성을 위한 제 2 도전형 패드를 형성하는 단계; (d) 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴의 미도핑 영역에 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴과 상기 2 도전형 채널부가 접합 절연되도록 역방향 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 1 전극을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 제 2 도전형 패드 상에 상기 제 2 도전형 채널 양단에 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
나노선, 바이오 센서, 포토리소그래피

27. 发明公开

KR1020090065124A 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：使用硅纳米线的生物传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090065124A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132575
申请日：2007-12-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 백인복 , 양종헌 , 안창근 , 유한영 , 아칠성 , 박찬우 , 김안순 , 김태엽 , 장문규 , 전명심
IPC分类号： G01N33/53 , G01N33/48 , G01N33/544
CPC分类号： G01N27/4145 , G01N27/4146
摘要： A biosensor using a silicon nano wire is provided to form the silicon nano wire in a repetitive form of same pattern and widen the area in which a probe molecule is fixed. A biosensor using a silicon nano wire comprises a source electrode(S), drain electrode(D), silicon nano(13A, 13b), probe molecules(40). A method for manufacturing the biosensor using the silicon nano wire comprises: a step of forming a buffer layer on the upper side of semiconductor substrate in which insulating layer(12) and silicon layer is sequencially formed; a step of forming electrode pattern and silicon nano wire pattern on the upper sided of buffer layer through the lithography process; a step of etching the buffer layer and silicon layer; a step of forming the electrode in the electrode pattern area; a step of removing the buffer layer of upper side to exposes the silicon nano wire; and a step of probe molecule on the exposed silicon nano wire.
摘要翻译：提供使用硅纳米线的生物传感器，以相同图案的重复形式形成硅纳米线，并扩大探针分子固定的区域。使用硅纳米线的生物传感器包括源电极（S），漏电极（D），硅纳米（13A，13b），探针分子（40）。使用该硅纳米线制造生物传感器的方法包括：在半导体衬底的上侧形成缓冲层的步骤，其中绝缘层（12）和硅层被顺序地形成; 通过光刻工艺在缓冲层的上侧形成电极图案和硅纳米线图案的步骤; 蚀刻缓冲层和硅层的步骤; 在电极图案区域中形成电极的步骤; 去除上侧的缓冲层以暴露硅纳米线的步骤; 以及暴露的硅纳米线上的探针分子的步骤。

28. 发明公开

KR1020080052321A 가스 저장 매체, 가스 저장 장치 및 그 저장 방법 有权
标题翻译：气体存储介质，气体储存装置和方法
公开(公告)号：KR1020080052321A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070094685
申请日：2007-09-18
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 유한영 , 김안순 , 양종헌 , 백인복 , 안창근 , 아칠성 , 박찬우 , 이성재 , 정태형
IPC分类号： C01B3/00 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： F17C11/005 , B01J20/0203 , B01J20/06 , B82Y30/00 , C01B3/001 , C01B3/0021 , C01B3/0031 , C01B3/0057 , C01B3/0078 , C01B3/0084 , Y02E60/325 , Y02E60/327 , Y02E60/328 , Y10S502/526 , Y10S977/762 , Y10S977/811 , Y10T428/12493 , Y10T428/26
摘要： A gas storage medium is provided to improve efficiency of gas storage capability by sufficiently securing a surface area for gas storage, a gas storage apparatus having the gas storage medium is provided, and a gas storage method using the gas storage apparatus is provided. A gas storage medium is characterized in that materials with variable ionic values are spaced from one another to form a multilayered structure, and the materials comprise excess electrons that do not participate in chemical bond. A gas storage apparatus comprises: a chamber(104); a gas storage medium(101) in which materials with variable ionic values are spaced from one another to form a multilayered structure, and the materials comprise excess electrons that do not participate in chemical bond; a heating member(105) for heating the gas storage medium; and a cooling member(106) for cooling the gas storage medium. The chamber has an inlet(104A) installed therein to flow a material to be stored into the gas storage medium, and an outlet(104B) formed therein to discharge the material to be stored from the gas storage medium. The gas storage apparatus further comprises a supporting member(103) for supporting the materials with variable ionic values.
摘要翻译：提供一种气体存储介质，通过充分确保用于气体存储的表面积来提高气体存储能力的效率，提供具有气体存储介质的气体存储装置，并且提供使用该气体存储装置的气体存储方法。气体存储介质的特征在于具有可变离子值的材料彼此间隔开以形成多层结构，并且该材料包括不参与化学键的过量电子。一种气体储存装置，包括：一个室（104）; 气体存储介质（101），其中具有可变离子值的材料彼此间隔开以形成多层结构，并且该材料包括不参与化学键的多余电子; 用于加热气体存储介质的加热构件（105）; 以及用于冷却气体存储介质的冷却构件（106）。所述室具有安装在其中的入口（104A），以将待储存的材料流入所述气体存储介质，以及形成在其中的出口（104B），以从所述气体存储介质排出待储存的材料。气体存储装置还包括用于支撑具有可变离子值的材料的支撑构件（103）。

29. 发明授权

KR100763583B1 비변형 고체표면의 선택적 개질 방법 및 상기 개질된고체표면에 대한 활성물질의 고정화 방법 有权
标题翻译：用于功能化选择性非改性固体表面的方法和在功能化固体表面上固定活性材料的方法
公开(公告)号：KR100763583B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060123685
申请日：2006-12-07
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김안순 , 유한영 , 백인복 , 양종헌 , 안창근 , 박찬우 , 이성재 , 아칠성
IPC分类号： B01J19/00 , C08J7/04 , C08J7/12
CPC分类号： G01N33/54353 , B01J2219/00497
摘要： A method for selectively reforming a non-modified solid surface and a method for immobilizing an active material on the reformed solid surface are provided to immobilize the active material strongly and stably, such as a bio-material or a functional material, on the non-modified solid surface. A non-modified solid surface, which is not oxidized or nitrified, is reformed with light-sensitive functional groups. The functional group-reformed solid surface is contacted with compounds including reactive functional groups and aldehyde protection groups. A light is applied to the solid surface to form surface-carbon couple, surface-nitrogen couple, or surface-sulfur couple. An end of the solid surface is reformed with aldehyde protection groups. Protection groups are removed from the aldehyde-reformed surface to reform the solid surface with aldehyde.
摘要翻译：提供了选择性地重整非改性固体表面的方法和将活性材料固定在重整固体表面上的方法，用于将活性材料如生物材料或功能材料牢固稳定地固定在非固化表面上，改性固体表面。未被氧化或硝化的未改性的固体表面用光敏官能团改性。将官能团重整的固体表面与包括反应性官能团和醛保护基团的化合物接触。将光施加到固体表面以形成表面 - 碳对，表面 - 氮对或表面 - 硫对。固体表面的末端用醛保护基团改性。保护基团从醛重整表面除去，用醛改性固体表面。

30. 发明授权

KR100744959B1 유기 반도체 소자 및 그 제작 방법 失效
标题翻译：有机半导体器件及其制作方法相同
公开(公告)号：KR100744959B1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：KR1020060035654
申请日：2006-04-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 최성율 , 유민기 , 김안순 , 아칠성 , 유한영
IPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00
摘要： 본 발명은 유기 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 유기 반도체 소자는 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성되는 전자 채널층과, 상기 전자 채널층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하며, 상기 전자 채널층은, 상기 제1 전극 상에 형성되는 하부 유기물층과, 상기 하부 유기물층 상에 형성되며, 상호 이격 거리를 두고 배치된 소정 크기의 나노 입자를 갖는 나노 입자층과, 상기 나노 입자층의 상부에 형성되는 상부 유기물층을 포함한다. 이에 따라, 간단한 제작 공정을 이용하여 고집적화가 가능한 유기 반도체 소자를 제작할 수 있으며, 임계 전압 특성과 소자 축소화에 따른 소자 간의 불균일성을 해결하여 우수한 성능의 반도체 소자를 구현할 수 있다.
메모리, 비휘발성 메모리, 유기물, 전기적 이 안정성, 전기전도도, 나노입자, 랑뮤어-블러짓 박막

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