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1. 发明授权

KR100943707B1 나노 구조물을 포함하는 3차원 나노 소자 有权
标题翻译：包括纳米结构的三维纳米器件
公开(公告)号：KR100943707B1
公开(公告)日：2010-02-23
申请号：KR1020070100350
申请日：2007-10-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 유한영 , 김병훈 , 김안순 , 백인복 , 아칠성 , 양종헌 , 박찬우 , 안창근
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y25/00
CPC分类号： H01J49/4205 , B81B7/0025 , B81B2201/0214 , B81B2201/0271 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N2291/0257 , H01J49/0018 , H01L29/0673 , H01L29/7613 , H01L29/775 , H03H2009/02314
摘要： 본 발명은 3차원 나노 구조물을 이용한 3차원 나노 소자에 관한 것으로, 본 3차원 나노 소자는 기판 상부에 부양된 진동부와 상기 진동부의 길이 방향의 양단부를 지지하는 지지부를 구비하는 하나이상의 나노 구조물; 상기 나노 구조물의 지지부를 지지하기 위해 상기 기판 상에 형성되는 지지대; 상기 나노 구조물의 진동부 하부에 상기 나노 구조물과 교차되도록 형성되어 상기 나노 구조물을 제어하는 하나이상의 제어부; 및 상기 진동부 상에 형성되어 외부에서 유입 및 흡착되는 물질을 감지하는 감지부를 포함한다.
이에 따라, 일반적인 평면 구조에서 나노 소자와 기판 사이에 발생하는 불순물 형성을 줄일 수 있으며, 평면 구조에서 발생하지 않는 기계적 떨림 현상을 형성 시킬 수 있다. 특히, 3차원 나노구조물을 형성함으로써 기계적 전기적 특성을 가지게 하여 나노 전기적 기계특성(nanomechanical system; nems)으로부터 새로운 형태의 나노 구조물을 포함한 3차원 나노 소자를 제공할 수 있을 뿐만 아니라 평면 구조에서 형성하기 어려웠던 단전자 소자, 스핀 소자, 단전자 소자와 전계효과 트랜지스터와의 결합 등을 용이하게 형성할 수 있다.
3차원 나노 구조물, 진동부, 질량 분석 소자, 전자 소자

2. 发明公开

KR1020150132553A 하전 물질 운반 챔버를 구비한 이온 이동도 분광 분석(IMS) 디바이스 审中-实审
标题翻译：具有充电材料运输室的离子移动光谱仪（IMS）装置
公开(公告)号：KR1020150132553A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：KR1020157030076
申请日：2014-03-18
申请人： 스미스 디텍션 몬트리올 인코포레이티드
发明人： 아타만축,보단 , 본다렌코,볼로디미르 , 세르게이브,블라드 , 쟐레스키,헨릭 , 레빈,다니엘 , 피니아르스키,마크 , 쿠벨릭,이고르 , 비안,쿤쪼우 , 펠드버그,시몬 , 그린,더글라스,제이슨 , 보소,브라이언 , 파텔,아틴제이.
IPC分类号： G01N27/62 , H01J49/02 , H01J49/04
CPC分类号： G01N27/622 , H01C3/06 , H01J49/0018 , H01J49/06 , H01J49/062 , H05K1/118
摘要： 드리프트챔버, 입구조립체, 및수집기조립체를포함하는이온검출조립체가개시된다. 드리프트챔버는실질적으로부도전성물질및/또는반도전성물질로형성된다. 패턴화된저항성트레이스는드리프트챔버의내부면또는외부면중 하나이상에피착된다. 패턴화된저항성트레이스는전기에너지원에연결되도록구성된다. 입구조립체와수집기조립체는드리프트챔버와유체소통한다. 입구조립체는샘플을수용하기위한입구, 샘플을이온화하기위한반응영역, 및드리프트챔버로의이온화된샘플의진입을제어하기위한게이트를포함한다. 수집기조립체는이온화된샘플이드리프트챔버를통과후에이온화된샘플을수집하기위한수집기플레이트를포함한다.

3. 发明公开

KR1020090035209A 나노 구조물을 포함하는 3차원 나노 소자 有权
标题翻译：包括纳米结构的三维纳米器件
公开(公告)号：KR1020090035209A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020070100350
申请日：2007-10-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 유한영 , 김병훈 , 김안순 , 백인복 , 아칠성 , 양종헌 , 박찬우 , 안창근
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y25/00
CPC分类号： H01J49/4205 , B81B7/0025 , B81B2201/0214 , B81B2201/0271 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N2291/0257 , H01J49/0018 , H01L29/0673 , H01L29/7613 , H01L29/775 , H03H2009/02314
摘要： A three dimensional nano device including nano structures is provided to complement electrical devices and optical devices to each other by improving electrical characteristics of nano device presented in a two-dimensional plane structure. A three dimensional nano device including nano structures comprises: at least one nano structure having a vibration unit(111) formed above a substrate and a support unit(112) supporting the both ends of the vibration unit; a support stand(120) formed on the substrate to support the support unit of the nano structures; a controller, formed in an upper part or lower part of the substrate or both sides of the upper part and lower part, for controlling the nano structures; a sensing unit(150) formed on the vibration unit to sense materials which are flowed in from the outside; and an external vibration unit formed in the lower part of the substrate.
摘要翻译：提供包括纳米结构的三维纳米器件，以通过改善呈现在二维平面结构中的纳米器件的电特性来彼此补充电子器件和光学器件。包括纳米结构的三维纳米器件包括：至少一个纳米结构，其具有形成在衬底上方的振动单元（111）和支撑所述振动单元两端的支撑单元（112）形成在所述基板上以支撑所述纳米结构的支撑单元的支撑台（120）形成在基板的上部或下部或上部和下部的两侧的控制器，用于控制纳米结构; 感测单元（150），其形成在所述振动单元上以感测从外部流入的材料; 以及形成在基板的下部的外部振动单元。

4. 发明授权

KR101725788B1 절연층 노출을 방지한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR101725788B1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020140150078
申请日：2014-10-31
申请人： 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 김태현 , 조동일 , 홍석준 , 이민재 , 천홍진
IPC分类号： H01J3/00 , H01J49/42 , H01J9/14 , H01J49/00 , H04B10/70 , G06N99/00
CPC分类号： G06N99/002 , H01J3/00 , H01J49/0018 , H01L49/006
摘要： 본발명의실시예는, 반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및상기반도체기판상부에각 전극중에서적어도하나의전극을지지하는절연층을포함하고, 상기절연층은제1 절연층과상기제1 절연층의상부에위치하는제2 절연층을포함하고, 상기제2 절연층은폭 방향으로상기제1 절연층보다돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.

5. 发明公开

KR1020160053099A 이온 트랩 구조를 관통하는 레이저 사용을 위한 MEMS 기반 3차원 이온트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
标题翻译：使用激光穿透芯片结构的基于MEMS的离子阱装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160053099A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140149552
申请日：2014-10-30
申请人： 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 김태현 , 조동일 , 이민재 , 홍석준 , 천홍진
IPC分类号： H01J3/00 , H01J49/00 , H01J49/42 , H04B10/70 , H04L9/12 , G06N99/00
CPC分类号： H01J49/424 , G06N99/00 , G06N99/002 , H01J3/40 , H01J9/14 , H01J3/00 , H01J49/0018 , H01J49/422 , H04B10/70 , H04L9/12
摘要： 본발명의실시예는기판의상측또는하측에제1 RF 전극레일, 제2 RF 전극레일, 하나이상의제1 DC 전극및 하나이상의제2 DC 전극을포함하는이온트랩장치에있어서, 상기기판은상기이온트랩장치의폭 방향을기준으로일측과타측이일정거리이격되어분리된공간에이온트랩영역을형성하고, 상기제1 RF 전극레일및 상기제2 RF 전극레일은상기이온트랩장치의길이방향으로나란하게배치되고, 상기일측상부에상기제1 RF 전극레일이위치하고, 상기일측하부에상기하나이상의제2 DC 전극이위치하고, 상기타측상부에상기하나이상의제1 DC 전극이위치하고, 상기타측하부에상기제2 RF 전극레일이위치하고, 상기기판의일측또는타측의외측면에서상기트랩영역으로연결된레이저관통로를구비하는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.
摘要翻译：本发明的实施例提供一种离子阱装置及其制造方法。离子阱装置包括第一RF电极轨，第二RF电极轨，至少一个第一DC电极和至少一个第二DC电极，位于衬底之上或之下。离子阱区域形成在由离子阱装置的宽度方向彼此隔开一定距离的衬底的一侧和另一侧限定的分离空间中。第一RF电极轨道和第二RF电极轨道在离子阱装置的长度方向上彼此平行地设置。第一RF电极轨设置在衬底的一侧之上。所述至少一个第二直流电极设置在所述基板的一侧的下方。所述至少一个第一DC电极设置在所述衬底的另一侧之上，并且所述第二RF电极轨设置在所述衬底的另一侧下方。激光穿透路径从衬底的一侧或另一侧的外表面延伸到离子阱区域。

6. 发明公开

KR1020160053162A 절연층 노출을 방지한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 有权
标题翻译：用于在不暴露电介质层的情况下追踪离子的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160053162A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150078
申请日：2014-10-31
申请人： 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 김태현 , 조동일 , 홍석준 , 이민재 , 천홍진
IPC分类号： H01J3/00 , H01J49/42 , H01J9/14 , H01J49/00 , H04B10/70 , G06N99/00
CPC分类号： G06N99/002 , H01J3/00 , H01J49/0018 , H01L49/006 , H01J9/14 , H01J49/0013 , H01J49/422 , H04B10/70
摘要： 본발명의실시예는, 반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및상기반도체기판상부에각 전극중에서적어도하나의전극을지지하는절연층을포함하고, 상기절연층은제1 절연층과상기제1 절연층의상부에위치하는제2 절연층을포함하고, 상기제2 절연층은폭 방향으로상기제1 절연층보다돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.
摘要翻译：本发明的一个实施例的主要目的是设计一种离子阱芯片结构的形状及其工艺方法，该方法防止离子阱芯片结构中包含的绝缘层暴露于离子阱位置，以便提高俘获带电粒子如离子的性能。根据本发明的实施例，离子俘获装置包括：至少一个中心DC电极，其包括半导体衬底上的DC连接焊盘和连接到DC连接焊盘的DC导轨; RF电极，其包括邻近所述DC导轨设置的至少一个RF轨，以及连接到所述至少一个RF轨的RF焊盘; 至少一个横向电极，其包括相对于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个横向电极; 以及绝缘层，其在半导体衬底上支撑中心DC电极，RF电极和横向电极中的至少一个。绝缘层包括设置在第一绝缘层上的第一绝缘层和第二绝缘层，并且第二绝缘层具有在宽度方向上比第一绝缘层进一步突出的突出端。

7. 发明公开

KR1020160053115A 희생층을 이용한 이온 트랩 장치 및 그 제작 방법 审中-实审
标题翻译：用于使用真空层进行剥离的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160053115A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140149616
申请日：2014-10-30
申请人： 에스케이텔레콤 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 김태현 , 조동일 , 홍석준 , 이민재 , 천홍진 , 최병두
IPC分类号： H01J49/42
CPC分类号： H01J49/0018 , H01J49/42
摘要： 본발명의실시예는반도체기판상에 DC 연결패드, 및상기 DC 연결패드에연결된 DC 레일을포함하는하나이상의중앙 DC전극; 상기 DC 레일에인접하여위치하는하나이상의 RF 레일, 및상기하나이상의 RF 레일에연결된 RF 패드를포함하는 RF 전극; 상기 RF 전극을기준으로상기 DC전극반대측에위치하는하나이상의측방전극패드를포함하는하나이상의측방전극; 및각 전극과상기반도체기판사이에상기각 전극을지지하는절연층을포함하고, 상기각 전극중에서적어도하나의전극은상기절연층으로부터폭 방향으로돌출된돌출부(Overhang)를갖는이온트랩장치및 그제작방법을제공한다.
摘要翻译：本发明的目的是通过在离子捕获电极上实现具有均匀且准确的长度的电极悬垂，通过牺牲来制造最小化绝缘层的侧壁暴露于离子捕获位置的区域的离子捕获结构并且是提高通过离子捕获结构捕获的性能和稳定性。本发明的实施例提供了一种通过使用牺牲层捕获离子的装置及其制造方法。用于捕获离子的装置包括：一个或多个中心DC电极，包括半导体衬底上的DC连接焊盘和连接到DC连接焊盘的DC导轨; RF电极，其包括邻近所述DC导轨设置的至少一个RF轨和连接到所述至少一个RF轨的RF焊盘; 至少一个横向电极，其包括相对于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个横向电极焊盘; 以及设置在各个电极和半导体衬底之间并且支撑各个电极的绝缘层。各个电极中的至少一个具有从宽度方向从绝缘层突出的突出端。

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