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21. 发明公开

KR1020160147239A 웨트 에칭 장치 审中-实审
标题翻译：湿式蚀刻设备
公开(公告)号：KR1020160147239A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：KR1020160167523
申请日：2016-12-09
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시노부오 , 구로카와요시아키 , 하마다고이치
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/6708 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/32134 , H01L21/67075 , H01L2924/01015
摘要： 본발명은적절한실리카농도의인산수용액을공급하여, 질화막과산화막에서의충분한선택비에의한웨트에칭을행할수 있는웨트에칭장치를제공하는것을목적으로한다. 인산수용액을저류하는저류부(20)와, 실리카첨가제를저류하는첨가제저류부(30)와, 저류부(20)에저류된인산수용액의실리카농도를검출하는농도검출부(22)와, 농도검출부(22)에의해검출된인산수용액의실리카농도가정해진값보다낮은경우에, 첨가제저류부(30)로부터저류부(20)에실리카첨가제를공급하는제어부(100)와, 저류부(20)에저류된인산수용액에의해기판(W)을처리하는처리부(40)를구비한다.
摘要翻译：本发明提供二氧化硅的适当浓度的磷酸水溶液，其目的在于提供一种能够以足够的选择性eseoui氮化物膜和氧化物比率进行湿式蚀刻的湿式蚀刻装置。储器20和添加剂贮罐30，密度检测单元22，用于检测磷酸的水溶液的二氧化硅浓度保持在存储部20，密度检测单元，用于存储一个硅石添加剂用于存储磷酸的水溶液到22比值时，在磷酸的水溶液中测定的二氧化硅浓度被检测到，如果通过，在添加剂控制单元100，用于从贮存器30，贮存器20上的储存器20供给的二氧化硅添加剂以及处理部分（40），用于通过存储的磷酸水溶液处理基板（W）。

22. 发明公开

KR1020150013342A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR1020150013342A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020147036554
申请日：2011-01-20
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 구로카와요시아키 , 하마다고이치 , 고바야시노부오 , 나가시마유지
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02052 , G03F7/423 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/0273
摘要： 본 발명의 목적은 처리액을 보다 효율적으로 가열하면서 효율적으로 사용하여 판형 기판의 표면을 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. 회전하는 기판 유지부(10)에 유지된 판형 기판(100)의 표면에 처리액(S)을 공급하는 처리액 공급 기구(50)를 구비하고, 처리액(S)에 의해 판형 기판(100)의 표면을 처리하는 기판 처리 장치로서, 기판 유지부(10)에 유지된 판형 기판(100)의 표면에 대하여 소정 간격을 갖고서 대향 배치되고, 판형 기판(100)의 표면과의 사이에 처리액을 유지하는 처리액 유지 플레이트(15)와, 처리액 유지 플레이트(15)의 기판 유지부(10)의 회전축에 대응하는 위치를 포함하는 소정 영역에 접하여 상기 소정 영역을 가열하는 가열부(20)를 가지고, 처리액 공급 기구는, 기판 유지부(10)와 함께 회전하는 판형 기판(100)의 표면과 가열부(20)에 의해 가열되는 처리액 유지 플레이트(15) 사이의 간극에 처리액(S)을 공급하는 구성이 된다.
摘要翻译：本发明提供一种可以更有效地加热和更有效地使用处理溶液来处理板状基板的表面的基板处理装置。 [解决方案]一种基板处理装置，其具有处理液供给机构50，并将处理液S供给到保持在基板保持部10上的板状基板的表面，并使用处理液S进行处理板状基板100的表面，该基板处理装置具有处理液保持板15，该处理液保持板15相对于保持在基板保持部10的板状基板100的表面配置成超过预定距离，其保持与板状基板100的表面的处理溶液和与处理液保持板15的预定区域接触的加热部30，其包括与基板保持部10的旋转轴线对应的位置，加热预定区域，并且处理溶液进料机构将处理溶液S进料到板状su的表面之间的间隙与基板保持部10以及被加热部20加热的处理液保持板15一起旋转的突起部100。

23. 发明授权

KR100654697B1 스핀처리장치 有权
标题翻译：纺纱设备
公开(公告)号：KR100654697B1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：KR1020000041399
申请日：2000-07-19
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 구로가와요시아끼 , 고바야시노부오
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼의 하면을 양호하게 처리할 수 있게 한 스핀처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
반도체 웨이퍼를 회전시킴과 동시에 이 반도체 웨이퍼의 하면에 처리액을 분사하여 처리하는 스핀처리장치에 있어서,
컵체 (1), 이 컵체 내에 설치된 회전구동되는 회전체 (12), 이 회전체에 형성되어 상기 기판을 탈착 가능하게 유지하는 유지부재 (22), 이 유지부재에 의해 유지되는 상기 반도체 웨이퍼의 하면에 대향하는 위치에 배치되어 이 반도체 웨이퍼의 하면을 향해 처리액을 분사하는 하부처리액용 노즐 (55) 이 형성된 노즐헤드 (46), 이 노즐헤드의 상면으로 개방하여 형성된 오목부 (51), 및 이 오목부의 내저부를 통과하여 형성되며 오목부 내에 적하되는 처리액을 배출하는 액배출구멍 (53) 을 구비한 것을 특징으로 한다.

24. 发明授权

KR102129450B1 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102129450B1
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：KR1020170027025
申请日：2017-03-02
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시노부오 , 하마다고이치 , 구로카와요시아키 , 후루야마사아키 , 모리히데키 , 와타나베야스시 , 하야시요시노리
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/687

25. 发明授权

KR101937017B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR101937017B1
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：KR1020170036806
申请日：2017-03-23
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시노부오 , 고가와다케키 , 야마자키가츠히로 , 사이토유키
IPC分类号： H01L21/67

26. 发明授权

KR101555088B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR101555088B1
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020127021668
申请日：2011-01-20
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 구로카와요시아키 , 하마다고이치 , 고바야시노부오 , 나가시마유지
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02052 , G03F7/423 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67109
摘要： 본발명의목적은처리액을보다효율적으로가열하면서효율적으로사용하여판형기판의표면을처리할수 있는기판처리장치를제공하는것이다. 회전하는기판유지부(10)에유지된판형기판(100)의표면에처리액(S)을공급하는처리액공급기구(50)를구비하고, 처리액(S)에의해판형기판(100)의표면을처리하는기판처리장치로서, 기판유지부(10)에유지된판형기판(100)의표면에대하여소정간격을갖고서대향배치되고, 판형기판(100)의표면과의사이에처리액을유지하는처리액유지플레이트(15)와, 처리액유지플레이트(15)의기판유지부(10)의회전축에대응하는위치를포함하는소정영역에접하여상기소정영역을가열하는가열부(20)를가지고, 처리액공급기구는, 기판유지부(10)와함께회전하는판형기판(100)의표면과가열부(20)에의해가열되는처리액유지플레이트(15) 사이의간극에처리액(S)을공급하는구성이된다.

27. 发明公开

KR1020010049817A 스핀처리장치 有权
标题翻译：旋转加工设备
公开(公告)号：KR1020010049817A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1020000041399
申请日：2000-07-19
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 구로가와요시아끼 , 고바야시노부오
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: To provide a spin processing apparatus which can preferably process the lower surface of a semiconductor wafer. CONSTITUTION: This spin processing apparatus for processing a lower surface of a semiconductor wafer by rotating the wafer and injecting a processing solution against the lower surface of the wafer includes a cup member, a rotor 12 provided within the cup to be driven rotatably, a holder member 22 provided on the rotor for removably holding a substrate, a nozzle head 46 having a processing solution nozzle 55 disposed at a position opposed to the lower surface of the wafer held by the holder member for ejecting a processing solution toward the lower surface of the wafer, a recess 51 made open to the upper surface of the nozzle head, and a solution discharge hole 53 which is made to communicate with the inner bottom of the recess for discharging the processing solution which drops into the recess.
摘要翻译：目的：提供可以优选处理半导体晶片的下表面的旋转处理装置。构成：用于通过旋转晶片并将处理溶液注入晶片的下表面来处理半导体晶片的下表面的旋转处理装置包括杯构件，设置在杯内以可旋转驱动的转子12，保持器设置在转子上用于可移除地保持基板的构件22，具有处理溶液喷嘴55的喷嘴头46，该喷嘴头46设置在与由保持器构件保持的晶片的下表面相对的位置处，用于将处理溶液向下表面喷射晶片，向喷嘴头的上表面开口的凹部51，以及与凹部的内底部连通而排出落入凹部的处理液的溶液排出孔53。

28. 发明授权

KR102253286B1 웨트 에칭 장치 有权
公开(公告)号：KR102253286B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020190169753
申请日：2019-12-18
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시노부오 , 구로카와요시아키 , 하마다고이치
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67
摘要： 본발명은적절한실리카농도의인산수용액을공급하여, 질화막과산화막에서의충분한선택비에의한웨트에칭을행할수 있는웨트에칭장치를제공하는것을목적으로한다. 인산수용액을저류하는저류부(20)와, 실리카첨가제를저류하는첨가제저류부(30)와, 저류부(20)에저류된인산수용액의실리카농도를검출하는농도검출부(22)와, 농도검출부(22)에의해검출된인산수용액의실리카농도가정해진값보다낮은경우에, 첨가제저류부(30)로부터저류부(20)에실리카첨가제를공급하는제어부(100)와, 저류부(20)에저류된인산수용액에의해기판(W)을처리하는처리부(40)를구비한다.

29. 发明授权

KR102062749B1 웨트 에칭 장치 有权
公开(公告)号：KR102062749B1
公开(公告)日：2020-01-06
申请号：KR1020160167523
申请日：2016-12-09
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시노부오 , 구로카와요시아키 , 하마다고이치
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67

30. 发明授权

KR102091726B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102091726B1
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：KR1020170040535
申请日：2017-03-30
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시노부오 , 사사히라고노스케 , 야마자키가츠히로
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687

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