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    • 3. 发明公开
    • 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
    • 基板处理方法和基板处理装置
    • KR1020150037632A
    • 2015-04-08
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    • H01L21/306
    • H01L21/31111H01L21/67017H01L21/6708
    • [과제] 가능한한 큰설비를이용하지않고, 에칭처리와함께그 에칭처리에복귀할수 있는인산을보다효율적으로재생할수 있는기판처리장치를제공하는것이다. [해결수단] 질화막이형성된실리콘제기판(W)을인산을함유하는에칭액에의해처리하는기판처리장치로서, 1장씩공급되는기판의각각에적량의에칭액을부여하여상기기판에대한에칭처리를행하고, 질화막을제거하는에칭처리부(30)와, 상기 1장의상기기판을처리한만큼의사용완료에칭액과, 그사용완료에칭액의양에대하여적량의플루오르화수소산용액을정해진온도환경하에서혼합하여인산을재생하는인산재생부(30)와, 상기인산재생부에의해얻어진인산을상기에칭처리부에서사용되는에칭액으로복귀시키는인산회수부(38, 50, 52)를갖는구성이된다.
    • [问题]提供一种能够以更有效的方式回收在蚀刻工艺中使用的磷酸而不依靠昂贵的设备的基板处理装置。 [解决方案]这是使用含磷酸蚀刻溶液处理硝酸盐成膜硅基板(W)的基板处理装置。 本发明由蚀刻处理单元(30)构成,该处理单元(30)通过向每个基板施加一定量的蚀刻溶液并除去硝酸盐膜来对每个基板进行蚀刻处理; 磷酸回收单元(30),其通过在给定温度条件下与用于处理基材的蚀刻溶液的量成比例混合适量的氢氟酸来回收磷酸; 以及收集回收单元中回收的磷酸的磷酸收集单元(38,50,52),以返回到在蚀刻处理单元中再次使用的蚀刻溶液。