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1. 发明授权

KR101971227B1 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101971227B1
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：KR1020170022818
申请日：2017-02-21
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 하마다고이치 , 고바야시노부오
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/324

2. 发明公开

KR1020170100431A 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：基板处理装置，基板处理方法及基板制造方法
公开(公告)号：KR1020170100431A
公开(公告)日：2017-09-04
申请号：KR1020170022818
申请日：2017-02-21
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 하마다고이치 , 고바야시노부오
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/324
摘要： 본발명은높은처리성능을확보할수 있는기판처리장치, 기판처리방법및 기판의제조방법을제공한다. 실시형태에따른기판처리장치는, 기판을지지하는기판지지부와, 상기기판을회전시키는회전부와, 상기기판의표면에처리액을공급하는처리액공급부와, 상기기판을회전시키면서, 상기처리액의공급을행하는기판처리가한창일때에, 처리를계속하면서, 미리설정된타이밍에, 상기처리액이기판으로부터배출되는배액속도를변화시키는배액처리를행하는, 제어부를구비한다.
摘要翻译：本发明提供能够确保高处理性能的基板处理装置，基板处理方法以及基板制造方法。根据本发明实施例的基板处理设备包括：基板支撑部，用于支撑基板;旋转部，用于旋转基板;处理液供应部，用于将处理液供应到基板的表面; 以及控制单元，用于在供给的基板处理完成时继续处理的同时，执行液体清除处理，以在预定时间改变处理液从基板排出的液体清除速度。

3. 发明授权

KR101687924B1 웨트 에칭 장치 有权
标题翻译：湿蚀刻装置
公开(公告)号：KR101687924B1
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020150186442
申请日：2015-12-24
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시노부오 , 구로카와요시아키 , 하마다고이치
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/6708
摘要： 본발명은적절한실리카농도의인산수용액을공급하여, 질화막과산화막에서의충분한선택비에의한웨트에칭을행할수 있는웨트에칭장치를제공하는것을목적으로한다. 인산수용액을저류하는저류부(20)와, 실리카첨가제를저류하는첨가제저류부(30)와, 저류부(20)에저류된인산수용액의실리카농도를검출하는농도검출부(22)와, 농도검출부(22)에의해검출된인산수용액의실리카농도가정해진값보다낮은경우에, 첨가제저류부(30)로부터저류부(20)에실리카첨가제를공급하는제어부(100)와, 저류부(20)에저류된인산수용액에의해기판(W)을처리하는처리부(40)를구비한다.
摘要翻译：湿蚀刻装置包括：用于储存磷酸水溶液的储存器单元，用于储存二氧化硅添加剂的添加剂储存单元; 浓度检测单元，被配置为检测存储在所述储存器单元中的磷酸水溶液中的二氧化硅浓度; 如果由浓度检测单元检测到的磷酸水溶液中的二氧化硅浓度低于规定值，则控制单元被配置为将二氧化硅添加剂从添加剂储存器单元供应到储存器单元; 以及处理单元，其被配置为用存储在所述储存器单元中的磷酸水溶液处理所述基板。

4. 发明授权

KR101246525B1 전해 황산에 의한 세정방법 및 반도체장치의 제조방법 有权
标题翻译：电解硫酸清洗方法及半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR101246525B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020090058381
申请日：2009-06-29
申请人： 티센크루프 우데 크로린 엔지니어스 가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바 , 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 도몬히로키 , 오가와유스케 , 가토마사아키 , 기시다카미치 , 하야미즈나오야 , 단게마키코 , 구로카와요시아키 , 고바야시노부오
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： C11D11/007 , C11D7/08 , C11D11/0047 , C25B1/285 , G03F7/423 , H01L21/31133
摘要： 본 발명은 전해 황산의 생성을 위한 전류 효율을 향상시키는 것과 동시에, 레지스트 등의 세정 박리 효율을 높일 수 있는 전해 황산에 의한 세정방법 및 반도체장치의 제조 방법에 관한 것이다.
상세하게는, 황산 전해조에 외부로부터 제 1 황산용액을 공급하여 전해를 행하고, 상기 황산 전해조내에 산화성 물질을 함유하는 제 1 전해 황산을 생성하는 공정과, 상기 황산 전해조내에, 외부로부터, 먼저 공급한 제 1 황산용액보다 농도가 높은 제 2 황산용액을 공급하고, 상기 황산 전해조내에 있어서, 상기 제 2 황산과 상기 제 1 전해 황산을 혼합하는 것과 동시에, 전해를 더 행하고, 상기 황산 전해조내에 황산과 산화성 물질을 함유하는 제 2 전해 황산으로 이루어진 세정액을 생성하는 공정과, 상기 세정액을 이용하여 세정 대상물의 세정처리를 행하는 세정처리 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 전해 황산에 의한 세정방법 및 상기 세정 장치를 이용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.

5. 发明公开

KR1020120106899A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR1020120106899A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020127021668
申请日：2011-01-20
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 구로카와요시아키 , 하마다고이치 , 고바야시노부오 , 나가시마유지
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02052 , G03F7/423 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/0274 , H01L21/30604
摘要： 본 발명의 목적은 처리액을 보다 효율적으로 가열하면서 효율적으로 사용하여 판형 기판의 표면을 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. 회전하는 기판 유지부(10)에 유지된 판형 기판(100)의 표면에 처리액(S)을 공급하는 처리액 공급 기구(50)를 구비하고, 처리액(S)에 의해 판형 기판(100)의 표면을 처리하는 기판 처리 장치로서, 기판 유지부(10)에 유지된 판형 기판(100)의 표면에 대하여 소정 간격을 갖고서 대향 배치되고, 판형 기판(100)의 표면과의 사이에 처리액을 유지하는 처리액 유지 플레이트(15)와, 처리액 유지 플레이트(15)의 기판 유지부(10)의 회전축에 대응하는 위치를 포함하는 소정 영역에 접하여 상기 소정 영역을 가열하는 가열부(20)를 가지고, 처리액 공급 기구는, 기판 유지부(10)와 함께 회전하는 판형 기판(100)의 표면과 가열부(20)에 의해 가열되는 처리액 유지 플레이트(15) 사이의 간극에 처리액(S)을 공급하는 구성이 된다.

6. 发明授权

KR101165918B1 세정 방법, 세정 시스템, 및 미세 구조체의 제조 방법 有权
标题翻译：清洁方法，清洁系统和制造微结构的方法
公开(公告)号：KR101165918B1
公开(公告)日：2012-07-20
申请号：KR1020100091630
申请日：2010-09-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 티센크루프 우데 크로린 엔지니어스 가부시키가이샤 , 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 하야미즈나오야 , 단게마끼꼬 , 가또마사아끼 , 도몬히로끼 , 오가와유스께 , 구로까와요시아끼 , 고바야시노부오
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： C25B1/28 , G03F7/423
摘要： 한 실시 형태에 따르면, 세정 방법이 개시된다. 본 방법은, 희석 황산 용액을 전기 분해해서 산화성 물질을 포함하는 산화성 용액을 생성할 수 있다. 또한, 고농도의 무기산 용액과 상기 산화성 용액을 세정 대상물의 표면에, 개별적으로, 순차적으로 또는 거의 동시에 공급할 수 있다.

7. 发明公开

KR1020110033797A 세정액, 세정 방법, 세정 시스템 및 미세 구조체의 제조 방법 有权
标题翻译：清洁液，清洁方法，清洁系统和制造微结构的方法
公开(公告)号：KR1020110033797A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020100092471
申请日：2010-09-20
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 , 티센크루프 우데 크로린 엔지니어스 가부시키가이샤
发明人： 하야미즈나오야 , 단게마끼꼬 , 구로까와요시아끼 , 고바야시노부오 , 가또마사아끼 , 오가와유스께 , 도몬히로끼
IPC分类号： C11D7/18 , C11D11/04 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051
摘要： PURPOSE: A cleaning liquid is provided to reduce a resist in which a modified layer is formed on the surface while not damaging a silicon oxide film and a silicon nitride film and to improve productivity. CONSTITUTION: A cleaning liquid comprises an oxidizing substance and a hydrofluoric acid and exhibits acidity. The oxidizing substance includes at least one selected from peroxomonosulfuric acid and peroxodisulfuric acid. A cleaning method comprises: producing an oxidizing solution including an oxidizing substance by one selected from electrolyzing a sulfuric acid solution, electrolyzing hydrofluoric acid added to a sulfuric acid solution, and mixing a sulfuric acid solution with aqueous hydrogen peroxide; and supplying the oxidizing solution and hydrofluoric acid to a surface of an object to be cleaned.
摘要翻译：目的：提供清洁液体，以减少在表面上形成改性层的抗蚀剂，同时不损害氧化硅膜和氮化硅膜并提高生产率。构成：清洗液含有氧化物质和氢氟酸，具有酸性。氧化物质包括选自过氧二硫酸和过氧二硫酸中的至少一种。清洗方法包括：通过选择电解硫酸溶液，电解加入到硫酸溶液中的氢氟酸，并将硫酸溶液与过氧化氢水溶液混合，制备包含氧化物质的氧化溶液; 并将氧化溶液和氢氟酸供给到待清洁物体的表面。

8. 发明公开

KR1020170113205A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
标题翻译：基板处理装置及基板处理方法
公开(公告)号：KR1020170113205A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170036806
申请日：2017-03-23
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시노부오 , 고가와다케키 , 야마자키가츠히로 , 사이토유키
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 본발명은처리액을저류하는탱크내의소망액량을정확히파악할수 있는기판처리장치및 기판처리방법을제공하는것을목적으로한다. 실시형태에따른기판처리장치는, 처리액을저류하는탱크(31)와, 탱크(31)에저류된처리액이유입되도록탱크(31)에접속되고, 탱크(31)로부터유입된처리액의액면(M1)이탱크(31) 내의처리액의증감에따라이동하도록형성된액면배관(33)과, 액면배관(33) 내의액면(M1)을검출하는액면센서(35)와, 액면배관(33) 내에서의액면(M1)보다위의배관공간에기체를공급하기위한급기배관(34)과, 급기배관(34)에의해기체가배관공간에공급되어액면배관(33) 내의액면(M1)이이동하는것에따른액면센서(35)의검출결과에기초하여액면센서(35)의오검출(誤檢出)의유무를판단하는제어부(50)를구비한다.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法，能够准确地掌握贮存处理液的槽内的所需液量。根据本实施例的基板处理装置被用于存储所述处理液设置有槽31，储存在罐31中的处理液被连接到罐31，使得入口处理液的，从罐31导入液位传感器33用于检测液位管道33中的液位M1的液位，液位传感器33用于检测液位的液位）在气体中的液体水平（M1）通过空气供给管34和供给气体到内部eseoui表面上方的管空间的空气供给管34供给到管空间表面管33（M1）是和基于液面传感器35的检测结果的控制单元50，以确定液位传感器35的存在或不存在根据移动检测义（误检出）。

9. 发明授权

KR101690402B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR101690402B1
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020147036554
申请日：2011-01-20
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 구로카와요시아키 , 하마다고이치 , 고바야시노부오 , 나가시마유지
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02052 , G03F7/423 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67109
摘要： 본발명의목적은처리액을보다효율적으로가열하면서효율적으로사용하여판형기판의표면을처리할수 있는기판처리장치를제공하는것이다. 회전하는기판유지부(10)에유지된판형기판(100)의표면에처리액(S)을공급하는처리액공급기구(50)를구비하고, 처리액(S)에의해판형기판(100)의표면을처리하는기판처리장치로서, 기판유지부(10)에유지된판형기판(100)의표면에대하여소정간격을갖고서대향배치되고, 판형기판(100)의표면과의사이에처리액을유지하는처리액유지플레이트(15)와, 처리액유지플레이트(15)의기판유지부(10)의회전축에대응하는위치를포함하는소정영역에접하여상기소정영역을가열하는가열부(20)를가지고, 처리액공급기구는, 기판유지부(10)와함께회전하는판형기판(100)의표면과가열부(20)에의해가열되는처리액유지플레이트(15) 사이의간극에처리액(S)을공급하는구성이된다.
摘要翻译：本发明提供一种可以更有效地加热和更有效地使用处理溶液来处理板状基板的表面的基板处理装置。 [解决方案]一种基板处理装置，其具有处理液供给机构50，并将处理液S供给到保持在基板保持部10上的板状基板的表面，并使用处理液S进行处理板状基板100的表面，该基板处理装置具有处理液保持板15，该处理液保持板15相对于保持在基板保持部10的板状基板100的表面配置成超过预定距离，其保持与板状基板100的表面的处理溶液和与处理液保持板15的预定区域接触的加热部30，其包括与基板保持部10的旋转轴线对应的位置，加热预定区域，并且处理溶液进料机构将处理溶液S进料到板状su的表面之间的间隙与基板保持部10以及被加热部20加热的处理液保持板15一起旋转的突起部100。

10. 发明公开

KR1020160147239A 웨트 에칭 장치 审中-实审
标题翻译：湿式蚀刻设备
公开(公告)号：KR1020160147239A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：KR1020160167523
申请日：2016-12-09
申请人： 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시노부오 , 구로카와요시아키 , 하마다고이치
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/6708 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/32134 , H01L21/67075 , H01L2924/01015
摘要： 본발명은적절한실리카농도의인산수용액을공급하여, 질화막과산화막에서의충분한선택비에의한웨트에칭을행할수 있는웨트에칭장치를제공하는것을목적으로한다. 인산수용액을저류하는저류부(20)와, 실리카첨가제를저류하는첨가제저류부(30)와, 저류부(20)에저류된인산수용액의실리카농도를검출하는농도검출부(22)와, 농도검출부(22)에의해검출된인산수용액의실리카농도가정해진값보다낮은경우에, 첨가제저류부(30)로부터저류부(20)에실리카첨가제를공급하는제어부(100)와, 저류부(20)에저류된인산수용액에의해기판(W)을처리하는처리부(40)를구비한다.
摘要翻译：本发明提供二氧化硅的适当浓度的磷酸水溶液，其目的在于提供一种能够以足够的选择性eseoui氮化物膜和氧化物比率进行湿式蚀刻的湿式蚀刻装置。储器20和添加剂贮罐30，密度检测单元22，用于检测磷酸的水溶液的二氧化硅浓度保持在存储部20，密度检测单元，用于存储一个硅石添加剂用于存储磷酸的水溶液到22比值时，在磷酸的水溶液中测定的二氧化硅浓度被检测到，如果通过，在添加剂控制单元100，用于从贮存器30，贮存器20上的储存器20供给的二氧化硅添加剂以及处理部分（40），用于通过存储的磷酸水溶液处理基板（W）。

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