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21. 发明授权

KR101680618B1 안테나 장치와 이것의 제조방법 有权
标题翻译：天线装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101680618B1
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150142208
申请日：2015-10-12
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진 , 김종환 , 윤승재 , 김재현
IPC分类号： H01Q7/00 , H05K9/00 , H01Q1/22 , H02J7/02
摘要： 본발명은안테나장치를구성함에있어서, 안테나장치의제조공정을단순화하고, 안테나장치의두께를감소시키며, 안테나장치의인덕턴스를증가시킬수 있는안테나장치와이것의제조방법에관한것이다. 이를위해안테나장치는 1차코일또는 2차코일의기능을수행하고기설정된코일패턴을형성하는코일부재및 코일부재에간섭되는자기장의차폐기능을수행하고코일부재가삽입되는내장부가구비되는제1자성시트부재를포함한다.

22. 发明授权

KR101620370B1 자기장 차폐시트의 제조방법 有权
标题翻译：磁性屏蔽片的制造方法
公开(公告)号：KR101620370B1
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020150063210
申请日：2015-05-06
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 김종환 , 윤승재 , 박홍진
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 본발명은차폐플레이트층을미세조각으로작게플레이크처리하여차폐플레이트층에서와전류(Eddy Current)에의한손실을줄일수 있는자기장차폐시트와그 제조방법에관한것이다. 이를위해자기장차폐시트는기저층과, 기저층에적층되고다수의미세조각으로분리되는차폐플레이트층과, 차폐플레이트층이접착되도록기저층의일면에적층되는고정접착층및 다수의미세조각사이의틈새에충진되도록차폐플레이트층에분사또는도포되고차폐플레이트층에적층되는충진층을포함한다.
摘要翻译：磁屏蔽片及其制造方法技术领域本发明涉及一种磁屏蔽片及其制造方法，该磁屏蔽片可以通过将屏蔽层剥落成细片而减少屏蔽层中的涡流引起的损耗。为此，磁屏蔽片包括：基底层; 所述屏蔽板层叠在所述基底层上并被分成多个细片; 固定粘合剂层，其被堆叠在所述基底层的一个表面上，使得所述遮蔽板层能够结合到所述固定粘合剂层; 以及填充层，其被注入或施加到屏蔽板层上以填充细片之间的间隙，并且堆叠在屏蔽板层上。

23. 发明授权

KR102205333B1 유리기판의 관통홀 가공방법 有权
公开(公告)号：KR102205333B1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：KR1020190133690
申请日：2019-10-25
申请人： 주식회사 비에스피 , 주중우엠텍
发明人： 박홍진 , 박성수
IPC分类号： C03C15/00 , B23K26/53 , B23K26/57
摘要： 본발명은유리기판의관통홀가공방법에관한것으로서, 내부변형영역생성단계와, 표면에칭단계와, 관통홀형성단계를포함한다. 내부변형영역생성단계는에너지강도가어블레이션한계(ablation threshold)를넘지않는레이저빔을유리기판에조사하여유리기판의표면으로부터일정거리이격된내부에홀 형상의내부변형영역을생성한다. 표면에칭단계는유리기판을에칭용액에침지하여내부변형영역이형성되지않은유리기판의표면일부가제1에칭속도로에칭되어제거되면서유리기판의박형화가이루어진다. 관통홀형성단계는유리기판이에칭용액에침지된상태에서내부변형영역이제1에칭속도보다빠른제2에칭속도로에칭되어제거되면서, 내부변형영역을따라유리기판에관통홀이형성된다.

24. 发明授权

KR102171375B1 OLED 패널의 카메라홀 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102171375B1
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：KR1020190015320
申请日：2019-02-11
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진
IPC分类号： H01L51/56 , H01L27/32 , B23K26/382

25. 发明授权

KR102089584B1 유리기판 레이저 용접장치 有权
公开(公告)号：KR102089584B1
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：KR1020180014504
申请日：2018-02-06
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진 , 서종현 , 최기철 , 나윤성 , 김민호 , 손효영
IPC分类号： B23K26/21 , B23K26/14 , B23K26/60 , B23K26/70 , B23K103/00

26. 发明公开

KR1020180117743A 마이크로 소자의 리워크 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180117743A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：KR1020170050204
申请日：2017-04-19
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 안재모 , 서종현 , 나윤성 , 김민호 , 김종환 , 박홍진
IPC分类号： H05K13/04
摘要： 본발명은기판에접합된불량마이크로소자를제거하고, 상기불량마이크로소자가제거된위치에양품마이크로소자를접합시키는마이크로소자의리워크방법이며, 예열단계와, 제1조사단계와, 제거단계와, 배치단계와, 제2조사단계와, 접합단계를포함한다. 예열단계는기판을솔더의용융온도미만의온도로예열한다. 제1조사단계는불량마이크로소자와기판사이에배치된제1솔더가용융되도록레이저빔을제1솔더에조사한다. 제거단계는기판으로부터불량마이크로소자를제거한다. 배치단계는상기불량마이크로소자가제거된위치또는양품마이크로소자에제2솔더를도포하고, 불량마이크로소자가제거된위치에양품마이크로소자를배치한다. 제2조사단계는양품마이크로소자와기판사이에배치된제2솔더가용융되도록레이저빔을제2솔더에조사한다. 접합단계는제2조사단계에서조사된레이저빔에의해제2솔더가용융되면서양품마이크로소자가기판에접합된다. 제1조사단계및 제2조사단계에서조사되는레이저빔은 500nm 이상 2㎛이하의파장을가진다.

27. 发明授权

KR101813531B1 투명전극과 이것의 제조방법 有权
标题翻译：透明电极及其制造方法
公开(公告)号：KR101813531B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020160084395
申请日：2016-07-04
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 김종환 , 윤승재 , 박홍진
IPC分类号： H01B5/14 , B32B15/08 , B32B38/16 , B32B15/02 , B32B38/00
CPC分类号： H01B5/14 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B38/162 , B32B2038/0076 , B32B2255/205 , B32B2307/412
摘要： 본발명은금속나노와이어와금속의소결을통해투명전극을형성함으로서, ITO(indium tin oxide, 인듐주석산화물)를대체하면서도투과도를향상시키고, 면저항을감소시키며, 제조비용을절감할수 있는투명전극과이것의제조방법에관한것이다. 이를위해투명전극은투명한재질의베이스기판및 베이스기판에적층고정된전극층을포함한다. 여기서, 베이스기판에는활성층이형성된다. 또한, 전극층은금속나노와이어의상호융착에의해형성되고활성층이형성된베이스기판에적층고정되는접속전극및 금속의소결에의해격자무늬또는기설정된패턴을형성함과동시에접속전극에일체로적층고정되는개선전극을포함한다.
摘要翻译：本发明金属纳米线控和形成在所述金属的烧结的透明电极，提高传输速率，而在更换ITO（氧化铟锡，氧化铟锡），减少透明电极的薄膜电阻，可以降低制造成本和及其制造方法。为此，透明电极包括由透明材料制成的基底基板和层压并固定在基底基板上的电极层。这里，在基底基板上形成有源层。此外，电极层是由金属纳米线的相互融合和有源层形成的整体层压固定到连接电极;以及形成网格图案或由金属的烧结，并在同一时间连接电极被层压固定到形成于基底基板以预定的图案还有一个改进的电极。

28. 发明授权

KR101812514B1 광 흡수 계수가 우수한 전도성 MOD 잉크 조성물 및 이를 이용한 금속 박막 형성방법 有权
标题翻译：具有优异光吸收系数的导电MOD墨水组合物和使用其的金属薄膜形成方法
公开(公告)号：KR101812514B1
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020170100840
申请日：2017-08-09
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진 , 서종현 , 최동권 , 윤승재
IPC分类号： C09D11/52 , C09D11/03 , C09D11/037 , B05D7/24 , B05D3/02 , B05D7/02 , C23C18/14
CPC分类号： C09D11/52 , B05D3/0254 , B05D7/02 , B05D7/24 , C09D11/03 , C09D11/037 , C23C18/14
摘要： 본발명은, 구리전구체와포름산이반응하여형성된구리포메이트와리간드로서아민기를포함하는구리포메이트- 아민잉크와, 상기구리포메이트- 아민잉크 100중량부에대하여은(Ag) 이온잉크 0.1∼20중량부를포함하며, 상기은(Ag) 이온잉크는 AgO 및 AgNO로이루어진군으로부터선택된 1종이상의은(Ag) 전구체와리간드로서아민기를포함하는것을특징으로하는전도성 MOD 잉크조성물및 이를이용한금속박막형성방법에관한것이다. 본발명에의하면, 전기전도성이우수하면서도낮은가격으로도제조가가능하며, 높은광흡수능력구현이가능하고, 저온광 소결공정을적용하여금속박막을형성할수 있으며, 폴리머필름과의접착력이우수한금속박막을형성할수 있다.
摘要翻译：本发明中，铜前体和甲酸铜为甲酸含有氨基作为配体和通过胺与油墨，甲酸铜 - 胺的油墨在100份重量的daehayeoeun（Ag）的反应而形成的甲酸铜离子墨水0.1-20 和包括一个权重，sanggieun（Ag）的离子墨水是使用相同导电MOD墨水组合物和所述金属薄膜形成方法，其特征在于，它包含胺基为一个构件sanguieun（Ag）的前体和选自前组中选择的配位体，和硝酸银它涉及。根据本发明，可以通过应用低温光烧结工艺形成金属箔膜，并且可以形成对聚合物膜具有优异粘合性的金属箔膜。有。

29. 发明授权

KR101794209B1 레이저를 이용한 상변화 메모리 제조방법 有权
标题翻译：用激光器制造相变存储器的方法
公开(公告)号：KR101794209B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160107208
申请日：2016-08-23
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진 , 최기철 , 김민호
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/16 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/1608
摘要： 본발명은상변화물질의상변화를유발시키고상변화물질의하측에배치되는전극부와, 전극부에의해상변화되면서저항이변경되는상변화물질을포함하는상변화메모리를제조하는방법이며, 증착단계와, 제1조사단계와, 제2조사단계를포함한다. 증착단계는기판에형성된트렌치하측에전극부가배치되고, 기판에상변화물질을증착한다. 제1조사단계는제1파장대를가지는제1레이저빔으로제1조사영역을형성하여상변화물질에조사한다. 제2조사단계는제1파장대보다긴 제2파장대를가지는제2레이저빔으로제1조사영역보다작은제2조사영역을형성하여상변화물질에조사한다. 제1조사단계에의해상변화물질이용융되고, 제2조사단계에의해상변화물질이트렌치내부로유동될수 있는온도가유지된다.
摘要翻译：制造相变存储器，其包括相变材料的方法，导致在本发明银变材料的服装的变化和作为在电极部及电极部海变化被布置在相变材料的下侧，以改变电阻，所述沉积步骤第一照射步骤和第二照射步骤。在沉积步骤中，将电极部分设置在形成于基板中的沟槽下方，并且将相变材料沉积在基板上。第一照射步骤利用具有第一波段的第一激光束形成第一照射区域以照射相变材料。在第二照射步骤中，形成具有比第一波长带长且比第一照射区域小的第二波长带的第二照射区域以照射相变材料。维持第一照射步骤中的分辨材料熔化并且第二照射步骤中的分辨材料能够流入沟槽中的温度。

30. 发明公开

KR1020170051569A 자기장 차폐시트와 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020170051569A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150150776
申请日：2015-10-29
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진 , 김종환 , 윤승재 , 김재현
IPC分类号： H05K9/00 , H01F10/08
摘要： 본발명은띠 형상을나타내는다수의자성스트립부가상호중첩되도록적층됨으로써, 상기자성스트립부에의해형성되는차폐플레이트층이커버하는면적을증가시키고, 상기차폐플레이트층에서와전류(Eddy Current)에의한손실을줄일수 있는자기장차폐시트와그 제조방법에관한것이다. 이를위해자기장차폐시트는베이스층및 베이스층의일측면에접합되는차폐플레이트층을포함하고, 차폐플레이트층에는띠 형상을나타내는다수의자성스트립부가폭 방향에대하여일부만상호중첩되도록적층된다.

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