专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102171374B1 마이크로 소자 리워크 방법 有权
公开(公告)号：KR102171374B1
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：KR1020180087539
申请日：2018-07-27
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진 , 안재모 , 최기철 , 김민호
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/67

2. 发明授权

KR101931574B1 마이크로 소자의 리워크 방법 有权
公开(公告)号：KR101931574B1
公开(公告)日：2018-12-24
申请号：KR1020170050204
申请日：2017-04-19
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 안재모 , 서종현 , 나윤성 , 김민호 , 김종환 , 박홍진
IPC分类号： H05K13/04
摘要： 본 발명은 기판에 접합된 불량 마이크로 소자를 제거하고, 상기 불량 마이크로 소자가 제거된 위치에 양품 마이크로 소자를 접합시키는 마이크로 소자의 리워크 방법이며, 예열단계와, 제1조사단계와, 제거단계와, 배치단계와, 제2조사단계와, 접합단계를 포함한다. 예열단계는 기판을 솔더의 용융온도 미만의 온도로 예열한다. 제1조사단계는 불량 마이크로 소자와 기판 사이에 배치된 제1솔더가 용융되도록 레이저빔을 제1솔더에 조사한다. 제거단계는 기판으로부터 불량 마이크로 소자를 제거한다. 배치단계는 상기 불량 마이크로 소자가 제거된 위치 또는 양품 마이크로 소자에 제2솔더를 도포하고, 불량 마이크로 소자가 제거된 위치에 양품 마이크로 소자를 배치한다. 제2조사단계는 양품 마이크로 소자와 기판 사이에 배치된 제2솔더가 용융되도록 레이저빔을 제2솔더에 조사한다. 접합단계는 제2조사단계에서 조사된 레이저빔에 의해 제2솔더가 용융되면서 양품 마이크로 소자가 기판에 접합된다. 제1조사단계 및 제2조사단계에서 조사되는 레이저빔은 500nm 이상 2㎛ 이하의 파장을 가진다.

3. 发明授权

KR102089584B1 유리기판 레이저 용접장치 有权
公开(公告)号：KR102089584B1
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：KR1020180014504
申请日：2018-02-06
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진 , 서종현 , 최기철 , 나윤성 , 김민호 , 손효영
IPC分类号： B23K26/21 , B23K26/14 , B23K26/60 , B23K26/70 , B23K103/00

4. 发明公开

KR1020180117743A 마이크로 소자의 리워크 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180117743A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：KR1020170050204
申请日：2017-04-19
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 안재모 , 서종현 , 나윤성 , 김민호 , 김종환 , 박홍진
IPC分类号： H05K13/04
摘要： 본발명은기판에접합된불량마이크로소자를제거하고, 상기불량마이크로소자가제거된위치에양품마이크로소자를접합시키는마이크로소자의리워크방법이며, 예열단계와, 제1조사단계와, 제거단계와, 배치단계와, 제2조사단계와, 접합단계를포함한다. 예열단계는기판을솔더의용융온도미만의온도로예열한다. 제1조사단계는불량마이크로소자와기판사이에배치된제1솔더가용융되도록레이저빔을제1솔더에조사한다. 제거단계는기판으로부터불량마이크로소자를제거한다. 배치단계는상기불량마이크로소자가제거된위치또는양품마이크로소자에제2솔더를도포하고, 불량마이크로소자가제거된위치에양품마이크로소자를배치한다. 제2조사단계는양품마이크로소자와기판사이에배치된제2솔더가용융되도록레이저빔을제2솔더에조사한다. 접합단계는제2조사단계에서조사된레이저빔에의해제2솔더가용융되면서양품마이크로소자가기판에접합된다. 제1조사단계및 제2조사단계에서조사되는레이저빔은 500nm 이상 2㎛이하의파장을가진다.

5. 发明授权

KR101794209B1 레이저를 이용한 상변화 메모리 제조방법 有权
标题翻译：用激光器制造相变存储器的方法
公开(公告)号：KR101794209B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020160107208
申请日：2016-08-23
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진 , 최기철 , 김민호
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/16 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/1608
摘要： 본발명은상변화물질의상변화를유발시키고상변화물질의하측에배치되는전극부와, 전극부에의해상변화되면서저항이변경되는상변화물질을포함하는상변화메모리를제조하는방법이며, 증착단계와, 제1조사단계와, 제2조사단계를포함한다. 증착단계는기판에형성된트렌치하측에전극부가배치되고, 기판에상변화물질을증착한다. 제1조사단계는제1파장대를가지는제1레이저빔으로제1조사영역을형성하여상변화물질에조사한다. 제2조사단계는제1파장대보다긴 제2파장대를가지는제2레이저빔으로제1조사영역보다작은제2조사영역을형성하여상변화물질에조사한다. 제1조사단계에의해상변화물질이용융되고, 제2조사단계에의해상변화물질이트렌치내부로유동될수 있는온도가유지된다.
摘要翻译：制造相变存储器，其包括相变材料的方法，导致在本发明银变材料的服装的变化和作为在电极部及电极部海变化被布置在相变材料的下侧，以改变电阻，所述沉积步骤第一照射步骤和第二照射步骤。在沉积步骤中，将电极部分设置在形成于基板中的沟槽下方，并且将相变材料沉积在基板上。第一照射步骤利用具有第一波段的第一激光束形成第一照射区域以照射相变材料。在第二照射步骤中，形成具有比第一波长带长且比第一照射区域小的第二波长带的第二照射区域以照射相变材料。维持第一照射步骤中的分辨材料熔化并且第二照射步骤中的分辨材料能够流入沟槽中的温度。

6. 发明授权

KR101727960B1 레이저를 이용한 상변화 메모리 제조방법 有权
标题翻译：用激光器制造相变存储器的方法
公开(公告)号：KR101727960B1
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：KR1020160081125
申请日：2016-06-28
申请人： 주식회사 비에스피
发明人： 박홍진 , 최기철 , 김민호
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/00
摘要： 본발명은상변화물질의상변화를유발시키고상변화물질의하측에배치되는전극부와, 전극부에의해상변화되면서저항이변경되는상변화물질을포함하는상변화메모리를제조하는방법에관한것으로서, 증착단계와, 제1조사단계와, 제2조사단계를포함한다. 증착단계는기판에형성된트렌치하측에전극부가배치되고, 기판에상변화물질을증착한다. 제1조사단계는상변화물질의용융점보다높은제1에너지강도를가지는제1레이저빔을상변화물질에조사한다. 제2조사단계는제1에너지강도보다낮고상변화물질의용융점보다낮은제2에너지강도를가지는제2레이저빔을상변화물질에조사한다. 제2조사단계에서조사되는제2레이저빔은제1조사단계에서조사되는제1레이저빔보다일정시간후행되며, 제1조사단계에의해상변화물질이용융되어트렌치내부로유입되고, 제2조사단계에의해상변화물질이트렌치내부로유동될수 있는온도가유지된다.
摘要翻译：涉及一种制造相变存储器，其包括相变材料的方法引起的本发明的银变材料的服装的变化和作为在电极部海变化和电极部配置在所述相变材料的下侧，以改变电阻，沉积步骤，第一照射步骤和第二照射步骤。在沉积步骤中，将电极部分设置在形成于基板中的沟槽下方，并且将相变材料沉积在基板上。第一照射步骤用具有比相变材料的熔点高的第一能量强度的第一激光束照射相变材料。第二照射步骤用具有比第一能量强度低且比相变材料的熔点低的第二能量强度的第二激光束照射相变材料。所述第二激光束在步骤照射的第二照射是第一照射和时间的拖尾比一个激光束在步骤被照射的预定时间段，在第一照射步骤中的分辨率变材料被熔化并引入到沟槽，第二照射维持步骤中分解材料流入沟槽的温度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式