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    • 3. 发明授权
    • 투명전극과 이것의 제조방법
    • 透明电极及其制造方法
    • KR101813531B1
    • 2018-01-02
    • KR1020160084395
    • 2016-07-04
    • 주식회사 비에스피
    • 김종환윤승재박홍진
    • H01B5/14B32B15/08B32B38/16B32B15/02B32B38/00
    • H01B5/14B32B15/02B32B15/08B32B38/162B32B2038/0076B32B2255/205B32B2307/412
    • 본발명은금속나노와이어와금속의소결을통해투명전극을형성함으로서, ITO(indium tin oxide, 인듐주석산화물)를대체하면서도투과도를향상시키고, 면저항을감소시키며, 제조비용을절감할수 있는투명전극과이것의제조방법에관한것이다. 이를위해투명전극은투명한재질의베이스기판및 베이스기판에적층고정된전극층을포함한다. 여기서, 베이스기판에는활성층이형성된다. 또한, 전극층은금속나노와이어의상호융착에의해형성되고활성층이형성된베이스기판에적층고정되는접속전극및 금속의소결에의해격자무늬또는기설정된패턴을형성함과동시에접속전극에일체로적층고정되는개선전극을포함한다.
    • 本发明金属纳米线控和形成在所述金属的烧结的透明电极,提高传输速率,而在更换ITO(氧化铟锡,氧化铟锡),减少透明电极的薄膜电阻,可以降低制造成本和 及其制造方法。 为此,透明电极包括由透明材料制成的基底基板和层压并固定在基底基板上的电极层。 这里,在基底基板上形成有源层。 此外,电极层是由金属纳米线的相互融合和有源层形成的整体层压固定到连接电极;以及形成网格图案或由金属的烧结,并在同一时间连接电极被层压固定到形成于基底基板以预定的图案 还有一个改进的电极。