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11. 发明公开

KR20180000831A 플라즈몬 공명을 위한 합금 나노섬 형성 방법 有权
标题翻译：合金纳米岛形成方法的表面等离子体共振
公开(公告)号：KR20180000831A
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：KR20160079003
申请日：2016-06-24
申请人： 한국과학기술원
发明人： 정기훈 , 강민희 , 이영섭 , 안명수
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y15/00 , C22F1/00 , G01J3/44 , G01N21/552
CPC分类号： B82B3/0038 , B82Y15/00 , C22F1/00 , G01J3/4412 , G01N21/554
摘要： 본발명은플라즈몬공명을위한합금나노섬형성방법에관한것이다. 본발명의목적은비젖음현상을이용하여나노구조체를형성하되복수의박막이적층된상태에서비젖음현상이일어나도록함으로써자연스럽게합금나노섬이형성되도록하는, 플라즈몬공명을위한합금나노섬형성방법을제공함에있다. 더나아가서는, 본발명의목적은, 상술한바와같은방식을통해합금재질을원하는대로조절할수 있도록함으로써궁극적으로는단일표면플라즈몬공명밴드를원하는대로변조할수 있도록하는, 플라즈몬공명을위한합금나노섬형성방법을제공함에있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成合金纳米岛用于等离子体共振的方法。但使用本发明的目的高恩妃湿式显影形成纳米结构提供的合金纳米岛上，等离振子共振的形成方法，使得自然合金纳米岛是通过使一个服务润湿现象形成出现在其中的多个薄膜的层叠结构它是。此外，根据需要通过上述最终euroneun方法所描述的相同方式的合金，从而形成合金纳米岛的等离子体共振，使根据需要进行调制，所述单个表面等离子体共振带由包括在本发明中，控制对象它是提供。

12. 发明公开

KR1020170125981A α-β형 타이타늄 합금 审中-实审
标题翻译： α-β型钛合金
公开(公告)号：KR1020170125981A
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：KR1020177029948
申请日：2016-03-16
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 다무라게이타로 , 아카자와고이치 , 이쓰미요시오 , 오야마히데토
IPC分类号： C22C14/00 , C22F1/18
CPC分类号： C22C14/00 , C22F1/00 , C22F1/18 , C22F1/183
摘要： Ti-6Al-4V로대표되는α-β형타이타늄합금레벨의고강도와우수한열간가공성을갖고, 또한상기 Ti-6Al-4V보다도우수한피삭성을나타내는α-β형타이타늄합금을제공한다. 해당α-β형타이타늄합금은, 질량%로, Cu: 0.1∼2.0% 및 Ni: 0.1∼2.0% 중적어도 1종의원소, Al: 2.0∼8.5%, C: 0.08∼0.25%, 및 Cr: 0∼4.5% 및 Fe: 0∼2.5% 중적어도 1종의원소를합계로 1.0∼7.0%를포함하고, 잔부가 Ti 및불가피불순물로이루어지는것을특징으로한다.
摘要翻译：具有高强度和优异的热加工性的水平，由钛6AL-4V表示的α-β型钛合金，还它提供了一种α-β型钛合金表现出比在Ti-6AL-4V的切削性优良。该α-β型钛合金，在质量％，Cu：0.1〜2.0％和Ni：0.1〜2.0％普遍至少一种元素的以下，Al：2.0〜8.5％，C：0.08〜0.25％，及Cr： 0〜4.5％，以及Fe：包括0〜2.5％，普遍在总一种元素的1.0〜7.0％，并且甚至，余量的特征在于包括由Ti和不可避免的杂质。

13. 发明公开

KR1020170125805A 구리합금재료 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：铜合金材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170125805A
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：KR1020177019274
申请日：2016-04-13
申请人： 후루카와 덴끼고교 가부시키가이샤
发明人： 후지요시토 , 이소마츠타케미 , 히구치마사루
IPC分类号： C22C9/06 , C22C9/02 , C22F1/08 , C22F1/00 , B21B3/00
CPC分类号： C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22C9/10 , C22F1/00 , C22F1/08 , B21B3/00 , B21B2003/005 , C22F1/002
摘要： 본발명은, 고강도, 고도전율및 양호한굽힘가공성뿐만아니라, 양호한내열성도겸비한구리합금재료및 그제조방법을제공한다. 본발명의구리합금재료는, Ni을 0.05~1.2질량%, P을 0.01~0.15질량% 및 Sn을 0.05~2.5질량% 함유하고, 잔부가 Cu 및불가피불순물로이루어진합금조성을가지며, 전해연마후의재료표면을 FE-SEM로관찰하여, 1㎛×1㎛의시야면적당, 입자직경이 5~30㎚인화합물입자의개수비율이 20개/㎛이상, 입자직경이 30㎚초과인화합물입자의개수비율이 1개/㎛이하인것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明提供兼具高强度，高导电性和良好的弯曲加工性以及良好的耐热性的铜合金材料及其制造方法。本发明的铜合金材料，镍材料0.05〜1.2质量％，为0.01〜0.15质量％，P和0.05质量〜2.5％的Sn含有，并且具有由Cu和不可避免的杂质的合金组合物，电解后的平衡通过观察与FE-SEM的表面，×1㎛视线涂层，具有的直径为5颗粒〜30㎚化合物颗粒的数量比为20 /㎛或多种，所述化合物粒子的粒子直径的数量比大于30㎚1㎛更大不超过1微米。

14. 发明授权

KR101790861B1 전자 장치에서의 금속화를 위한 구리-합금 장벽 층 및 캡핑 층 有权
标题翻译：铜用于电子设备合金阻挡层的金属化，和覆盖层
公开(公告)号：KR101790861B1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020157037228
申请日：2014-06-05
申请人： 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨
发明人： 선슈웨이 , 프랑수아샤를데리 , 아보우아프마크 , 호간패트릭 , 장치
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/49 , H01L29/786 , G06F3/041 , H01B1/02
CPC分类号： H01L27/1244 , B81C1/00 , B81C1/00031 , B81C1/00404 , B81C1/00523 , B81C1/00547 , C21D1/00 , C21D9/00 , C21D2201/00 , C21D2211/00 , C21D2251/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C22F1/08 , C22F1/14 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B1/026 , H01L23/53238 , H01L29/4908 , H01L29/6675 , H01L29/78603 , H01L29/78666 , H01L2924/0002 , Y10T428/12611 , Y10T428/1266 , Y10T428/12681 , Y10T428/12687 , Y10T428/12694 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/12743 , Y10T428/1275 , Y10T428/12806 , Y10T428/12812 , Y10T428/12819 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12847 , Y10T428/12861 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12882 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12931 , H01L2924/00
摘要： 다양한실시양태에서, 전자장치, 예컨대박막트랜지스터및/또는터치패널디스플레이는전도체층, 및전도체층 위또는아래에배치된, Cu와, Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr 및 Ni로이루어진군으로부터선택된 1종이상의내화성금속원소의합금을포함하는캡핑층 및/또는장벽층을특징으로하는전극및 상호연결부를포함한다.
摘要翻译：在各种实施例中，电子设备，如薄膜晶体管和/或触摸面板显示器被置于上方或导体层之下，和导体层，Cu和，钽，铌，钼，钨，锆，铪，铼，锇，它包括电极，配线，其特征在于覆盖层和/或阻挡层，其包含选自钌，铑，钛，钒，铬和镍组成的组中选择的一个构件上的难熔金属元素的合金。

15. 发明授权

KR101782664B1 열처리 방법 및 열처리 장치 有权
标题翻译：热处理方法和热处理设备
公开(公告)号：KR101782664B1
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020127024346
申请日：2011-10-31
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 고쿠리츠다이가쿠호진 요코하마 고쿠리츠다이가쿠
发明人： 다케다마호토 , 무라마츠나오쿠니 , 다케우치료타
IPC分类号： C22F1/08 , C21D9/46 , B21B1/00 , C22F1/05
CPC分类号： C22F1/08 , C21D9/52 , C22F1/00 , C22F1/047
摘要： 본발명의열처리방법은, 온도에따라서다단계로변태하는합금에대하여, 합금의정해진제1 변태에관한제1 온도와, 이제1 온도보다고온인합금의정해진제2 변태에관한제2 온도에기초하여정해지는예비상태생성온도영역내의정해진온도로한 접촉식가열체와상기합금을 0.01 sec 이상 3.0 sec 이하의시간을접촉시켜가열처리를행하여, 합금에관해예비상태를생성하는예비상태생성공정을포함한다.
摘要翻译：用于该合金的预定的第一变换的合金比所述第一温度高的给定第二变换热处理本发明的方法中，相对于该合金用于根据温度多阶段变换，基于所述第一温度，并且现在所述第二温度并且进行热处理以接触型加热器和合金在小于0.01秒3.0秒的状态预生成温度区域限定的接触时间在指定的温度，所述预条件产生关于合金生成的先决条件的步骤它包括。

16. 发明授权

KR101733940B1 Cr함유 오스테나이트 합금관 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：含Cr奥氏体合金管及其制造方法
公开(公告)号：KR101733940B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020167001075
申请日：2011-08-12
申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
发明人： 마사키야스히로 , 다사카마사히토 , 간자키마나부 , 우에히라아키히로 , 기노무라쇼지
IPC分类号： C23C8/18 , C22C19/05 , C22C38/58 , C22C38/42
CPC分类号： C23C8/18 , C21D6/002 , C21D8/10 , C21D9/08 , C22C19/05 , C22C19/058 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/42 , C22C38/58 , C22F1/00 , C22F1/10 , F16L9/02 , G21D1/006 , G21F9/28 , Y02E30/40
摘要： Cr함유오스테나이트합금관의내표면에, 두께가 0.05~1.5μm이며, 또한하기 (i)식으로규정되는관계를가지는크롬산화물피막을형성한 Cr함유오스테나이트합금관으로서, 관내면측의표층부로부터깊이 5~10μm의범위내에있어서의 C평균농도가, 모재의 C농도미만인 Cr함유오스테나이트합금관. 0.4≤δ1/δ2≤2.5···(i) 단, δ1,δ2는관의양단각각에있어서의크롬산화물피막의두께(μm)이다.
摘要翻译：的Cr的含奥氏体系合金管的内表面上，且厚度为0.05〜1.5μm的，含铬奥氏体系合金管，其也形成具有由下述（i）式定义的关系的铬氧化被膜，从内表面侧的表面层部分平均C浓度在5〜10μm范围内的含Cr奥氏体系合金管比基材的C浓度低。（i）其中，α1和β2是管两端的氧化铬膜的厚度（μm）。

17. 发明公开

KR1020170029626A LED의 리드 프레임용 구리 합금 판조 审中-实审
标题翻译： LED铜合金板条用于LED引线框架
公开(公告)号：KR1020170029626A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020177004645
申请日：2015-08-17
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 니시무라마사야스 , 마사고야스시 , 후고노아키라
IPC分类号： C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/02 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01L23/48 , C22F1/08 , H01L23/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , B32B15/018 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23G1/103 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D5/10 , C25D5/34 , C25F1/00 , H01B1/026 , H01B5/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C22C9/02 , H01B1/02 , H01L23/48 , H01L23/50
摘要： Fe, P, Zn 및 Sn을특정량포함하고, 잔부가실질적으로 Cu 및불가피불순물로이루어지는 Cu-Fe계구리합금판조이며, 압연수직방향의표면거칠기가, 산술평균거칠기 Ra: 0.06μm 미만, 십점평균거칠기 Rz: 0.5μm 미만이고, 표면에존재하는, 길이가 5μm 이상이고깊이가 0.25μm 이상인홈 형상오목부가, 200μm×200μm의면적당 2개이하이며, 표면의미세결정립으로이루어지는가공변질층의두께가 0.5μm 이하이다.
摘要翻译：该Cu-Fe系铜合金板条具有特定量的Fe，P，Zn和Sn，余量基本上包含Cu和不可避免的杂质，与其滚动方向垂直的方向上的表面粗糙度具有算术平均粗糙度Ra 小于0.06μm的十点平均粗糙度RzJIS小于0.5μm。存在于表面上并且具有至少5μm的长度和至少0.25μm的深度至少为200μm×200μm面积的两个或更少的凹槽形凹槽，以及表面上的受影响层的厚度包括微观晶粒为0.5μm以下。

18. 发明公开

KR1020160129864A 고강도ㆍ고영률을 갖는 α+β형 티타늄 합금 냉연 어닐링판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译： + +型高强度和高强度的高温和退火的钛合金板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160129864A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020167026874
申请日：2015-04-09
申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
发明人： 가와카미아키라 , 다카하시가즈히로 , 후지이히데키
IPC分类号： C22C14/00 , C22F1/18 , B21B3/00
CPC分类号： C22F1/183 , B21B1/26 , B21B1/28 , C22C14/00 , C22F1/00 , C22F1/18
摘要： 본발명은, 판폭방향의강도및 영률이높은α+β형티타늄합금냉연어닐링판을제공하는것을목적으로한다. 티타늄합금판은, 판면방향의집합조직을해석하였을때에, α상의 (0002) 극점도상에있어서, 판폭방향에가까운방위의 X선상대강도피크값(XTD)과, 판면법선방향에가까운방위의 X선상대강도피크값(XND)의비 XTD/XND가 5.0 이상이고, 질량%로 Fe:0.8∼1.5%, N:0.020% 이하, 산소등량 Q가 0.34∼0.55이다. 티타늄합금판의어닐링은, 냉연율 25% 미만의경우에는 500℃이상 800℃미만에서, 냉연율 25% 이상의경우에는 500℃이상 620℃미만에서행한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种在片材宽度方向上具有高强度和高杨氏模量的α+β钛合金冷轧和退火片材。在分析了板面方向的结构时，在接近于纸张宽度方向的方向上的X射线相对强度峰值（XTD）与X射线相对强度之比XTD / XND的钛合金板在α相的（0002）极图上靠近正常平面方向的方向的峰值（XND）为5.0以上，以质量％计含有Fe：0.8％〜1.5％， N：0.020％以下，氧等价Q为0.34〜0.55。在冷轧速度小于25％且不低于500℃且小于620℃的情况下，在不低于500℃且低于800℃的条件下进行钛合金板的退火在冷轧率为25％以上的情况下。

19. 发明授权

KR101649433B1 네오디뮴계 희토류 영구 자석 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：基于NEODYUMUM的稀土永磁体及其生产方法
公开(公告)号：KR101649433B1
公开(公告)日：2016-08-19
申请号：KR1020147024940
申请日：2012-08-31
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 신도유이치로
IPC分类号： H01F1/08 , H01F1/057 , H01F41/02
CPC分类号： H01F1/0536 , C22B9/04 , C22B59/00 , C22C33/02 , C22C33/04 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C2202/02 , C22F1/00 , C25C3/34 , H01F1/0577 , H01F41/0266
摘要： 가스성분및 성분원소를제외한순도가 99.9 wt% 이상인것을특징으로하는네오디뮴계희토류영구자석. 본발명은, 네오디뮴계희토류영구자석에있어서, 자성재료를고순도화함으로써, 자기특성을각별히향상시킬수 있고, 나아가서는, 자성재료특유의약점인내열성, 내식성을개선한고성능의네오디뮴계희토류영구자석을제공하는것을과제로한다.

20. 发明授权

KR101633414B1 반도체 장치용 본딩 와이어 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：用于半导体器件的连接线和用于制造粘结线的方法
公开(公告)号：KR101633414B1
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：KR1020157034061
申请日：2015-03-31
申请人： 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 , 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤
发明人： 야마다다카시 , 오다다이조 , 오이시료 , 하이바라데루오 , 우노도모히로
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/495 , H01L21/324 , C22F1/14 , C22F1/00 , C22C5/08 , C22C5/06
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , B23K35/0227 , B23K35/3006 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45012 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005
摘要： 리닝불량과스프링불량을모두억제하기위해서, (1) 와이어중심을포함해서와이어길이방향으로평행한단면(와이어중심단면)에있어서, 긴직경(a)과짧은직경(b)의비(a/b)가 10 이상이며또한면적이 15㎛이상인결정립(섬유상조직)이존재하지않고, (2) 와이어중심단면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 50% 이상 90% 이하이고, (3) 와이어표면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 50% 이상 90% 이하인것을특징으로하는반도체장치용본딩와이어. 신선공정중에감면율이 15.5% 이상의신선가공을적어도 1회행하고, 최종열처리온도와최종전 열처리온도를소정범위로한다.
摘要翻译：用于半导体器件的接合线，其中通过（1）在包含线中心并且平行于线纵向（线中心横截面）的横截面中抑制倾斜故障和弹簧故障，不存在具有长轴“a”的比率a / b和短轴“b”为10以上，面积为15μm2以上（“纤维织构”），（2）在测定线中的晶体方向时线中心横截面的纵向方向，晶体方向<100>相对于导线纵向的角度差为15°以下的面积比为50％〜90％，（3）当在线表面测量线长度方向的晶体方向时，晶体方向<100>相对于线长度方向的角度差为15°以下的面积比为50％〜90％。在绘制陡峭期间，至少进行一次具有15.5％以上的面积减小率的绘图操作。将最终的热处理温度和预热处理温度设定为预定范围。

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