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    • 20. 发明授权
    • 광추출 효율이 개선된 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
    • 具有改善的光提取效率的发光二极管装置及其制造方法
    • KR100926319B1
    • 2009-11-12
    • KR1020050062481
    • 2005-07-12
    • 한빔 주식회사
    • 유민아이재승신부건하덕식최민호강종훈
    • H01L33/20
    • 본 발명은 (a) 발광면 상에 요철 패턴이 형성된 발광 다이오드부; 및 (b) 상기 요철 패터닝된 발광다이오드부의 발광면 일부를 식각하여 형성된 오목부(recess part) 내 위치하는 오믹 접촉 금속층을 구비하는 것이 특징인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법을 제공한다.
      본 발명에서는 발광다이오드의 광추출 효율을 증가시키기 위해 전극 형성 이후 습식 식각을 통해 발광다이오드부의 발광면 상에 요철을 형성하는 대신, 발광면 상에 요철 패턴을 형성한 후 식각 처리 및 전극 형성 단계를 실시함으로써, 식각 공정에 의한 전극 재료의 부식 방지 및 발광다이오드 소자의 광추출 효율 증대를 제공할 수 있다.
      오믹 접촉 금속, 요철, 식각, 오목부, 광추출, 발광다이오드 소자
    • (A)具有在发光表面上形成的凹凸图案的发光二极管部分; 和(b)它的特点是发光二极管装置,并具有定位在由蚀刻所述凹凸图案的发光二极管的表面发射部件的一部分而形成凹部(凹部)内的欧姆接触金属层的方法。