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11. 发明公开

KR1020080056974A 산화인듐주석 타겟 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：氧化铅氧化铅靶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080056974A
公开(公告)日：2008-06-24
申请号：KR1020060130227
申请日：2006-12-19
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/457
摘要： An indium tin oxide target and a method of manufacturing the same are provided to produce a transparent conductive film by scattering micro tin oxide particles to the indium oxide uniformly for decreasing nodules and arching. As a slurry providing step, a mixture containing indium oxide powder and tin oxide sol is provided(S11,S13). As a granulating step, a granule powder is formed by drying the mixture in slurry state(S15). As an extrusion step, a molding object is formed by extruding the granule powder(S16). As a sintering step, the molding object is sintered(S17).
摘要翻译：提供了一种氧化铟锡靶及其制造方法，以通过将微氧化锡颗粒均匀地散射到氧化铟上来减少结节和拱起来产生透明导电膜。作为浆料提供工序，提供含有氧化铟粉末和氧化锡溶胶的混合物（S11，S13）。作为造粒步骤，通过以浆料状态干燥混合物形成颗粒粉末（S15）。作为挤出步骤，通过挤出颗粒粉末形成成型物（S16）。作为烧结步骤，烧结成型体（S17）。

12. 发明公开

KR1020070016682A 감마 알루미나가 표면-결합된 실리카를 포함하는 수성 연마슬러리 및 그 제조방법 失效
标题翻译：用于抛光镀金属铝的抛光金属电路的水性抛光浆料及其制备方法
公开(公告)号：KR1020070016682A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050071550
申请日：2005-08-05
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 정재인 , 이진호 , 송명근 , 구자호
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1436 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： 본 발명은 반도체 제조 공정에서 사용되는 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP) 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 감마(γ)-알루미나가 표면-결합된 실리카 입자를 연마제로 포함하는 수성 연마 슬러리는 기존 알루미나 연마제에 비해 형태 제어가 용이하면서 경도 특성이 낮은 실리카 입자 표면에 연마속도를 향상시켜주는 γ-알루미나 미립자가 결합된 연마제를 함유하여 특히 금속 배선의 CMP 공정에 적합하고 연마 공정에 사용시 스크래치 및 에로젼을 감소시키므로, 반도체 제조 시 평판화를 위한 화학 기계적 연마 공정에 유용하게 활용될 수 있다.

13. 发明公开

KR1020070000576A 수산화 알루미늄을 포함하는 금속 배선용 화학기계적 연마조성물 无效
标题翻译：用于包含氢氧化铝的金属电路的化学机械抛光组合物
公开(公告)号：KR1020070000576A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056030
申请日：2005-06-28
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 정재인 , 이윤규 , 현홍섭 , 송명근 , 구자호
IPC分类号： C09K3/14
摘要： Provided is a chemical mechanical polishing composition for a metal wiring which is excellent in particle stability and dispersion stability, is lowered in density and reduces scratch, dishing and erosion. The chemical mechanical polishing composition comprises 0.1-30 wt% of an aluminum hydroxide abrasive; and 0.2-5 wt% of a chelating agent. Preferably the aluminum hydroxide abrasive has a density of 2.4-3.5 g/cm^3 and a Mohs hardness of 2.5-7 Mohs; and the chelating agent is selected from the group consisting of ammonium oxalate, tartaric acid, nitrilotriacetic acid, aminodiacetic aid, carboxylic acid amine, aminoacetic acid and ammonium citrate.
摘要翻译：本发明提供一种金属配线的化学机械研磨用组合物，其粒子稳定性和分散稳定性优异，密度降低，刮擦，凹陷，侵蚀减少。化学机械抛光组合物包含0.1-30重量％的氢氧化铝磨料; 和0.2-5重量％的螯合剂。优选地，氢氧化铝磨料的密度为2.4-3.5g / cm 3，莫氏硬度为2.5-7摩尔; 螯合剂选自草酸铵，酒石酸，次氮基三乙酸，氨基二乙酸辅助剂，羧酸胺，氨基乙酸和柠檬酸铵。

14. 发明授权

KR101170904B1 염료감응형 태양전지용 후면 전극기판과 이를 구비하는 염료감응형 태양전지 失效
标题翻译：计数器电极板和带有它的透明的太阳能电池
公开(公告)号：KR101170904B1
公开(公告)日：2012-08-03
申请号：KR1020100003001
申请日：2010-01-13
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 유일환 , 김동조 , 유태환 , 정상철 , 박훈
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 염료감응형 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 염료감응형 태양전지용 후면 전극기판과 이를 구비하는 염료감응형 태양전지에 관한 것으로, 본 발명의 염료감응형 태양전지용 후면 전극기판은 투명기판과, 투명기판에 형성되되, 산화아연(ZnO)에 갈륨(Ga)이 도핑된, 투명전도성막을 포함한다.

15. 发明公开

KR1020110057866A 염료감응형 태양전지용 전극기판과 이를 구비하는 태양전지 및 그 제조방법 失效
标题翻译：电极板和带有它的透明的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110057866A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090114460
申请日：2009-11-25
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 박훈 , 김재선 , 박재영 , 이윤규 , 유일환 , 박주옥
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/542 , H01G9/2031 , H01G9/209
摘要： PURPOSE: An electrode substrate for a dye sensitized solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve electric conductivity and transmittance by using gallium doped zinc oxide transparent conductive layer. CONSTITUTION: An electrode substrate for a dye sensitized solar cell includes a substrate and a transparent conductive layer. The transparent conductive layer includes GZO. The dye sensitized solar cell includes the electrode substrate for the dye sensitized solar cell. The transparent conductive layer has a texture on the surface thereof and a haze value of 1 to 30 %.
摘要翻译：目的：提供一种用于染料敏化太阳能电池的电极基板及其制造方法，以通过使用掺杂镓的氧化锌透明导电层来提高导电性和透射率。构成：染料敏化太阳能电池用电极基板包括基板和透明导电层。透明导电层包括GZO。染料敏化太阳能电池包括用于染料敏化太阳能电池的电极基底。透明导电层的表面具有纹理，雾度值为1〜30％。

16. 发明公开

KR1020110002190A 산화아연계 전도체 有权
标题翻译：基于ZNO的导体
公开(公告)号：KR1020110002190A
公开(公告)日：2011-01-07
申请号：KR1020090059648
申请日：2009-07-01
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 유태환 , 이윤규 , 유일환 , 정상철
IPC分类号： H01B1/02 , C01G9/02
CPC分类号： H01B1/08 , G02F1/13439 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： PURPOSE: A zinc oxide-based conductor is provided to increase solid solubility limit of gallium in ZnO through stress relief by codoping Mn together with Ga to ZnO and to improve electron concentration, movement, and conductivity of GZO. CONSTITUTION: A zinc oxide-based conductor is such that Mn together with Ga is codoped to ZnO. The Ga and Mn are doped in the concentration of 0.01~10 at% and 0.01~5 at%, preferably 2~8 at% and 0.1~2 at%, more preferably 4~6 at% and 0.2~1.5 at%. The zinc oxide-based conductor is a transparent conductor used as an electrode of a solar cell or a liquid crystal display.
摘要翻译：目的：提供一种基于氧化锌的导体，以通过与Ga一起掺杂的ZnO与Mn一起应力释放，提高镓在ZnO中的固溶度极限，并提高GZO的电子浓度，运动和电导率。构成：氧化锌基导体与Mn一起掺入ZnO中。掺杂的Ga和Mn的浓度分别为0.01〜10at％，0.01〜5at％，优选为2〜8at％，0.1〜2at％，更优选为4〜6at％，0.2〜1.5at％。氧化锌基导体是用作太阳能电池或液晶显示器的电极的透明导体。

17. 发明授权

KR100960222B1 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여제조된 산화아연계 박막 有权
标题翻译：基于氧化锌的溅射靶，其制造方法和使用其制造的基于氧化锌的薄膜
公开(公告)号：KR100960222B1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：KR1020080063053
申请日：2008-06-30
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호 , 박주옥 , 유일환
IPC分类号： C04B35/453
摘要： 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 산화아연계 박막이 개시된다. 산화아연계 스퍼터링 타겟은 산화아연 및 산화갈륨을 함유하는 산화아연계 소결체를 포함하되, 상기 산화아연계 소결체에 상기 산화갈륨이 1.5 내지 3.5mol%로 함유되어 있다.

18. 发明公开

KR1020090000421A 산화아연계 비정질 박막용 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 无效
标题翻译： ZNO系列非晶薄膜溅射靶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090000421A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：KR1020070064474
申请日：2007-06-28
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/3414 , H01J37/3429
摘要： A sputtering target for zinc oxide amorphous thin film and a manufacturing method thereof are provided to make an amorphous thin film with high electron carrier density and high electron mobility. A dispersing agent is added to the raw material including the In2O3, Ga2O3, Al2O3, ZnO(110). The slurry is formed by performing the wet milling(111,112). The granule powder is formed by adding a binder to the slurry and performing a spray dry process(113,114). The sputtering target having the composition of InxGayAl1-yO3(ZnO)T (x+y=1, x:y=1:0.01-100, T=0.1-5) is formed by pressing and sintering the granule powder(115,116,117). The electric resistance of the sputtering target is below 20 Ð¤.cm. The aggregate of the In, Ga, Al, and Zn is below 1 um in the sputtering target.
摘要翻译：提供了一种用于氧化锌非晶薄膜的溅射靶及其制造方法，以制造具有高电子载流子密度和高电子迁移率的非晶薄膜。在包括In2O3，Ga2O3，Al2O3，ZnO（110）的原料中加入分散剂。通过进行湿磨（111,112）形成浆料。通过向浆料中加入粘合剂并进行喷雾干燥处理（113,114）形成颗粒粉末。通过压制和烧结颗粒粉末（115,116,117）形成具有In x Ga y Al 1-y O 3（ZnO）T（x + y = 1，x：y = 1：0.01-100，T = 0.1-5）组成的溅射靶。溅射靶的电阻低于20¤.cm。 In，Ga，Al和Zn的集合体在溅射靶中低于1um。

19. 发明公开

KR1020080062648A 산화아연 소결체 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：烧结氧化锌及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080062648A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020060138687
申请日：2006-12-29
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이진호 , 이윤규 , 김상욱 , 성연규
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/64 , C01G9/02
摘要： A method for preparing a sintered zinc oxide is provided to prevent a nodule and arcing phenomenon causable during sputtering by a dopant by minimizing coagulation of a dopant during the production process of a sintered zinc oxide. A method for preparing a sintered zinc oxide includes the steps of: controlling particle sizes of the first and second dopants to provide particle sizes of the first and second dopants 0.1-0.5 times greater than the average particle size of the zinc oxide powder; mixing the zinc oxide powder with the first and second dopants having controlled particle sizes to prepare a mixture solution; milling the mixture solution to prepare a slurry; drying and pulverizing the slurry to prepare granular powder; and molding the granular powder into a predetermined shape, and firing the molding.
摘要翻译：提供了制备氧化锌烧结体的方法，以防止在氧化锌烧结体的制造过程中通过最小化掺杂剂的凝结，通过掺杂剂在溅射期间引起的结节和电弧现象。制备氧化锌烧结体的方法包括以下步骤：控制第一和第二掺杂剂的粒径，使第一和第二掺杂剂的粒径比氧化锌粉末的平均粒径大0.1-0.5倍; 将氧化锌粉末与具有受控粒径的第一和第二掺杂剂混合以制备混合溶液; 研磨混合溶液以制备浆料; 干燥并粉碎浆料以制备颗粒状粉末; 并将粒状粉末成型为规定形状，并烧成成形品。

20. 发明公开

KR1020080058106A 산화인듐주석 소결체의 제조 방법 无效
标题翻译：制造氧化铅目标的方法
公开(公告)号：KR1020080058106A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020060132226
申请日：2006-12-21
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호 , 강신혁 , 김영수
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/24
摘要： A method of manufacturing indium ITO(Indium Tin Oxide) is provided to mix indium oxide slurry and tin oxide slurry and dry/powder the mixture so as to restrict nodule and arcing. A method of manufacturing ITO comprises the steps of: making indium oxide slurry and tin oxide slurry so that an average dispersion diameter ratio in the indium oxide slurry and the tin oxide slurry is 10:1~2:1; mixing and milling the indium oxide slurry with the tin oxide slurry; drying and powdering the mixed slurry to generate ITO powder; and molding and sintering the ITO powder.
摘要翻译：提供铟铟锡氧化物的制造方法，以混合氧化铟浆料和氧化锡浆料，并对混合物进行干/粉化，以限制结核和电弧。制造ITO的方法包括以下步骤：制备氧化铟浆料和氧化锡浆料，使得氧化铟浆料和氧化锡浆料中的平均分散体直径比为10:1〜2:1; 用氧化锡浆料混合和研磨氧化铟浆料; 干燥并粉碎混合浆料以产生ITO粉末; 并对ITO粉末进行成型和烧结。

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