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1. 发明授权

KR101302975B1 분무열분해를 이용한 알루미늄 도핑된 산화아연 스퍼터링타겟의 제조방법 失效
标题翻译：使用喷涂热分解铝掺杂ZnO的溅射靶的制造方法
公开(公告)号：KR101302975B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020070064364
申请日：2007-06-28
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호 , 박주옥
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 분무 열분해를 이용한 알루미늄 도핑된 산화아연 스퍼터링 타겟의 제조방법이 개시된다. 본 발명은, 질산 아연 용액(Zn(NO
3 )
2· xH
2 O)과 질산 알루미늄 용액(Al(NO
3 )
3· xH
2 O)을 혼합하여 용해시키는 단계, 혼합 용해액을 분무 열분해시켜 알루미늄 도핑된 산화아연(Al
2 O
3 -ZnO) 복합 과립 분말로 형성하는 단계, 복합 과립 분말에 첨가제를 넣고 처리하여 슬러리로 형성하고 건조시키는 단계 및, 건조된 슬러리를 스퍼터링 타겟 형태로 프레스 성형하고, 성형체를 소결시켜 알루미늄 도핑된 산화아연 스퍼터링 타겟을 형성하는 단계를 포함한다. 산화아연 내에 알루미늄의 분산성을 최대화시켜 양호한 전기적 특성을 가지는 스퍼터링 타겟을 제조할 수 있다.
스퍼터링 타겟, 알루미늄, 산화아연

2. 发明授权

KR101302680B1 산화인듐주석 타겟 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：氧化铟锡靶及其制造方法
公开(公告)号：KR101302680B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020060130227
申请日：2006-12-19
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 본 발명은 산화인듐주석(ITO) 타겟 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 산화인듐주석(ITO) 타겟의 제조 방법은 산화주석 졸을 주석의 소스로 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 산화인듐주석(ITO) 타겟으로 스퍼터링시 양질의 막을 얻을 수 있다.

3. 发明授权

KR101302679B1 알루미늄이 도핑된 산화아연 타겟 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：掺铝氧化锌靶及其制造方法
公开(公告)号：KR101302679B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020060127635
申请日：2006-12-14
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호 , 이상걸 , 김상욱 , 성연규
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 본 발명은 알루미늄 2차상의 분포가 5% 이하가 되도록 알루미늄이 도핑되어 있는 산화아연 타겟 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 산화아연 타겟의 제조 방법은 알루미나 졸을 알루미늄의 소스로 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 산화아연 타겟으로 스퍼터링시 양질의 막을 얻을 수 있다.

4. 发明授权

KR101300560B1 산화아연계 전도체 有权
标题翻译：基于ZnO的导体
公开(公告)号：KR101300560B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020090059648
申请日：2009-07-01
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 유태환 , 이윤규 , 유일환 , 정상철
IPC分类号： H01B1/02 , C01G9/02
CPC分类号： H01B1/08 , G02F1/13439 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 ZnO에 Ga과 함께 Mn이 코도핑된 것을 특징으로 하는 산화아연계 전도체를 제공한다. ZnO에 Ga과 함께 Mn을 코도핑하여 스트레스를 완화시킴으로써 ZnO 내에서 갈륨의 고용한계를 증가시키고, 이를 통하여 GZO의 전자농도/이동도 및 전기전도도를 향상시키고, 내습성 등의 안정성(stability)을 향상시킬 수 있다. 바람직하게, 상기 Ga은 0.01~10at%, 상기 Mn은 0.01~5at%의 농도로 도핑된다. 더욱 바람직하게는, 상기 Ga은 2~8at%, 상기 Mn은 0.1~2at%의 농도로 도핑된다. 더더욱 바람직하게는, 상기 Ga은 4~6at%, 상기 Mn은 0.2~1.5at%의 농도로 도핑된다. 상기 산화아연계 전도체는, 태양전지의 전극, LCD와 같은 디스플레이 장치의 전극, 등으로 사용되는 투명 전도체일 수 있다.

5. 发明授权

KR101255513B1 산화아연 타겟 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：氧化锌靶及其制造方法
公开(公告)号：KR101255513B1
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020070057390
申请日：2007-06-12
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호 , 박주옥
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 본 발명은 스퍼터링된 산화아연계 폐타겟을 수거하는 단계, 상기 산화아연계 폐타겟을 분쇄하여 파쇄분말을 형성하는 분쇄 단계, 상기 파쇄분말을 용해하여 아연 용해액을 형성하는 용해 단계, 상기 아연 용해액을 분무 열분해시켜 산화아연 분말을 형성하는 분말 생성 단계, 상기 산화아연 분말을 회수하여 성형체를 제조하는 성형 단계 및 상기 성형체를 소결하는 소결 단계를 포함하는 산화아연 타겟의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 산화아연 타겟은 산화아연계 폐타겟과 동일한 조성을 가진다.

6. 发明授权

KR101100860B1 ＣＭＰ용 Ｗ/Ｏ/Ｗ형 에멀젼 슬러리 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： W / O / W型乳化液用于化学机械抛光及其制造方法
公开(公告)号：KR101100860B1
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020050025495
申请日：2005-03-28
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 송명근 , 이윤규 , 이구수 , 구자호
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 스크래치와 디싱/이로전의 발생을 줄일 수 있는 CMP용 W/O/W형 에멀젼 슬러리 및 그 제조 방법이 제공된다. CMP용 W/O/W형 에멀젼 슬러리는, 외부 수상과, 상기 외부 수상 내에 유화된 유상과, 상기 유상 내에 유화되고 에칭제를 포함하는 내부 수상을 포함한다.
CMP, 슬러리, 에멀젼

7. 发明公开

KR1020100128387A 산화아연계 막 제조방법 有权
标题翻译：基于氧化锌的薄膜的制备方法
公开(公告)号：KR1020100128387A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090046755
申请日：2009-05-28
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 유일환 , 유태환 , 정상철
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a zinc oxide based film, capable of the replacement of ITO film with zinc oxide film, is provided to secure an excellent deposition rate and flatness comparing to ITO by securing superior electricity conductance. CONSTITUTION: A method for manufacturing a zinc oxide based film comprises next steps. Sputtering is performed under the conditions of the distance of a dopan doped zinc oxide target and a substrate is 10~50 mm. The zinc oxide film is evaporated in a substrate. The sputtering is performed under the condition that the work pressure is 2~10mtorr and the flow rate of the sputtering gas supplied to a sputtering chamber is 0.2~0.5sccm/L.
摘要翻译：目的：提供一种能够用氧化锌膜替代ITO膜的氧化锌基膜的制造方法，其通过确保优良的电导率来确保与ITO相比优异的沉积速率和平坦度。构成：用于制造氧化锌基膜的方法包括以下步骤。在掺杂二苯并呋喃掺杂的氧化锌靶和基片的距离为10〜50mm的条件下进行溅射。氧化锌膜在基板中蒸发。在工作压力为2〜10morr的条件下进行溅射，溅射气体供给到溅射室的流量为0.2〜0.5sccm / L。

8. 发明公开

KR1020090092165A 산화인듐아연계 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：基于氧化锌的氧化铅基喷射目标及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090092165A
公开(公告)日：2009-08-31
申请号：KR1020080017513
申请日：2008-02-26
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호 , 유일환 , 박주옥
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/00
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/08
摘要： An indium zinc oxide-based sputtering target and a manufacturing method thereof are provided to restrict generation of nodule and abnormal discharge, and to make a thin film with uniform composition ratio. An indium zinc oxide-based sputtering target has a composition of (MO2)x(In2O3)y(ZnO)z. A ratio of X and y is 1:0.001~ 1:1. The ratio of Y and z is 1:0~1:10. M is one or more metal selected from a group consisting hafnium, zirconium and titanium. The electric resistance the sputtering target is 100Ð¤ or less. The indium zinc oxide-based sputtering target is a zinc oxide-based thin film. The electron mobility of the zinc oxide thin film is 1~100cm^2 / V S.
摘要翻译：提供了一种氧化锌基溅射靶及其制造方法，以限制结瘤的产生和异常放电，并制成具有均匀组成比的薄膜。基于氧化铟锌的溅射靶具有（MO 2）x（In 2 O 3）y（ZnO）z的组成。 X和Y的比例为1：0.001〜1：1。 Y和z的比例为1:0〜1:10。 M是选自铪，锆和钛的一种或多种金属。溅射靶的电阻为100度以下。基于氧化铟锌的溅射靶是基于氧化锌的薄膜。氧化锌薄膜的电子迁移率为1〜100cm ^ 2 / V S.

9. 发明公开

KR1020090000355A 분무열분해를 이용한 알루미늄 도핑된 산화아연 스퍼터링타겟의 제조방법 失效
标题翻译：使用喷雾热解的铝掺杂ZNO溅射靶的制备方法
公开(公告)号：KR1020090000355A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：KR1020070064364
申请日：2007-06-28
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호 , 박주옥
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/3414 , H01J37/3429
摘要： A method for manufacturing a sputtering target of aluminum doped zinc oxide is provided to maximize dispersibility of the aluminum inside the zinc oxide by using a spray pyrolysis. A nitrate zinc solution(Zn(NO3)2.xH2O) and an aluminum nitrate solution(Al(NO3)3.xH2O) are mixed and dissolved(101). An aluminum doped zinc oxide(Al2O3-ZnO) complex granule powder is formed by spraying and pyrolyzing the complex solution(103,104). An Al2O3-ZnO slurry is formed by adding an addictive to the complex granule powder(106). The slurry is dried(107). The dried slurry is press-formed to a sputtering target type(109). An aluminum doped zinc oxide sputtering target is formed by sintering the molding product(111,112).
摘要翻译：提供了一种用于制造掺杂铝的氧化锌的溅射靶的方法，以通过使用喷雾热解使铝在氧化锌内的分散性最大化。将硝酸锌溶液（Zn（NO 3）2·xH 2 O）和硝酸铝溶液（Al（NO 3）3·xH 2 O）混合并溶解（101）。通过喷雾和热解复合溶液（103,104）形成铝掺杂氧化锌（Al2O3-ZnO）复合颗粒粉末。通过向复合颗粒粉末（106）中加入成瘾剂形成Al2O3-ZnO浆料。将浆料干燥（107）。将干燥的浆料压制成溅射靶（109）。通过烧结成型产品（111,112）形成铝掺杂的氧化锌溅射靶。

10. 发明公开

KR1020080101559A 회전형 분무 건조 장치 및 이를 구비한 건조 챔버 无效
标题翻译：旋转型干燥原理机和包括其的干燥奶酪
公开(公告)号：KR1020080101559A
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：KR1020070048810
申请日：2007-05-18
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이윤규 , 이진호 , 박주옥 , 성연규
IPC分类号： B01J2/04 , B01J2/02 , B01J2/14 , B01D1/18
CPC分类号： F26B17/282 , B01J2/04 , B01J2/14
摘要： A rotative spray dryer and a drying chamber with the same are provided to spray material upward to reduce the amount of spraying solidified on a chamber wall. A discharge hole(112) is formed along with an external circumference in an upper plate(111) in a rotative spray dryer. The rotative spray dryer includes an inlet to which material is inserted and an outlet through which material is discharged to manufacture sphering granule powder. A lower plate(113) is connected to the inlet(114). A guide(115) integrally connects the upper and lower plates. A guide wall guides material from the inlet to the outlet.
摘要翻译：提供旋转喷雾干燥器和具有该旋转喷雾干燥器的干燥室以向上喷射材料以减少在室壁上凝固的喷涂量。排出孔（112）与旋转喷雾干燥器中的上板（111）中的外圆周一起形成。旋转喷雾干燥器包括插入材料的入口和排出物料的出口以制造球形颗粒粉末。下板（113）连接到入口（114）。引导件（115）整体连接上板和下板。引导壁将材料从入口引导到出口。

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