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11. 发明授权

KR101400690B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法，衬底处理方法和衬底处理设备
公开(公告)号：KR101400690B1
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：KR1020130112551
申请日：2013-09-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 및 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 산소 함유 가스를 공급하는 공정;을 타이밍을 다르게 하여 비(非)동시에 수행하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함하고,상기 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정, 상기 탄소 함유 가스를 공급하는 공정, 상기 질소 함유 가스를 공급하는 공정 및 상기 산소 함유 가스를 공급하는 공정 중 하나의 공정을 수행한 후, 다음 공정을 수행하기 전에 상기 처리실 내의 잔류 가스를 제거하는 공정을 수행하는 것에 의해, 상기 처리실 내에 있어서 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스를 각각 비혼합으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
摘要翻译：形成具有低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘特性的绝缘膜。向处理室内的基板供给规定的含元素气体的工序; 向处理室中的衬底供应含碳气体; 向处理室中的衬底供应含氮气体; 并且相对于在处理室中的基板供给含氧气体的工序;以及通过执行循环的预定数目的步骤的同时非（非）用不同的定时执行，以形成在基板上的黄原氮化膜，供给含有规定元素的气体的步骤，供给含碳气体的步骤，供给含氮气体的步骤以及供给含氧气体的步骤，之前根据各非混合给定的含元素的气体，含碳气体的半导体器件，所述含氧气体和所述含氧气体氮在通过执行所述处理腔室中在处理室除去残留气体的工序提供了一种制造方法。

12. 发明授权

KR101361676B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，加工基板的方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR101361676B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020120108671
申请日：2012-09-28
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판에 대하여 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소 함유 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 질소 함유 가스를 공급하는 공정을 1세트로 하여 이 세트를 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 탄질화층을 형성하는 공정; 및 상기 기판에 대하여 산소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 탄질화층을 산화하여 산탄질화층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 산탄 질화막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정에서는 상기 기판 상에 소정 원소 함유층을 형성하고, 상기 탄소 함유 가스를 공급하는 공정에서는 상기 소정 원소 함유층 상에 상기 탄소 함유 가스의 불연속적인 화학 흡착층을 형성하는 것에 의해 상기 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 형성하고, 상기 질소 함유 가스를 공급하는 공정에서는 상기 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층의 상기 질소 함유 가스에 의한 질화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서 상기 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 논플라즈마의 분위기 하에서 질 화하여 탄질화층을 형성하고, 상기 산탄질화층을 형성하는 공정에서는 상기 탄질화층의 상기 산소 함유 가스에 의한 산화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서 상기 탄질화층을 논플라즈마의 분위기 하에서 산화하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

13. 发明公开

KR1020120082814A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，加工基板和基板处理装置的方法
公开(公告)号：KR1020120082814A
公开(公告)日：2012-07-24
申请号：KR1020110146649
申请日：2011-12-30
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02112 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device, method of processing substrate and substrate processing apparatus are provided to form an insulating substrate including a high insulating characteristic, low etching rate, and low conductibility. CONSTITUTION: A heat treatment furnace(202) includes a heater(207) as a heat device having a heater and reaction container(203) located on concentric rings with the heater inside. A first(249a) nozzle, second(249b) nozzle, third(249c) nozzle, and fourth(249d) nozzle are installed to penetrate the lower part of the reaction container. The first, second, third, and fourth nozzles are respectively connected to a first gas pope, second gas pope, third gas pope, and fourth gas pope. A buffer room(237) is installed according to the loading direction of a wafer(200).
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件的制造方法，衬底和衬底处理设备的处理方法，以形成具有高绝缘特性，低蚀刻速率和低导电性的绝缘衬底。构成：热处理炉（202）包括作为加热装置的加热器（207），其具有加热器和位于与加热器内部的同心环上的反应容器（203）。安装第一（249a）喷嘴，第二（249b）喷嘴，第三（249c）喷嘴和第四（249d）喷嘴）以穿透反应容器的下部。第一，第二，第三和第四喷嘴分别连接到第一气体教皇，第二气体教皇，第三气体教皇和第四气体教皇。缓冲室（237）根据晶片（200）的装载方向安装。

14. 发明公开

KR1020110114446A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译： 반도체장치의제조방법，기판처리방법및기판처리장장
公开(公告)号：KR1020110114446A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020110029300
申请日：2011-03-31
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히로세요시로 , 타카사와유신 , 카마쿠라츠카사 , 나카무라요시노부 , 사사지마료타
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/0223 , H01L21/02247 , H01L21/0228 , H01L21/67011 , H01L21/67017
摘要： An insulating film having features such as a low dielectric constant, a low etching rate and a high insulating property is formed. An oxycarbonitride film is formed on a substrate by performing a cycle a predetermined number of times, the cycle including: (a) supplying a gas containing an element to the substrate; (b) supplying a carbon-containing gas to the substrate; (c) supplying a nitrogen-containing gas to the substrate; and (d) supplying an oxygen-containing gas to the substrate.
摘要翻译：形成具有诸如低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘性的特征的绝缘膜。通过执行预定次数的循环在衬底上形成碳氮氧化物膜，所述循环包括：（a）向衬底供应含有元素的气体; （b）向衬底供应含碳气体; （c）向衬底供应含氮气体; 和（d）向衬底供应含氧气体。

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