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121. 发明授权

KR101529232B1 박막 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：薄膜太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101529232B1
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：KR1020130156636
申请日：2013-12-16
申请人： 한국기계연구원
发明人： 권정대 , 박성규 , 함명관 , 김창수 , 김동호 , 남기석 , 조병진 , 정용수
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/0445
摘要： 본발명은박막태양전지및 그제조방법에관한것으로서, 상기태양전지는기판, 상기기판상에형성된전면전극층, 상기전면전극층상에형성된복수의옥사이드층, 상기옥사이드층상에형성된광 흡수층및 상기광 흡수층상에형성되는후면전극층을구비하고, 상기복수의옥사이드층은다단구조의일함수(work function)를가지도록상기복수의옥사이드층의각각은크기가서로다른일정한일함수를가진다.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基板; 形成在所述基板上的前侧电极层; 形成在前侧电极层上的多个氧化物层; 形成在氧化物层上的光吸收层; 以及形成在光吸收层上的后侧电极层。每个氧化物层具有恒定的功函数，其大小相互不同以具有多级结构中的功函数。

122. 发明授权

KR101512793B1 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법 有权
公开(公告)号：KR101512793B1
公开(公告)日：2015-04-17
申请号：KR1020120037089
申请日：2012-04-10
申请人： 한국기계연구원
发明人： 남기석 , 강재욱 , 권정대 , 김동호 , 김창수 , 류승윤 , 박성규 , 윤정흠 , 이건환 , 이성훈 , 정용수
IPC分类号： H05H1/34 , C23C16/50 , H01L21/205
摘要： 본 발명은 안정된 글로우 방전을 유도할 수 있고, 플라즈마가 아크로 전이되는 현상을 억제하여 대기압 근처에서도 안정적으로 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마 발생장치 및 기판의 플라즈마 처리방법을 위하여, 기판을 안착시키기 위한 제1전극 및 상기 제1전극 상에 이격되게 배치되고, 상기 제1전극과 대향하는 면에 형성되어 그 사이에 캐비티를 한정하는 몸체를 포함하는 복수의 캐필러리부들 및 상기 캐비티의 저면부 상의 다공성 도전층을 포함하는 제2전극을 포함하는, 플라즈마 발생장치를 제공한다.

123. 发明公开

KR1020140144771A 캐필러리부가 구비된 복수의 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템 无效
标题翻译：使用旋转电极与毛细管等离子体加工滚子到滚筒系统
公开(公告)号：KR1020140144771A
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020130066297
申请日：2013-06-11
申请人： 한국기계연구원
发明人： 권정대 , 남기석 , 조병진 , 윤정흠 , 김동호 , 정용수 , 김창수 , 박성규
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32009 , H01J37/32559 , H01J37/32568 , H05H1/46
摘要： 본 발명은 고밀도 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 기판의 플라즈마 처리시스템 및 처리방법에 관한 것으로서, 외주면에 유전체가 코팅된 원통형의 기판히터를 구비하는 서셉터; 상기 기판히터와는 이격되며, 캐필러리부들을 가지는 도전성 몸체를 포함하고, 상기 기판히터의 원주방향을 따라 서로 이격되어 배열되는, 적어도 하나 이상의 회전전극; 및 유연기판을, 상기 회전전극과는 이격되고 상기 기판히터와는 접하도록, 롤투롤 방식으로 감을 수 있는, 한 쌍의 롤들;을 포함하는, 캐필러리부가 구비된 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用其的基板的高密度等离子体产生装置和等离子体处理系统。使用具有毛细管单元的旋转电极的卷对卷等离子体处理系统包括：基座，其包括在外周面上涂覆有电介质的圆筒状基板加热器; 与基板加热器分离的至少一个旋转电极包括具有毛细管单元的导电体，沿着基板加热器的圆周方向分离; 以及一对辊，其以卷对卷方式滚动柔性基板以与旋转电极分离并接触基板加热器。

124. 发明授权

KR101404133B1 실란 생성 장치, 실란 생성 방법 및 이를 이용한 규소 강판의 제조방법 有权
标题翻译：硅烷的形成装置，硅烷的形成方法及使用该方法的硅钢片的制造方法
公开(公告)号：KR101404133B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020120043775
申请日：2012-04-26
申请人： 한국기계연구원
发明人： 남기석 , 강재욱 , 권정대 , 김동호 , 김창수 , 류승윤 , 박성규 , 윤정흠 , 이건환 , 이성훈 , 정용수
IPC分类号： C01B33/04 , B01J19/12 , C23C16/513 , C23C16/24
摘要： 본 발명의 일 관점에 따른 실란 생성 장치가 제공된다. 제 1 홀을 가지는 제1 전극, 제 2 홀을 가지며 상기 제 1 전극과 이격하여 대향하는 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재된 적어도 하나 이상의 입상 규소(silicon granular) 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 연결된 전원부를 포함한다. 상기 제 1 홀을 통하여 수소 가스가 유입될 수 있고, 상기 제 2 홀을 통하여 상기 플라즈마가 상기 수소와 상기 입상 규소와 반응하여 형성된 실란(SiH
4 )이 유출될 수 있다.

125. 发明授权

KR101404136B1 고규소 전기 강판의 제조방법 및 전기 강판의 제조시스템 有权
标题翻译：形成高硅浓度的电工钢板的制造方法以及电工钢板的制造方法
公开(公告)号：KR101404136B1
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020120027704
申请日：2012-03-19
申请人： 한국기계연구원
发明人： 남기석 , 권정대 , 김동호 , 류승윤 , 박성규 , 윤정흠 , 정용수
IPC分类号： C23C16/50 , C23C10/06
摘要： 본 발명의 일 관점에 따른 전기 강판의 제조방법이 제공된다. 제 1 강판을 제공한다. 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 상기 제 1 강판의 적어도 일면 상에 적어도 하나의 규소층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 규소층 내 규소가 상기 제 1 강판 내로 확산되도록 상기 제 1 강판을 열처리하여, 규소를 함유하는 제 2 강판을 형성한다.

126. 发明授权

KR101389381B1 수명이 향상된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：有机 - 无机杂化串联多功能光伏具有改善的寿命和其制备方法
公开(公告)号：KR101389381B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120107186
申请日：2012-09-26
申请人： 한국기계연구원
发明人： 김창수 , 김동호 , 강재욱 , 정용수 , 남기석 , 권정대
IPC分类号： H01L31/076 , H01L31/042 , H01L51/42 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 본발명은수명이향상된유·무기복합탠덤태양전지및 이의제조방법에관한것으로, 구체적으로은을포함하는후면전극층이도입된인버터형태의유·무기복합탠덤태양전지및 이의제조방법에관한것으로, 본발명은기판; 상기기판상에형성된투명전극층; 상기투명전극층상에 n형비정질실리콘층/i형비정질실리콘층/p형비정질실리콘층이순서대로적층된무기계광활성층; 상기무기계광활성층상에적층된정공수송층; 상기정공수송층상에적층된전자수송층; 상기전자수송층상에적층된유기계광활성층; 및상기유기계광활성층상에적층된은(Ag)을포함하는후면전극층을포함하는수명이향상된유·무기복합탠덤태양전지및 이의제조방법을제공한다. 본발명에따른수명이향상된유·무기복합탠덤태양전지는은을포함하는후면전극층이도입된인버터형태를갖고, 저항의증가없이광 파장대역이서로상이한유기계광활성층을포함하는유기태양전지및 무기계광활성층을포함하는무기태양전지가직렬연결되어효율이크게향상될뿐만아니라시간에따른전력변환효율이유지되어장기간안정성이우수한장점이있다.

127. 发明公开

KR1020130128814A 징크옥사이드 기능층을 갖는 박막형 태양전지 无效
标题翻译：薄膜型太阳能电池，包含氧化锌粉末层
公开(公告)号：KR1020130128814A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120052847
申请日：2012-05-18
申请人： 한국기계연구원
发明人： 류승윤 , 김동호 , 남기석 , 정용수 , 권정대 , 이성훈 , 윤정흠 , 박성규 , 김창수
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/075 , H01L31/0224 , H01L31/042
摘要： A thin-film type solar cell having a zinc oxide functional layer is disclosed. The thin-film type solar cell according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate; a first electrode arranged on an upper part of the substrate; a zinc oxide functional layer arranged on an upper part of the first electrode; a photoelectric conversion layer arranged on an upper part of the zinc oxide functional layer and formed by bonding at least one p-type semiconductor layer, at least one n-type semiconductor layer and at least one i-type semiconductor layer to one another; and a second electrode arranged on an upper part of the photoelectric conversion layer. The thickness of the zinc oxide functional layer is 2 to 6 nm.
摘要翻译：公开了一种具有氧化锌功能层的薄膜型太阳能电池。根据本发明实施例的薄膜型太阳能电池包括：基板; 布置在所述基板的上部的第一电极; 布置在所述第一电极的上部的氧化锌功能层; 通过将至少一个p型半导体层，至少一个n型半导体层和至少一个i型半导体层彼此接合而形成在氧化锌功能层的上部并形成的光电转换层; 以及布置在光电转换层的上部的第二电极。氧化锌功能层的厚度为2〜6nm。

128. 发明授权

KR101326539B1 ＷＯ3 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지 有权
标题翻译：薄膜型太阳能电池包含WO3缓冲层
公开(公告)号：KR101326539B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020120000434
申请日：2012-01-03
申请人： 한국기계연구원
发明人： 류승윤 , 김동호 , 남기석 , 정용수 , 권정대 , 이성훈 , 윤정흠 , 이건환 , 김종국
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： WO
3 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에서는 기판; 상기 기판 상부에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상부에 배치되는 것으로, 적어도 하나의 p형 반도체층, 적어도 하나의 n형 반도체층 및 적어도 하나의 i형 반도체층이 접합되어 형성되는 광전변환층; 상기 광전변환층 상부에 배치되는 제2 전극; 및 상기 p형 반도체층 및 상기 제1 전극 사이에 배치되는 것으로, WO
3 를 포함하여 형성되는 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

129. 发明授权

KR101326538B1 이중 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지 有权
标题翻译：薄膜型太阳能电池，包含双缓冲层
公开(公告)号：KR101326538B1
公开(公告)日：2013-11-08
申请号：KR1020120000436
申请日：2012-01-03
申请人： 한국기계연구원
发明人： 류승윤 , 김동호 , 남기석 , 정용수 , 권정대 , 이성훈 , 윤정흠 , 이건환 , 김종국
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 이중 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 기판; 상기 기판 상부에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상부에 배치되는 것으로, 금(Au) 나노입자를 포함하여 형성되는 제1 버퍼층;상기 제1 버퍼층 상부에 배치되는 것으로, WO
3 를 포함하여 형성되는 제2 버퍼층; 상기 제2 버퍼층 상부에 배치되는 것으로, 적어도 하나의 p형 반도체층, 적어도 하나의 n형 반도체층 및 적어도 하나의 i형 반도체층이 접합되어 형성되는 광전변환층; 및 상기 광전변환층 상부에 배치되는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.

130. 发明公开

KR1020130071339A 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 제조방법 无效
标题翻译：通过2步原子层沉积制备CUXO的制备方法
公开(公告)号：KR1020130071339A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020120099484
申请日：2012-09-07
申请人： 한국기계연구원
发明人： 권정대 , 김동호
IPC分类号： C23C16/448 , H01L21/205 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/408 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/205
摘要： PURPOSE: A copper oxide layer manufacturing method through a two-step atomic layer deposition method is provided to selectively manufacture a first or second copper oxide layer and to control the depth of the whole thin film. CONSTITUTION: A copper oxide layer manufacturing method through a two-step atomic layer deposition method comprises the following steps: forming a copper atom layer on a substrate using copper precursor gas and reaction gas; and forming a copper oxide layer by oxidizing the copper atom layer using oxidizing gas. The copper atom layer performs the following steps: absorbing copper precursor gas on the substrate; purging the copper precursor gas from a deposition chamber; forming the copper atom layer on the substrate after making the reaction gas into plasma by taking the reaction gas inside the deposition chamber; and purging the reaction gas from the deposition chamber. [Reference numerals] (AA) Copper precursor gas; (BB,DD,FF) Purge; (CC) Hydrogen plasma; (EE) Oxidizing gas; (GG) First step; (HH) Second step
摘要翻译：目的：提供通过两步原子层沉积方法的氧化铜层制造方法来选择性地制造第一或第二氧化铜层并控制整个薄膜的深度。构成：通过两步原子层沉积方法的氧化铜层制造方法包括以下步骤：使用铜前体气体和反应气体在基板上形成铜原子层; 以及通过使用氧化气体氧化铜原子层而形成氧化铜层。铜原子层进行以下步骤：在基板上吸收铜前体气体; 从沉积室中清除铜前体气体; 通过将沉积室内的反应气体制成等离子体，在基板上形成铜原子层; 并从沉积室吹扫反应气体。（附图标记）（AA）铜前体气体; （BB，DD，FF）清洗; （CC）氢等离子体; （EE）氧化气体; （GG）第一步; （HH）第二步

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