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1. 发明公开

KR1020100071463A 금속 박막 또는 금속 산화물 박막 증착용 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법 无效
标题翻译：用于沉积金属或金属氧化物薄膜的有机前体和薄膜的沉积过程
公开(公告)号：KR1020100071463A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130192
申请日：2008-12-19
申请人： 주식회사 유피케미칼
发明人： 신현국 , 박정우 , 김홍기
IPC分类号： C07F15/02 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC分类号： C07F15/0053 , C07C251/12 , C07F1/08 , C07F13/005 , C07F15/0046 , C07F15/025 , C07F15/045 , C07F15/065 , C23C16/18 , C23C16/406 , C23C16/408 , C23C16/45525
摘要： PURPOSE: An organo metallic precursor compound for the metallic foil or the metal oxide thin films evaporation is provided to ensure high thermal stability and high vapor pressure. CONSTITUTION: An organo metallic precursor compound for the metallic foil or the metal oxide thin films evaporation is denoted by chemical formula 1. In chemical formula 1, M is the manganese (Mn), the iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), germanium (Ge), zinc (Zn), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), lead (Pb) or ruthenium (Ru). The metallic foil or the metal oxide thin films is formed by Atomic Layer Deposition(ALD) or Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD).
摘要翻译：目的：提供用于金属箔或金属氧化物薄膜蒸发的有机金属前体化合物，以确保高热稳定性和高蒸气压。构成：金属箔或金属氧化物薄膜蒸发的有机金属前体化合物由化学式1表示。在化学式1中，M是锰（Mn），铁（Fe），钴（Co），镍（Ni），铜（Cu），锗（Ge），锌（Zn），镁（Mg），钙（Ca），锶（Sr），钡（Ba），铅（Pb）或钌（Ru）。金属箔或金属氧化物薄膜由原子层沉积（ALD）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）形成。

2. 发明授权

KR100422892B1 모빌 스피시 확산으로 인한 금속 산화물 세라믹의 열화를 감소시키는 방법 失效
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR100422892B1
公开(公告)日：2004-03-12
申请号：KR1020017007680
申请日：1999-12-08
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게 , 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드
发明人： 힌터마이어,프랑크,에스. , 로이더,제프리,에프. , 헨드릭스,브라이언,씨. , 데스로철스,데브라,에이. , 바움,토마스,에이치.
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/62222 , C04B2235/3251 , C04B2235/3296 , C04B2235/76 , C23C16/40 , C23C16/408 , C23C16/56 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L21/02356 , H01L21/31691
摘要： 금속 산화물 세라믹으로부터 과잉 모빌 스피시의 확산 감소는 조성 및/또는 증착 파라미터를 조절함으로써 달성된다. 과잉 모빌 스피시와 반응하는 배리어층이 금속 산화물 세라믹 아래에 제공되어 기판 속으로 그리고 하부 전극을 통한 과잉 모빌 스피시의 확산을 방지 또는 감소시킨다.
摘要翻译：多余的移动物质从金属氧化物陶瓷的减少的扩散是通过调整组合物/沉积参数来实现的。在金属氧化物陶瓷的下面设置有与多余的流动物质反应的阻挡层，以防止或减少多余的流动物质通过底部电极并进入衬底中的扩散。

3. 发明授权

KR1019910007382B1 초전도 재료 및 초전도 박막의 제조방법 失效
标题翻译：超导体材料及制造超导体膜的方法
公开(公告)号：KR1019910007382B1
公开(公告)日：1991-09-25
申请号：KR1019880009830
申请日：1988-08-01
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 오까모또유끼오 , 아이다도시유끼 , 미야우찌가쯔끼 , 다까기가즈마사 , 후까자와도꾸우미 , 다까야미신지
IPC分类号： H01L39/24
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C4/11 , C23C14/0031 , C23C14/087 , C23C14/32 , C23C16/408 , C23C16/517 , H01L39/2422 , H01L39/2445 , H01L39/2451 , Y10S505/73 , Y10S505/732 , Y10S505/786
摘要： 내용 없음.

4. 发明公开

KR1020150119816A 이중 선택적 퇴적 审中-实审
标题翻译：双选择沉积
公开(公告)号：KR1020150119816A
公开(公告)日：2015-10-26
申请号：KR1020150053760
申请日：2015-04-16
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 하우카수비 , 마테로라이야 , 토이스에바 , 니스카넨안티 , 투오미넨마르코 , 후오타리한누 , 포레빌야미제이.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/04 , C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/18 , C23C16/22 , C23C16/30 , C23C16/402 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/408 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/76829 , H01L21/76849
摘要： 기판의제1 표면상에제1 물질을그리고동일한기판의다른제2 표면상에제2 물질을이중선택적퇴적하는방법들이제공된다. 선택적으로퇴적된물질들은예를들어, 금속, 금속산화물, 또는유전체물질들이리수 있다.
摘要翻译：提供了用于将第一材料双重选择性沉积在基底的第一表面上的方法和在相同基底的第二不同表面上的第二材料。选择性沉积的材料可以是例如金属，金属氧化物或介电材料。

5. 发明授权

KR100544561B1 고전류 도포 고온 초전도 테이프 제조 有权
标题翻译：大电流涂层高温超导磁带的制造
公开(公告)号：KR100544561B1
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020037001813
申请日：2001-08-03
申请人： 아이지씨-수퍼파워, 엘엘씨
发明人： 셀바매니캄벤카트
IPC分类号： C23C16/40
CPC分类号： H01L39/143 , C23C16/408 , C23C16/4481 , H01L39/2441 , Y10T29/49014
摘要： 증발 희토류, 바륨 및 구리 화합물 테트라메틸 헵탄디오네이트를 이용하는 고전류 도포 고온 초전도 테이프의 제조에 관한 것이 개시되어 있다.
초전도체, 희토류, 증발기, 샤워헤드, 증착, 화학증착, 유기금속화학증착

6. 发明公开

KR1020050048590A 테이프 기판 위에 초전도체 재료를 형성하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：超导体材料在带状基材上的方法和装置
公开(公告)号：KR1020050048590A
公开(公告)日：2005-05-24
申请号：KR1020057001408
申请日：2003-07-23
申请人： 메탈 옥사이드 테크놀로지스 인코포레이티드
发明人： 이그나티브알렉스 , 장신 , 쩡졘밍 , 류자수 , 처우펀추 , 카스텔라니루이스디.
IPC分类号： H01L39/00
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/0209 , C23C16/0227 , C23C16/408 , C23C16/545 , H01L39/2438 , H01L39/248
摘要： The invention continuously deposits materials used to grow a superconductor layer onto a moving tape. The invention preferably uses a pay-out reel (401) and take-up reel (406) to respectively dispense and spool the tape substrate at a constant rate. The invention preferably uses a series of stages to form the superconductor layer on the tape, and includes at least one reactor or reaction chamber (601c) to deposit one or more materials onto the tape substrate that is used to form the superconductor layer, and one or more chambers (601a, 601b) to deposit buffer layers between the superconductor and the metal tape substrate or between layers of superconductor, as well as for the deposition of coating layers. The invention also preferably uses transition chambers (701) between the stages to isolate each stage from the other stages.
摘要翻译：本发明将用于生长超导体层的材料连续地沉积到移动的带上。本发明优选使用发放卷轴（401）和卷取卷轴（406）分别以恒定速率分配和卷绕带基片。本发明优选使用一系列步骤在带上形成超导体层，并且包括至少一个反应室或反应室（601c），以将一种或多种材料沉积到用于形成超导体层的带基材上，一个或更多的腔室（601a，601b）以在超导体和金属带衬底之间或超导体层之间沉积缓冲层，以及用于沉积涂层。本发明还优选地在级之间使用过渡室（701）以将每个级与其它级隔离。

7. 发明公开

KR1020040055823A 화학 증착용 금속 착물 공급원 시약 失效
标题翻译： 학학증착용금속착물공급원基础
公开(公告)号：KR1020040055823A
公开(公告)日：2004-06-29
申请号：KR1020047008547
申请日：1996-06-06
申请人： 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드
发明人： 컬린피터에스 , 브라운던칸더블유 , 바움토마스더블유 , 바아트스트라브라이언에이 , 가디너로빈에이
IPC分类号： C07F5/00
CPC分类号： C23C16/18 , C07F3/003 , C07F5/003 , C07F7/006 , C07F9/005 , C07F19/005 , C23C16/30 , C23C16/305 , C23C16/40 , C23C16/408 , C23C16/409 , C23C16/4481 , C23C16/4483 , C23C16/45561 , H01L39/2441
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 금속유기 착물에 관한 것이다:
화학식 1
MA
y X
상기 식에서, M은 y가의 금속이고; A는 M에 배위되어 MA
y 와 X의 착물 형성을 가능하게 하는 1좌 배위 또는 다좌 배위 유기 리간드이며; y는 2, 3 또는 4의 값을 갖는 정수이고; 리간드 A는 각각 동일하거나 상이하며; X는 M에 배위되고 원소 C, N, H, S, O 및 F의 원자들로 이루어진 군 중에서 독립적으로 선택된 하나 이상의 원자를 함유하는 1좌 배위 또는 다좌 배위 리간드이다. 금속 M은 Cu, Ba, Sr, La, Nd, Ce, Pr, Sm, Eu, Th, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Tl, Y, Rb, Ni, Pd, Pt, Al, Ga, In, Ag, Au, Co, Rh, Ir, Fe, Ru, Sn, Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Mg, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo 및 W로 이루어진 군 중에서 선택될 수 있다. A는 β-디케토네이트 및 이것의 황 및 질소 유사체, β-케토에스테르 및 이것의 황 및 질소 유사체, 시클로펜타디에닐, 알킬, 퍼플루오로알킬, 알콕사이드, 퍼플루오로알콕사이드 및 쉬프(Schiff) 염기로 이루어진 군 중에서 선택될 수 있다. X는 예를 들면 테트라글림, 테트라히드로푸란, 바이피리딘, 크라운 에테르 또는 티오에테르와 같은 액체를 포함할 수 있다.
摘要翻译：下式的金属有机配合物：其中：M是y价金属; A是与M配位的单齿或多齿有机配体，其允许MAy与X络合; y是值为2,3或4的整数; 每个A配体可以相同或不同; 并且X是与M配位且包含一个或多个独立地选自元素C，N，H，S，O和F的原子的原子的单齿或多齿配体。金属M可以选自 Ba，Sr，La，Nd，Ce，Pr，Sm，Eu，Th，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Bi，Tl，Y，Pb，Ni，Pd，Pt ，Al，Ga，In，Ag，Au，Co，Rh，Ir，Fe，Ru，Sn，Li，Na，K，Rb，Cs，Ca，Mg，Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr Mo和W.A可选自β-二酮酸盐及其硫和氮类似物，β-酮酯及其硫和氮类似物，环戊二烯基，烷基，全氟烷基，醇盐，全氟烷氧化物和席夫碱。 X可以例如包含配体，例如四甘醇二甲醚，四氢呋喃，联吡啶，冠醚或硫醚。

8. 发明公开

KR1020010086117A 모빌 스피시 확산으로 인한 금속 산화물 세라믹의 열화를 감소시키는 방법 失效
标题翻译：金属氧化物陶瓷由于其移动物体的扩散而减少的降解
公开(公告)号：KR1020010086117A
公开(公告)日：2001-09-07
申请号：KR1020017007680
申请日：1999-12-08
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게 , 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드
发明人： 힌터마이어,프랑크,에스. , 로이더,제프리,에프. , 헨드릭스,브라이언,씨. , 데스로철스,데브라,에이. , 바움,토마스,에이치.
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/62222 , C04B2235/3251 , C04B2235/3296 , C04B2235/76 , C23C16/40 , C23C16/408 , C23C16/56 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L21/02356 , H01L21/31691
摘要： 금속산화물세라믹으로부터과잉모빌스피시의확산감소는조성및/또는증착파라미터를조절함으로써달성된다. 과잉모빌스피시와반응하는배리어층이금속산화물세라믹아래에제공되어기판속으로그리고하부전극을통한과잉모빌스피시의확산을방지또는감소시킨다.
摘要翻译：多余的移动物质从金属氧化物陶瓷的减少的扩散是通过调整组合物/沉积参数来实现的。在金属氧化物陶瓷的下面设置有与多余的流动物质反应的阻挡层，以防止或减少多余的流动物质通过底部电极并进入衬底中的扩散。

9. 发明公开

KR1020170089774A Cu 배선의 제조 방법 및 Cu 배선 제조 시스템 审中-实审
标题翻译： Cu布线和Cu布线制造系统的制造方法
公开(公告)号：KR1020170089774A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020170012029
申请日：2017-01-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 마츠모토겐지
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76886 , C23C14/025 , C23C16/408 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/76802 , H01L21/7684 , H01L21/76846 , H01L21/76864 , H01L21/76871 , H01L21/76879 , H01L21/76883 , H01L23/5226 , H01L23/53238
摘要： 본발명의과제는배리어막으로서 MnOx 막을이용했을경우에그 위의라이너막의배선저항에의영향을억제할수 있어, 배선저항이낮은 Cu 배선을얻는것이다. 해결수단으로서, 기판(W)에대하여 Cu 배선(210)을제조하는 Cu 배선의제조방법은, 적어도오목부(203)의표면에, 층간절연막(202)과의반응으로자기형성배리어막이되는 MnOx 막(205)을 ALD에의해형성하는공정과, MnOx 막(205) 표면에 CuOx 막(206)을 CVD 또는 ALD에의해형성하는공정과, 그후, CuOx 막(206)이형성된기판(W)에대하여어닐링처리를실시하고, MnOx 막(205)과 CuOx 막(206) 사이에서산화환원반응을생기게하여, CuOx 막(206)을 Cu 막(207)으로환원하는공정과, 오목부(203) 내에 Cu계막(208)을매립하는공정을갖는다.
摘要翻译：本发明的目的是，能够抑制衬垫膜的位置的影响，在使用膜作为阻挡膜的MnO x的情况下的布线电阻，布线电阻，以获得低Cu布线。作为一种解决方案，从而产生用于相对于产生的Cu布线210到基板（W）的Cu布线的方法是，至少在凹部203的表面上，层间绝缘膜（202）的MnO x形成阻挡到膜响应磁性的和的MnO x膜在其上表面205的CuOx膜206的步骤是通过在ALD工艺的膜205，此后，的CuOx膜206释放衬底（W）形成，通过CVD或ALD形成通过使间，所述的CuOx层206和减少Cu膜207的工序中，所述凹部203对氧化还原反应在实施例中和，的MnO x膜205和的CuOx膜206的退火处理以及嵌入Cu膜208的步骤。

10. 发明公开

KR1020130071339A 2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 제조방법 无效
标题翻译：通过2步原子层沉积制备CUXO的制备方法
公开(公告)号：KR1020130071339A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020120099484
申请日：2012-09-07
申请人： 한국기계연구원
发明人： 권정대 , 김동호
IPC分类号： C23C16/448 , H01L21/205 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/408 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/205
摘要： PURPOSE: A copper oxide layer manufacturing method through a two-step atomic layer deposition method is provided to selectively manufacture a first or second copper oxide layer and to control the depth of the whole thin film. CONSTITUTION: A copper oxide layer manufacturing method through a two-step atomic layer deposition method comprises the following steps: forming a copper atom layer on a substrate using copper precursor gas and reaction gas; and forming a copper oxide layer by oxidizing the copper atom layer using oxidizing gas. The copper atom layer performs the following steps: absorbing copper precursor gas on the substrate; purging the copper precursor gas from a deposition chamber; forming the copper atom layer on the substrate after making the reaction gas into plasma by taking the reaction gas inside the deposition chamber; and purging the reaction gas from the deposition chamber. [Reference numerals] (AA) Copper precursor gas; (BB,DD,FF) Purge; (CC) Hydrogen plasma; (EE) Oxidizing gas; (GG) First step; (HH) Second step
摘要翻译：目的：提供通过两步原子层沉积方法的氧化铜层制造方法来选择性地制造第一或第二氧化铜层并控制整个薄膜的深度。构成：通过两步原子层沉积方法的氧化铜层制造方法包括以下步骤：使用铜前体气体和反应气体在基板上形成铜原子层; 以及通过使用氧化气体氧化铜原子层而形成氧化铜层。铜原子层进行以下步骤：在基板上吸收铜前体气体; 从沉积室中清除铜前体气体; 通过将沉积室内的反应气体制成等离子体，在基板上形成铜原子层; 并从沉积室吹扫反应气体。（附图标记）（AA）铜前体气体; （BB，DD，FF）清洗; （CC）氢等离子体; （EE）氧化气体; （GG）第一步; （HH）第二步

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