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111. 发明授权

KR100762000B1 고휘도 질화물계 반도체 발광소자 失效
标题翻译：高亮度氮化物基半导体发光器件
公开(公告)号：KR100762000B1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020060000058
申请日：2006-01-02
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 전동민 , 장태성 , 강필근
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/46
摘要： 본 발명은 고휘도 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상면에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상면의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상면에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상면의 소정 영역에 형성된 p형 오믹접촉층과, 상기 p형 오믹접촉층 상면과 상기 p형 오믹접촉층이 형성되지 않은 p형 질화물 반도체층 상면에 형성된 반사층과, 상기 반사층 상면에 형성된 p형 본딩 패드와, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상면에 형성된 n형 전극 및 상기 n형 전극 상면에 형성된 n형 본딩 패드를 포함하는 고휘도 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
발광소자, 오믹접촉, 반사율, 발광효율
摘要翻译：一种氮化物半导体发光器件，包括：形成在衬底的上表面上的n型氮化物半导体层;形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域上的有源层;以及p型氮化物半导体层所述p型氮化物半导体的反射层层的p型形成在其上表面层的预定区域的欧姆接触，并且形成在p型欧姆接触层上表面和p型欧姆接触层的上表面上不形成p型氮化物半导体层，和所述提供p型焊垫，且高亮度的氮化物系半导体发光器件包括n型焊垫，被形成在形成于所述反射层的上表面上形成不形成顶面的n型氮化物半导体层上的n型电极和n型电极上表面上的活性层的。

112. 发明授权

KR100755659B1 광추출효율이 개선된 수직구조 질화물 반도체 발광소자 失效
标题翻译：具有改进的光提取效率的基于硝酸盐的半导体发光器件
公开(公告)号：KR100755659B1
公开(公告)日：2007-09-04
申请号：KR1020060023602
申请日：2006-03-14
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 최번재 , 이진현 , 박기열
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/22 , H01L33/36
摘要： A vertical nitride based semiconductor light emitting device is provided to improve light extraction efficiency by converting light path from a downward direction into an upward direction through a recessed pattern. A first conductive nitride semiconductor layer(54) is formed on a conductive substrate(51) having light transmittance. An active layer(55) is formed on the first conductive nitride semiconductor layer. A second conductive nitride semiconductor layer(56) having a recessed pattern(P) is formed on the active layer. A high-reflective ohmic contact layer(59b) is formed on an upper surface of the second conductive nitride semiconductor layer.
摘要翻译：提供了一种基于垂直氮化物的半导体发光器件，用于通过凹陷图案将光路从向下方向转换成向上方向来提高光提取效率。在具有透光性的导电基板（51）上形成第一导电氮化物半导体层（54）。在第一导电氮化物半导体层上形成有源层（55）。在有源层上形成具有凹陷图案（P）的第二导电氮化物半导体层（56）。在第二导电氮化物半导体层的上表面上形成高反射欧姆接触层（59b）。

113. 发明公开

KR1020070073042A 수직형 발광소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：垂直型发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070073042A
公开(公告)日：2007-07-10
申请号：KR1020060000513
申请日：2006-01-03
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 하준석
IPC分类号： H01L33/46
摘要： A vertical type light emitting device and a fabricating method of the same are provided to prevent deterioration of electrical characteristics such as short circuit and leakage current by forming a high reflective layer on a light emitting structure and a p-ohmic layer. A light emitting structure(110) includes an active layer for generating the light. An ohmic layer(120) is formed on the light emitting structure. A high reflective layer(130) is formed to cover the remaining region of the light emitting structure except for a lower part and the ohmic layer. One or more openings are formed in the high reflective layer in order to expose a part of the ohmic layer. A seed metal(140) is formed on the high reflective layer in order to fill up the opening. A first electrode(150) is formed on the seed metal. A second electrode(160) is formed on the lower part of the light emitting structure.
摘要翻译：提供垂直型发光器件及其制造方法，以通过在发光结构和p欧姆层上形成高反射层来防止诸如短路和漏电流的电特性的劣化。发光结构（110）包括用于产生光的有源层。在发光结构上形成欧姆层（120）。形成高反射层（130）以覆盖除了下部和欧姆层之外的发光结构的剩余区域。在高反射层中形成一个或多个开口以暴露欧姆层的一部分。在高反射层上形成种子金属（140）以填充开口。在种子金属上形成第一电极（150）。第二电极（160）形成在发光结构的下部。

114. 发明授权

KR100682878B1 플립칩형 발광소자 失效
标题翻译： 플립칩형발광소자
公开(公告)号：KR100682878B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020060012601
申请日：2006-02-09
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김현수 , 조제희
IPC分类号： H01L33/46
摘要： A flip-chip light emitting device is provided to reduce remarkably the contact resistance between a P type semiconductor layer and a reflective electrode and to improve a light extraction efficiency by using an improved P type electrode structure. An N type semiconductor layer(11), an active layer(12), a P type semiconductor layer(13) and a P type electrode(16) are sequentially formed on a substrate(10). An N type electrode(19) is formed on an exposed portion of the N type semiconductor layer. The P type electrode consists of an ohmic contact layer and a reflective layer. The ohmic contact layer(14) is formed at a portion adjacent to the N type electrode on the P type semiconductor layer. The ohmic contact layer has a predetermined width. The reflective layer(15) is used for covering the ohmic contact layer and the P type semiconductor layer.
摘要翻译：提供倒装芯片发光器件以显着降低P型半导体层和反射电极之间的接触电阻，并通过使用改进的P型电极结构来提高光提取效率。在衬底（10）上依次形成N型半导体层（11），有源层（12），P型半导体层（13）和P型电极（16）。 N型电极（19）形成在N型半导体层的暴露部分上。 P型电极由欧姆接触层和反射层组成。欧姆接触层（14）形成在P型半导体层上与N型电极相邻的部分处。欧姆接触层具有预定的宽度。反射层（15）用于覆盖欧姆接触层和P型半导体层。

115. 发明公开

KR1020050034970A 수직 공진기형 발광소자 및 제조방법 无效
标题翻译：垂直共振光发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050034970A
公开(公告)日：2005-04-15
申请号：KR1020030070763
申请日：2003-10-10
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 함헌주 , 이수민 , 나정석
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/46
摘要： 본 발명은 공진기형 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상면 중 일부영역에 형성되며 유전체로 이루어진 제1 분포 브래그 반사형(DBR) 미러층과, 상기 기판 상면의 다른 영역과 상기 제1 DBR 미러 상에 형성된 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 반도체층과, 상기 제2 도전형 반도체층 상면 중 상기 제1 DBR 미러층에 대응하는 영역에 형성된 제2 DBR 미러층을 포함하는 공진기형 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 활성층으로부터 생성된 광이 공진되는 과정에서 내부손실을 최소화하여 광추출효율을 획기적으로 개선할 수 있을 뿐만 아니라, 측방향 과성장공정을 통해 전류가 주입되는 활성층의 결정성을 향상시켜 내부양자효율를 증가시킴으로써 고휘도 공진기형 발광소자를 얻을 수 있다.

116. 发明公开

KR1020000057891A ＩｎＡｌＧａＮ 발광 장치 및 수직 전도 ＡｌＩｎＧａＮ 발광 장치 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造发光装置的装置和方法
公开(公告)号：KR1020000057891A
公开(公告)日：2000-09-25
申请号：KR1020000005186
申请日：2000-02-02
申请人： 루미레즈 엘엘씨
发明人： 코만캐리카터 , 키쉬프레드에이2세 , 크라메스마이클알 , 마틴파울에스
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32 , H01S5/0216 , H01S5/0421 , H01S5/18341 , H01S5/32341
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting device(LED) is provided an InAlGaN LED by eliminating a light emitting layer from a sapphire growth substrate. CONSTITUTION: A method for manufacturing a light emitting device(LED) comprises the steps of: growing an InAlGaN light emitting structure having a device layer of first and second polarities, on a growth substrate; depositing a first ohmic metal layer on an exposed side of the InAlGaN light emitting structure; depositing a second ohmic metal layer on a host substrate; and adhering the first and second ohmic metal layers to a wafer to form a first electrical contact on an interface of the wafer.
摘要翻译：目的：通过从蓝宝石生长衬底去除发光层，提供了一种用于制造发光器件（LED）的方法。构成：制造发光器件（LED）的方法包括以下步骤：在生长衬底上生长具有第一和第二极性的器件层的InAlGaN发光结构; 在所述InAlGaN发光结构的暴露侧上沉积第一欧姆金属层; 在主机衬底上沉积第二欧姆金属层; 以及将所述第一和第二欧姆金属层粘附到晶片以在所述晶片的界面上形成第一电接触。

117. 发明授权

KR102470226B1 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102470226B1
公开(公告)日：2022-11-23
申请号：KR1020160044566
申请日：2016-04-12
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/46
摘要： 실시예는반도체소자에관한것으로서, 기판; 상기기판아래에배치되는제1 반도체층; 상기제1 반도체층아래에배치되는제2 반도체층; 상기제2 반도체층아래에배치되는제3 반도체층; 및상기제3 반도체층아래에배치되는반사층을포함하고, 상기제1 및제2 반도체층사이, 상기제3 및제2 반도체층사이및 상기제2 반도체층은공핍영역을형성한다.

118. 发明授权

KR102414850B1 절연된 하부를 가지는 반도체 나노와이어 또는 마이크로와이어의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102414850B1
公开(公告)日：2022-06-29
申请号：KR1020177019191
申请日：2015-12-24
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/18 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/46 , H01L31/18
摘要： 본발명은기판(14)과기판상에지지되는마이크로와이어또는나노와이어(20)들을구비하는전자기기(10)를제조하는방법으로, 이방법이마이크로와이어또는나노와이어들을절연층으로덮는단계와, 절연층을불투명층으로덮는단계와, 와이어들사이의기판상에연장되는제1 레지스트층을적층시키는단계와, 제1 레지스트층을사진식각에의해제1 두께만큼식각하는단계와, 앞단계의결과로남은제1 레지스트층을플라즈마식각에의해제2 두께만큼식각하는단계와, 앞단계의결과로남은제1 레지스트층에덮이지않은불투명층의부분을식각하는단계와, 불투명층으로덮이지않은절연층의부분을식각하는단계와, 앞단계의결과로남은제1 레지스트층을제거하는단계와, 그리고불투명층을제거하는단계의순차적인단계들을구비하는전자기기의제조방법에관한것이다.

119. 发明授权

KR102409180B1 발광 소자 패키지 및 조명 장치 有权
公开(公告)号：KR102409180B1
公开(公告)日：2022-06-15
申请号：KR1020150100432
申请日：2015-07-15
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/60 , H01L33/62
摘要： 실시예는발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예의발광소자패키지는상부가개방된캐비티를갖는몸체와, 캐비티내부바닥면에실장되는발광소자와, 몸체상에위치하는상부커버, 및몸체내부에위치하여발광소자를감싸는보호부재를포함하고, 보호부재는반사물질을포함할수 있다.

120. 发明授权

KR102375792B1 LED 다이의 오염을 방지하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102375792B1
公开(公告)日：2022-03-17
申请号：KR1020207020163
申请日：2018-12-13
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/46
摘要： LED 다이에대한금속접촉부의오염을방지하면서금속접촉부의에지에대해반사층이접하도록허용하는방법이제공된다. 이방법은반사필름층의퇴적전에장벽층으로전기접촉부(즉, 금속접촉부) 비아를캡슐화하는단계를포함한다. 장벽층은금속접촉부비아보다더 큰크기의마스크패턴을정의함으로써금속접촉부를캡슐화하여, 금속접촉부가반사필름에의해오염되는것을방지한다. 이캡슐화는금속접촉부의오염을감소시키고또한 LED 다이의작동중의전압강하를감소시킨다.

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