专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

111. 实用新型

KR200423107Y1 드라이아이스 세척장치 失效
标题翻译：一种干燥爆破装置
公开(公告)号：KR200423107Y1
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：KR2020060014078
申请日：2006-05-25
申请人： (주)빅텍스
发明人： 최진흥
IPC分类号： B08B3/10 , B08B5/02 , B08B5/00
CPC分类号： B24C1/003 , B08B7/00
摘要： 본 고안은 노즐이 구비되는 것을 특징으로 하는 드라이아이스 세척장치에 관한 것이다. 본 고안에 따른 노즐이 구비된 드라이아이스 세척장치는 호퍼에 일정하게 드라이아이스 펠렛을 공급하고, 공급되는 드라이아이스 펠렛의 공급양을 조절하는 로터와 로터에서 낙하되는 드라이아이스 펠렛을 압축공기에 의해 배출시켜주는 에어 공급관을 구비하는 드라이아이스 세척장치에 있어서, 본체 케이스 내부 상단에 설치되고, 드라이아이스 펠렛이 채워질 수 있도록 상부는 넓게 형성하고 하부를 좁게 형성하며 그 하단부에는 인출구를 갖는 호퍼; 외부는 로터 하우징에 감싸져 있고, 상기 호퍼의 인출구 하부에 회전 가능하게 설치되고 그 외주연의 일정한 간격마다 상기 인출구로부터 투입되는 드라이아이스 펠렛을 공급받을 수 있는 공급홈들이 형성되는 원판형의 로터; 중앙 상부는 상기 로터 하우징의 하단부에 연결되어 상기 공급홈에서 낙하하는 드라이아이스 펠렛을 내부로 공급하며, 양측단부가 개방되도록 형성되는 연결부; 상기 연결부의 양측단부에 연장 연결되며, 일측에서는 압축공기가 유입되고 이 압축공기에 의해 상기 공급홈에서 공급되는 드라이아이스 펠렛을 타측으로 배출시켜주는 에어 공급관; 및 상기 연결부의 내부 중앙에 위치되어 상기 연결부 단면상의 상, 중부를 차단하여 상기 연결부 단면상의 하부로만 압축공기가 유입되도록 단면적을 줄이는 칸막이 형태로, 상기 연결부로 유입되는 압축공기의 일부를 후측면의 개구부로 유입하여, 상측단부로 배출할 수 있도록 내부에 후측면에서 상측부로 연결되는 관통공이 형성되는 노즐;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 고안에 따르면, 상기 연결부에 노즐을 구비하여 유입되는 압축공기의 흐름을 빠르게 함으로써, 일정한 에너지를 소비할 때, 드라이아이스를 분사하는 압축공기를 보다 강하게 분사시킬 수 있으므로 세척효과를 더욱 증대시킬 수 있는 효과를 갖는다. 그리고, 별도의 추가 장치나 에너지 소비 없이 드라이아이스를 분사하기 위한 압축공기를 이용하여, 상기 로터의 공급홈에 잔류되는 드라이아이스 펠렛을 제거하여 장치 내부에 잔류물이 끼어 발생하게 되는 오작동을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
드라이아이스 펠렛, 세척, 공급, 분출, 노즐

112. 发明公开

KR1020060032908A 와이퍼를 이용한 오염도 측정 방법 失效
标题翻译：使用刮水器测量污染程度的方法
公开(公告)号：KR1020060032908A
公开(公告)日：2006-04-18
申请号：KR1020040081916
申请日：2004-10-13
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 전환섭
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67253 , B08B7/00 , H01L21/67276
摘要： 본 발명은 와이퍼를 이용한 오염도 측정 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 와이퍼를 이용하여 측정할 시료를 채집하여 분석 장비로 농도를 측정함으로써 클린룸 내의 오염도를 신속하고 정확하게 저비용으로 측정할 수 있는 와이퍼를 이용한 오염도 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 금속 오염물은 이소프로필 알콜과 초순수의 혼합액으로 채집한 후 산성용액으로 금속 오염물을 추출하며, 음이온은 초순수로 채집한 후 초순수로 추출하여 분석장비로 농도를 측정하는 것을 특징으로 하는 와이퍼를 이용한 오염도 측정 방법에 의해 달성된다.
따라서 본 발명의 와이퍼를 이용한 오염도 측정 방법은 고가의 온라인 분석장비 없이도 클린룸 내의 금속 및 음이온 오염도를 신속하고 정확하게 저비용으로 측정할 수 있는 효과가 있다.
와이퍼, 금속, 음이온, 오염도, ICP-AES, IC

113. 发明授权

KR100558550B1 플라즈마 이온 주입 장치의 포스포러스 세정방법 失效
标题翻译：清除血浆植入物磷的方法
公开(公告)号：KR100558550B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020030091718
申请日：2003-12-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영진 , 김진국 , 신원식 , 안병호 , 이재철 , 황기현
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C14/564 , B08B7/00 , B08B7/0035 , H01J37/32412 , H01J37/32862
摘要： 본 발명은 플라즈마 이온 주입 장치의 포스포러스 세정방법에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 플라즈마 이온 주입 장치의 포스포러스 세정방법에 있어서, 플라즈마 이온 주입 공정이 완료되어 웨이퍼를 반응 챔버의 내부로부터 인출시키면 반응 챔버의 내부로 NF
3 가스를 주입하여 순수한 NF
3 가스 또는 NF
3 플라즈마가 반응 챔버 내부의 포스포러스 폴리머와 반응하면서 기상화시켜 원활하게 배출되도록 하는 포스포러스가 인-시튜 세정에 의해 제거될 수 있도록 함으로써 포스포러스의 제거 효율이 대폭적으로 향상되도록 하는 동시에 PN 공정과 동일한 공정 조건에서 인-시튜 세정을 하게 되므로 작업의 대폭적인 편의를 제공하게 되는 동시에 재차 PN 공정을 수행하는데 따른 시간의 단절을 최소화하여 PN 공정의 효율을 극대화시키도록 한다.
ＮＦ3, 인-시튜 세정, 하부전극, 포스포러스

114. 发明授权

KR100491140B1 대기압 플라즈마를 이용한 표면 세정방법 및 장치 失效
标题翻译：从大气压等离子体表面除去污染物的方法和装置
公开(公告)号：KR100491140B1
公开(公告)日：2005-05-27
申请号：KR1020010034017
申请日：2001-06-15
申请人： 주식회사 셈테크놀러지 , 이학주
发明人： 이학주
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , B08B7/00 , H01L21/02046 , H05H1/2406 , H05H2001/2456 , H05H2245/1225
摘要： 본 발명은 여러가지 재료의 표면세정을 위하여 대기압 플라즈마를 이용하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 본 발명에서는 무성방전 방식으로 발생된 플라즈마를 빠른 기류의 흐름을 이용하여 방전공간 밖으로 이끌어내어 이용한다. 즉, 플라즈마 발생공간인 양전극 사이공간의 한쪽을 방전에 이용하는 기체의 유입구로 하고 다른 쪽을 배출구로 하여 방향성의 기류 흐름을 부여하면 방전공간내의 플라즈마가 배출구 쪽으로 분출되며 이와 같이 분출된 플라즈마를 이용하여 배출구 쪽에 위치한 시료 표면의 세정을 수행할 수 있다. 본 발명에 의한 대기압 플라즈마 발생장치에 대해 상대적으로 시료를 이동시키게 되면 시료의 표면을 연속적으로 세정하는 효과를 얻을 수 있으며 이와 같은 방법으로 대기압하에서 움직이는 시료에 대해 또는 움직이는 대기압 플라즈마 발생장치에 의해 연속적인 세정공정이 가능하다.

115. 发明公开

KR1020050044614A 프라이머를 사용하지 않고 창문을 기판에 결합시키는 방법 无效
标题翻译：将窗口连接到没有一个PRIMER的基板的方法
公开(公告)号：KR1020050044614A
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：KR1020047008189
申请日：2002-11-26
申请人： 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 사무르카스,안돈 , 우,지얀 , 토빈,숀,씨. , 헤버러,다니엘,피.
IPC分类号： C03C27/04 , E06B3/56 , C09J5/00
CPC分类号： C09J5/02 , B08B7/00 , C03C27/048 , C08L75/04 , C09J2400/143 , C09J2475/00
摘要： The invention is a process for bonding glass to a substrate without the need to prime the surface of the substrate. The process comprises, first, treating the surface of the substrate with air plasma, applying to the surface of the substrate or to the surface of the glass an adhesive capable of bonding to the treated substrate and glass, and contacting the glass and the substrate with the adhesive disposed between the substrate and the glass, and allowing the adhesive to cure. Preferably the substrate is coated with a coating. Preferred adhesives are polyurethane or silane functional elastomeric adhesives. The process of the invention allows bonding of glass to a substrate without the need to use a primer on the substrate prior to application of the adhesive. The process is especially effective in facilitating the bonding of glass to coated substrates, especially substrates coated with acid resistant coatings such as PPG's carbamate coating or DuPont's Gen III, IV and IV coatings.
摘要翻译：本发明是将玻璃粘合到基底而不需要填充基底的表面的方法。该方法包括：首先用空气等离子体处理衬底的表面，向衬底的表面或玻璃表面施加能够与经处理的衬底和玻璃结合的粘合剂，并将玻璃和衬底与粘合剂设置在基板和玻璃之间，并允许粘合剂固化。优选地，用涂层涂覆基材。优选的粘合剂是聚氨酯或硅烷官能的弹性体粘合剂。本发明的方法允许将玻璃粘合到基材上，而不需要在施加粘合剂之前在基材上使用底漆。该方法在促进玻璃与涂覆的基材，特别是涂覆有耐酸涂层如PPG的氨基甲酸酯涂层或DuPont的III，IV和IV涂层的基材之间特别有效。

116. 发明授权

KR100467082B1 반도체소자 제조장치 및 그 클리닝방법 失效
标题翻译： 반도체소자제조장치및그클리닝방법
公开(公告)号：KR100467082B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020000010304
申请日：2000-03-02
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 신용우 , 황철주
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/00 , C23C16/4405 , H01J37/32082 , Y10S134/902 , Y10S438/905
摘要： An apparatus for fabricating a semiconductor device includes: a reactive chamber having an inlet and an outlet for a gas and being electrically grounded; a susceptor installed in the reactive chamber for mounting a wafer thereon and being electrically insulated with the reactive chamber; and an RF generator for applying an RF electric power to the susceptor. A method for cleaning the apparatus for fabricating a semiconductor device includes the steps of: injecting a plasma forming gas through the gas inlet; and moving the susceptor in the vertical direction of the face of the wafer while applying the RF electric power to the susceptor, to control the position and the density of the plasma. Since the plasma is formed even at the shadow area, such as the lower space of the susceptor within the reactive chamber where plasma could be hardly formed, there is no need to clean separately the lower space of the reactive chamber. Thus, the cleaning process is simplified. In addition, since the density of the plasma can be easily controlled without increase or decrease of the RF electric power by transferring the susceptor 140 vertically, the inside of the reactive chamber 110 can be uniformly and effectively cleaned with the plasma.
摘要翻译：一种用于制造半导体器件的设备包括：反应室，其具有用于气体的入口和出口并被电接地; 安装在反应室中用于在其上安装晶片并与反应室电绝缘的基座; 以及用于将RF电力施加到基座的RF发生器。一种用于清洁用于制造半导体器件的设备的方法包括以下步骤：通过气体入口注入等离子体形成气体; 以及在将RF电力施加到基座的同时在基板的垂直方向上移动基座以控制等离子体的位置和密度。由于等离子体甚至在阴影区域形成，例如在难以形成等离子体的反应室内的基座的下部空间，所以不需要单独清洁反应室的下部空间。因此，清洁过程被简化。另外，由于通过竖直地移动基座140而不增加或减少RF电力，可以容易地控制等离子体的密度，所以可以利用等离子体均匀且有效地清洁反应室110的内部。

117. 发明授权

KR100467016B1 반도체기판의 세정방법 失效
标题翻译： 반도체기판의세정방법
公开(公告)号：KR100467016B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020020030416
申请日：2002-05-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한동균 , 고형호 , 김영준 , 박기종
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02065 , B08B7/00
摘要： A cleaning method for a semiconductor substrate including placing the semiconductor substrate into a cleaning chamber and injecting ozone gas (O 3 ) into the cleaning chamber. This process operates to cleanse the semiconductor substrate without corrosion or etching of the semiconductor substrate; even when the substrate has metal layer made of tungsten.
摘要翻译：一种用于半导体衬底的清洁方法，包括将半导体衬底放置到清洁室中并将臭氧气体（O SUB3 / SUB）注入到清洁室中。该过程用于清洁半导体衬底而不腐蚀或蚀刻半导体衬底; 即使当衬底具有由钨制成的金属层时也是如此。

118. 发明授权

KR100446318B1 챔버 세정기를 구비한 증착장치 및 그를 이용한 챔버 세정방법 失效
标题翻译： 챔버세정기를구비한증착장치및그를이용한챔버세정방챔버
公开(公告)号：KR100446318B1
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：KR1020010075117
申请日：2001-11-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 정우석
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B7/0035 , B08B7/0071 , C23C16/4407
摘要： A method for cleaning a tube-shaped chamber after performing at least one deposition process includes equipping a tube-shaped cleaner into a loading chamber, loading the tube-shaped cleaner into the tube-shaped chamber and injecting a cleaning gas, and cleaning the tube-shaped chamber using the tube-shaped cleaner.
摘要翻译：在进行至少一个沉积工艺之后清洁管状腔室的方法包括将管状清洁器装备到装载腔室中，将管状清洁器装载到管状腔室中并注入清洁气体，并清洁管子使用管状清洁器形状的腔室。

119. 发明授权

KR100442869B1 반도체 기판 세정공정용 반도체 제조장치 및 그를 이용한반도체 기판 세정공정 失效
标题翻译： 반반체판판및를를를
公开(公告)号：KR100442869B1
公开(公告)日：2004-08-02
申请号：KR1020020006045
申请日：2002-02-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한동균 , 이근택 , 한용필 , 고형호
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31138 , B08B7/00 , H01L21/67028 , H01L21/67763
摘要： An apparatus for cleaning a semiconductor wafer includes a cleaning reaction chamber wherein the cleaning process is performed in a closed state, a wafer conveyor having wafer supporters for loading semiconductor onto a loading unit within the reaction chamber, at least one cleaning gas supply unit for supplying at least one cleaning solution in a vapor state into the reaction chamber, a water vaporizing unit for supplying vapor onto the semiconductor wafers, an ozone supply unit for supplying ozone gas into the reaction chamber, and a reaction gas exhaustion unit connected to the reaction chamber in order to exhaust the cleaning gas from the reaction chamber. The cleaning of the semiconductor wafers by adding cleaning gas and ozone gas into a reaction chamber easily removes any remaining photoresist that formed on the semiconductor wafers and any other contaminates from pre-processes.
摘要翻译：一种用于清洁半导体晶片的设备包括：清洁反应室，其中清洁过程在关闭状态下进行;晶片传送器，具有用于将半导体加载到反应室内的加载单元上的晶片支撑件;至少一个清洁气体供应单元，至少一种处于蒸气状态的清洁溶液进入反应室，用于将蒸气供应到半导体晶片上的水蒸发单元，用于将臭氧气体供应到反应室中的臭氧供应单元以及连接到反应室的反应气体排出单元以从反应室中排出清洁气体。通过将清洁气体和臭氧气体添加到反应室中来清洁半导体晶片容易地去除在半导体晶片上形成的任何剩余的光致抗蚀剂以及来自预处理的任何其他污染物。

120. 发明公开

KR1020040057470A 증착 챔버 세정 방법 및 인시튜 세정이 가능한 증착 장치 有权
标题翻译：用于清洁沉积室和沉积物的方法可用于实施现场清洁工艺
公开(公告)号：KR1020040057470A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020020084218
申请日：2002-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임은택 , 박영욱 , 박인성 , 최한메 , 김경석
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B7/0035 , H01J37/32862 , H01L21/3162 , Y10S438/905
摘要： PURPOSE: A method for cleaning a deposition chamber and a deposition apparatus capable of carrying out an in-situ cleaning process are provided to remove metal oxide in a short time by supplying the first and second gas into the deposition chamber using a plurality of cleaning gas lines. CONSTITUTION: The first and second gas are flowed into a deposition chamber(S10). The first and second gas react to the metal oxide of the deposition chamber for completely removing the metal oxide(S12). The first gas contains fluorine based gas. The fluorine based gas is one selected from a group consisting of HF, F2, or SF6 gas. The second gas contains H2O gas. Preferably, one selected from a group consisting of HNO3 and alcohol based gas is further flowed into the deposition chamber.
摘要翻译：目的：提供一种用于清洁沉积室的方法和能够进行原位清洁处理的沉积设备，以通过使用多个清洁气体将第一和第二气体供应到沉积室中以在短时间内去除金属氧化物线。构成：第一和第二气体流入沉积室（S10）。第一和第二气体与沉积室的金属氧化物反应，以完全除去金属氧化物（S12）。第一气体含氟基气体。氟系气体选自由HF，F2，SF6气体组成的组。第二气体含有H 2 O气体。优选地，选自由HNO 3和醇基气体组成的组中的一种进一步流入沉积室。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式