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101. 发明授权

KR101115784B1 금속과 수지의 복합체와 그 제조 방법 有权
标题翻译：金属/树脂复合材料及其制造方法
公开(公告)号：KR101115784B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020097012341
申请日：2007-12-28
申请人： 다이세이 플라스 가부시끼가이샤
发明人： 나리토미마사노리 , 안도나오키
IPC分类号： B29C45/14 , C23F1/00 , B29K105/22 , B29K23/00
CPC分类号： B29C45/14 , B29C45/14311 , B29C45/14336 , B29C2045/14868 , B29K2067/006 , B29K2077/10 , B29K2081/04 , B29K2705/00 , B29K2705/02 , B32B5/147 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B27/18 , B32B27/286 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B2262/0261 , B32B2262/0269 , B32B2262/101 , B32B2262/106 , B32B2270/00 , B32B2307/54 , B32B2307/542 , B32B2307/704 , B32B2307/714 , B32B2457/00 , B32B2509/00 , B32B2535/00 , B32B2605/00 , C23C22/05 , C23C22/18 , C23C22/57 , C23C22/83 , C23F1/22 , Y10T428/24405
摘要： 화학에칭등에의해적절한조면으로한 스테인레스강제부품을사용할수 있다. 사출성형금형(10)의가동측형판(2)과고정측형판(3)으로형성되는캐비티내에표면처리완료스테인레스강편(1)을인서트하고, 특정의수지를사출함으로써일체화품이얻어진다. 사용하는수지조성물(4)의주 수지분으로서 PBT, PPS, 또는방향족폴리아미드수지를사용할수 있다. 수지조성물이 PBT인경우에는 PET 및/또는폴리올레핀액수지, PPS인경우에는폴리올레핀계수지, 방향족폴리아미드수지인경우에는지방족폴리아미드수지를종성분으로서포함하는조성물이면높은사출접합력을생기게한다.
摘要翻译：本发明的目的是制造金属部件和树脂组合物部件的复合物，其被改进以可靠地接合和集成不锈钢和树脂。可以使用其表面通过化学蚀刻等适当粗糙化的不锈钢部件。通过将其表面处理的不锈钢片1插入由注射成型用金属模10的可动侧模板2和固定侧模板3形成的空腔中并注入特定的树脂来获得一体化产品。可以使用PBT，PPS或芳香族聚酰胺树脂作为所使用的树脂组合物4的主要树脂成分。如果树脂组合物在PBT的情况下包含作为辅助成分的PET和/或聚烯烃树脂，则在PPS的情况下含有聚烯烃树脂，在芳香族聚酰胺的情况下，可以获得高的注射接合强度树脂。

102. 发明授权

KR101094798B1 금속 포토 에칭 제품 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：金属蚀刻产品及其生产方法
公开(公告)号：KR101094798B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020057013154
申请日：2004-01-16
申请人： 도판 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 우에다류지 , 다나카사토시 , 코가오사무 , 다카기후사오 , 마츠자와히로시 , 오노다유스케 , 아카오신고
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： C23F1/02 , H01L23/49548 , H01L2924/0002 , H05K3/06 , H05K3/064 , H05K3/202 , H05K2203/0369 , H05K2203/1476 , Y10T428/12361 , Y10T428/12368 , Y10T428/24273 , H01L2924/00
摘要： 가공부가 금속층의 표층측에 1차 에칭에 의한 측벽을 가지고, 1차 에칭에 의한 측벽에 막두께 방향으로 이어지는, 전착 레지스트를 이용한 1회이상의 에칭에 의해 형성되는, 적어도 1개의 측벽을 가지는, 1차 에칭에 의한 오목부와는 다른 형상의, 2차 이후의 에칭에 의한 오목부를 가지는 형상의 금속 패턴을 가지는, 가공부를 가지는 금속 포토 에칭 제품
가공부, 대오목부, 소오목부, 포토레지스트, 전착 레지스트

103. 发明授权

KR101079146B1 시편 현출용 부식 장치 및 방법 有权
标题翻译：蚀刻曝光样品的设备和方法
公开(公告)号：KR101079146B1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：KR1020080137321
申请日：2008-12-30
申请人： 주식회사 포스코
发明人： 정연대 , 이경
IPC分类号： C23F1/00
摘要： 이와같이본 발명은자동제어부를통해부식준비단계와부식단계및 시약폐기단계를자동화하여시편현출을위한부식공정시간을단축시킬수 있고, 작업자를줄일수 있으며, 유독성물질에의한작업자의유해성문제를해결할수 있고, 균일한속도와간격으로시편상측을브러싱하여부식분량을예방하고, 시편표면의균일한부식을촉진하여조직현출의선명도를향상시킬수 있다.

104. 发明授权

KR101033025B1 치열 교정용 와이어 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造用于校正一组齿的线的方法
公开(公告)号：KR101033025B1
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020080116419
申请日：2008-11-21
申请人： 대니비엠티 주식회사
发明人： 김인재
IPC分类号： B21C37/04 , C23C26/00 , C23F1/00
CPC分类号： A61C7/20
摘要： 본 발명은 치열 교정용 와이어 제조 방법에 관한 것으로, 특히 인체에 해롭지 않고 치아 색깔을 계속해서 유지할 수 있는 치열 교정용 와이어 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명인 치열 교정용 와이어 제조 방법을 이루는 구성수단은, 치열 교정용 와이어 제조 방법에 있어서, 금속합금 소재로 금속 와이어를 제조하는 단계, 상기 금속 와이어의 표면을 물리적 에칭 또는 화학적 에칭한 후, 열처리 공정을 수행하는 단계, 상기 금속 와이어 표면이 백색 또는 아이보리색을 띌 수 있도록 금속 물질 또는 테프론 또는 에폭시 또는 우레탄을 코팅한 후, 열처리 공정을 수행하는 단계, 상기 금속 물질 또는 테프론 또는 에폭시 또는 우레탄 상에 투명한 패럴린막을 형성한 후, 열처리를 수행하는 단계, 상기 금속 와이어 표면에 코팅된 층의 일측면을 제거한 후, 코팅된 층이 제거된 일측면을 표면처리하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
치아, 교정, 와이어

105. 发明公开

KR1020100067148A 맨홀뚜껑에 음양각 문양을 형성하는 방법 失效
标题翻译：一种用于人造屋的救济形成方法的INTAGLIO-ENGRAVING
公开(公告)号：KR1020100067148A
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：KR1020080125582
申请日：2008-12-11
申请人： 이민호 , 공병철
发明人： 이민호 , 공병철
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： C23F1/02 , B44C1/22 , E02D29/14
摘要： PURPOSE: A method for forming intaglio and relief patterns in a manhole cover is provided to reduce the manufacturing cost of a patterned manhole cover by forming the pattern without a separate casting mold. CONSTITUTION: A method for forming intaglio and relief patterns in a manhole cover comprises the steps of: printing intaglio and relief patterns(12a,12b) for a manhole cover(10) on a pattern film, cutting the intaglio pattern part of the pattern film and attaching it to the top of the manhole cover, pouring etchant onto the top of the manhole cover, and removing the attached pattern film after the intaglio part is etched to the desired depth.
摘要翻译：目的：提供一种在人孔盖中形成凹版和浮雕图案的方法，以通过在没有单独的铸模的情况下形成图案来降低图案化的人孔盖的制造成本。构成：用于在人孔盖中形成凹版和浮雕图案的方法包括以下步骤：在图案膜上印刷用于人孔盖（10）的凹版和浮雕图案（12a，12b），切割图案膜的凹版图案部分并将其附接到人孔盖的顶部，将蚀刻剂倾倒在人孔盖的顶部上，并且在凹版部分被蚀刻到所需深度之后去除附着的图案膜。

106. 发明授权

KR100947483B1 광학 렌즈의 형성 공정 失效
标题翻译：制作光学镜片的过程
公开(公告)号：KR100947483B1
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020077026805
申请日：2006-05-16
申请人： 파나소닉 전공 주식회사
发明人： 혼다,요시아키 , 니시카와,다카유키
IPC分类号： G02B3/00 , C23F1/00 , C25F3/00 , B29D11/00
CPC分类号： B29D11/00019 , B29D11/00298 , G02B3/0006 , G02B3/0031 , G02B3/0056 , G02B3/02
摘要： 반도체 기판이 광학 렌즈로 형태 지어지도록 양극산화된다. 양극산화 전에, 상기 기판에 재생산되는 하나의 구조로 통합되도록 애노드 패턴이 그 바닥 표면에 있는 상기 기판이 제공된다. 상기 양극산화는, 상기 애노드 패턴에 부합하는 패턴의 다공성층을 성장시키는 상기 양극산화의 결과로써 산화된 영역이 형성되자마자 식각하도록 전해용액을 이용한다. 상기 애노드 패턴은 원하는 렌즈 프로파일에 상보적인 모양으로 상기 다공성층을 성장시키는 다양한 전기장 세기의 인-플래인 분포를 가져온다. 상기 양극산화가 완결되면, 상기 기판으로부터 상기 애노드 패턴 및 상기 다공성층을 식각하여 상기 반도체 기판은 렌즈 형상으로 만들어진다.
양극산화, 렌즈, 오목렌즈, 볼록렌즈, 전해용액

107. 发明公开

KR1020090086638A 중간-챔버 가스 분배판, 조정식 플라즈마 제어 그리드 및 전극 无效
标题翻译：中空气体分布板，调谐等离子体控制网和电极
公开(公告)号：KR1020090086638A
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：KR1020097014104
申请日：2007-12-05
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 패터슨,알렉산더,엠. , 홀란드,존,피. , 파나고푸로스,테오도로스 , 해먼드,에드워드,피.,4세 , 해쳐,브라이언,케이. , 토도로,발렌틴,엔. , 카츠,댄
IPC分类号： H05H1/34 , C23C16/509 , C23F1/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32422 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32449
摘要： A plasma reactor is provided for processing a workpiece such as a semiconductor wafer or a dielectric mask. The reactor chamber has a ceiling, a side wall and a workpiece support pedestal inside the chamber and facing the ceiling along an axis of symmetry and defining a chamber volume between the pedestal and the ceiling. An RF plasma source power applicator is provided at the ceiling. An in-situ electrode body inside the chamber lies divides the chamber into upper and lower chamber regions. The in-situ electrode comprises plural flow-through passages extending parallel to the axis and having different opening sizes, the passages being radially distributed by opening size in accordance with a desired radial distribution of gas flow resistance through the in-situ electrode body. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：提供等离子体反应器来处理诸如半导体晶片或电介质掩模的工件。反应器室具有在室内的天花板，侧壁和工件支撑基座，并且沿着对称轴面对天花板，并且限定基座和天花板之间的室容积。在天花板处设置RF等离子体源功率施加器。室内的原位电极体将腔室分成上腔室和下腔室区域。原位电极包括平行于轴线延伸并具有不同开口尺寸的多个流通通道，根据通过原位电极体的气流阻力的期望径向分布，通道径向分布为开口尺寸。 ®KIPO＆WIPO 2009

108. 发明公开

KR1020080109888A 기판 상의 잔류물을 제거하기 위한 에칭후 처리 시스템 失效
标题翻译：用于去除衬底上残留物的后处理系统
公开(公告)号：KR1020080109888A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020087026344
申请日：2007-02-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 츠카모토유지 , 구도야스히스 , 하멜린토마스
IPC分类号： H01L21/3105 , C23F1/00
CPC分类号： H01L21/6875
摘要： A post-etch treatment system is described for removing photoresist and etch residue formed during an etching process. For example, the etch residue ca include halogen containing material. The post-etch treatment system comprises a vacuum chamber, a radical generation system coupled to the vacuum chamber, a radical gas distribution system coupled to the radical generation system and configured to distribute reactive radicals above a substrate, and a high temperature pedestal coupled to the vacuum chamber and configured to support the substrate. The high temperature pedestal comprises a scored upper surface configured to minimize substrate slippage. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：描述了蚀刻后处理系统，用于去除蚀刻过程中形成的光致抗蚀剂和蚀刻残留物。例如，蚀刻残渣ca包括含卤素材料。蚀刻后处理系统包括真空室，耦合到真空室的自由基产生系统，耦合到自由基产生系统并被配置为在基板上分布反应性基团的自由基气体分配系统，以及耦合到基板的高温基座真空室并构造成支撑基板。高温基座包括被配置为最小化衬底滑动的刻痕上表面。 ®KIPO＆WIPO 2009

109. 发明公开

KR1020080102432A 경질 피막의 탈막 방법 有权
标题翻译：去除硬涂层膜的方法
公开(公告)号：KR1020080102432A
公开(公告)日：2008-11-25
申请号：KR1020087025133
申请日：2006-04-10
申请人： 오에스지 가부시키가이샤
发明人： 한유히로유키 , 후쿠이야스오
IPC分类号： C23F1/00 , C23F4/00
CPC分类号： B23K15/08 , B23K17/00 , C23F4/04 , G21K5/04 , H01J37/3056 , H01L21/302
摘要： A hard coating film (30) is efficiently etched with a beam of krypton ions, which have a relatively large mass, in a step (S2) and then slowly etched with a beam of argon ions, which have a small mass, in a step (S3) as shown in Fig. 3. Thus, film removal can be carried out in a short time while minimizing influences (shape change and dimensional change) on the tool base (20). Since krypton and argon each is an inert gas, chemical corrosion of the tool base (20) and resultant surface embrittlement are nil even when the surface of the tool base (20) is exposed. When this tool base (20) is recoated with a hard coating film (30) to produce a regenerated hard-film-coated processing tool (12), the hard coating film (30) is adherent thereto at an excellent adhesion strength.
摘要翻译：在步骤（S2）中，用具有较大质量的氪离子束有效地蚀刻硬涂膜（30），然后在步骤（2a）中用具有小质量的氩离子束缓慢蚀刻（S3），如图3所示。因此，可以在短时间内进行膜去除，同时最小化工具基座（20）上的影响（形状变化和尺寸变化）。由于氪气和氩气都是惰性气体，所以即使在工具基座（20）的表面露出的情况下，工具基座（20）的化学腐蚀也会导致表面脆化。当用硬质涂膜（30）重新涂覆该工具架（20）以制造再生硬膜涂布加工工具（12）时，硬涂层（30）以优异的粘合强度附着在其上。

110. 发明授权

KR100865815B1 적층막의 복합 웨트에칭 방법 失效
标题翻译：用于堆叠膜的组合擦拭方法
公开(公告)号：KR100865815B1
公开(公告)日：2008-10-28
申请号：KR1020060042282
申请日：2006-05-11
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 우에스기타다노리 , 키무라시게루
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： H01L21/6708 , C23F1/02 , C23F1/08 , H01L21/32134 , H01L21/67028 , H05K3/068 , H05K2201/0317 , H05K2201/0338 , H05K2203/1476 , Y10S438/978
摘要： 적층막 각각에 대한 사이드 에칭의 양을 조절하면서 에칭 처리를 일괄적으로 수행할 수 있으며 균일한 사이드 에지를 만들 수 있는 적층막의 복합 웨트에칭 방법. 상기 웨트에칭 방법에 있어서, 기판 상에 순차적으로 성막되며 각각 상이한 막 특성을 갖는 제 1 및 제 2의 막을 포함하는 적층막에 대해 둘 이상의 종류의 에칭 방법이 복합적으로 수행된다. 둘 이상의 종류의 웨트에칭 방법은, 제 1의 웨트에칭 단계의 사이드 에칭을 상기 제 2의 웨트에칭 단계의 사이드 에칭보다도 촉진시키는 제 1의 에칭 단계와, 상기 제 2의 에칭 단계의 사이드 에칭을 상기 제 1의 에칭 단계의 사이드 에칭보다도 촉진시키는 제 2의 에칭 방법을 포함한다.
웨트에칭, 박막 패터닝

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