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91. 发明公开

KR1020080050129A 포토 다이오드 및 이를 채용한 이미지센서 有权
标题翻译：照片二极管和图像传感器使用它
公开(公告)号：KR1020080050129A
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：KR1020060120975
申请日：2006-12-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기범 , 김택
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/032 , H01L27/14609 , H01L31/103 , H01L31/105
摘要： A photodiode and an image sensor using the same are provided to improve photosensitivity and to reduce the thickness of a light receiving section by using a high light absorption coefficient of a semiconductor silicide. An image sensor(100) is comprised of a substrate(110), a wiring layer(130) prepared on the substrate, a photodiode(150) prepared on the wiring layer, and a transparent electrode(180) covering the photodiode. The wiring layer connects the photodiode to the substrate, electrically. The wiring layer includes at least one insulating layer and a via hole(135). The photodiode is a pin structure in which an i layer is interposed between an n layer and a p layer. The n layer and the p layer are formed by adding an n-type impurity or a p-type impurity into a semiconductor silicide. Therefore, the photodiode is a structure of which a p-type semiconductor and an n-type semiconductor are used instead of the semiconductor silicide, so that photosensitivity is improved.
摘要翻译：提供光电二极管和使用该光电二极管的图像传感器，以通过使用半导体硅化物的高光吸收系数来提高光敏性和减小光接收部分的厚度。图像传感器（100）由衬底（110），在衬底上制备的布线层（130），在布线层上制备的光电二极管（150）和覆盖光电二极管的透明电极（180）构成。布线层电连接光电二极管到基板。布线层包括至少一个绝缘层和通孔（135）。光电二极管是其中i层插入在n层和p层之间的引脚结构。通过在半导体硅化物中添加n型杂质或p型杂质来形成n层和p层。因此，光电二极管是使用p型半导体和n型半导体代替半导体硅化物的结构，从而提高光敏性。

92. 发明授权

KR100802295B1 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 有权
标题翻译： CMOS图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100802295B1
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：KR1020060119770
申请日：2006-11-30
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 우혁
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/14601 , H01L31/103
摘要： A CMOS image sensor and a method for manufacturing the same are provided to prevent a contact defect by not requiring a plug connected to a red photodiode in a contact region. A red photodiode(120) is formed on an initial epitaxial layer(110). A separate layer(130) is formed on one side of an upper part of the red photodiode except for a contact region. A green photodiode(150) is formed on a surface of the separate layer. A contact is formed on the contact region in order to be connected to the red photodiode. A first epitaxial layer(160) is formed on the initial epitaxial layer including the green photodiode. A plurality of plugs(170) are formed within the first epitaxial layer in order to be connected to the green photodiode and the contact. An isolation layer(180) is formed on the first epitaxial layer between the plugs. A blue photodiode(200) is formed on the surface of the first epitaxial layer between the isolation layers. A well(190) is formed on a surface of the first epitaxial layer of upper sides of the plugs.
摘要翻译：提供CMOS图像传感器及其制造方法，以通过不需要在接触区域中连接到红色光电二极管的插头来防止接触缺陷。在初始外延层（110）上形成红色光电二极管（120）。除了接触区域之外，在红色光电二极管的上部的一侧上形成单独的层（130）。绿色光电二极管（150）形成在分离层的表面上。在接触区域上形成接触以连接到红色光电二极管。在包括绿色光电二极管的初始外延层上形成第一外延层（160）。多个插头（170）形成在第一外延层内，以连接到绿色光电二极管和触点。在插头之间的第一外延层上形成隔离层（180）。在隔离层之间的第一外延层的表面上形成蓝色光电二极管（200）。在插头的上侧的第一外延层的表面上形成有阱（190）。

93. 发明授权

KR100792342B1 이미지 센서 제조방법 失效
标题翻译：图像传感器制作方法
公开(公告)号：KR100792342B1
公开(公告)日：2008-01-07
申请号：KR1020060080134
申请日：2006-08-23
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 한재원
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/103 , H01L27/14609 , H01L31/18
摘要： A method for manufacturing an image sensor is provided to enhance sensitivity by transmitting efficiently incident light to a photodiode region. An isolation layer region, a transistor region, and a photodiode region are defined on a semiconductor substrate(200). An isolation layer(210) is formed on the isolation layer region by etching the semiconductor substrate. A plurality of holes are formed at the photodiode region. A first conductive type ion implantation region(221) is formed by implanting first conductive type ions into the photodiode region. A second conductive type ion implantation region(223) is formed by implanting second conductive type ions into the first conductive type ion implantation region.
摘要翻译：提供一种用于制造图像传感器的方法，以通过有效地将入射光传输到光电二极管区域来提高灵敏度。隔离层区域，晶体管区域和光电二极管区域被限定在半导体衬底（200）上。通过蚀刻半导体衬底，在隔离层区域上形成隔离层（210）。在光电二极管区域形成多个孔。通过将第一导电型离子注入到光电二极管区域中来形成第一导电型离子注入区域（221）。通过将第二导电型离子注入到第一导电型离子注入区域中形成第二导电型离子注入区（223）。

94. 发明授权

KR100643034B1 수광소자, 회로 내장형 수광장치 및 광디스크 장치 失效
标题翻译：光接收元件和光接收装置并入电路和光盘驱动器
公开(公告)号：KR100643034B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020047009713
申请日：2002-12-10
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 하야시다시게키 , 모리오카타추야 , 타니요시히코 , 오쿠보이사무 , 와다히데오
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/103 , H01L31/02161
摘要： 실리콘 기판(100)상에, 제1 P형 확산층(101)과 P형 반도체층(102)을 구비하고, 상기 P형 반도체층(102)의 표면 부분에, 2개의 수광부로서의 N형 확산층(103,103)과, 상기 2개의 수광부 사이에, 제2 P형 확산층(104)을 제공한다. P형 반도체층(102)상에, 열산화법으로 형성한 제1 실리콘 산화막(107)과, CVD로 형성한 제2 실리콘 산화막(108)으로 이루어지는 반사방지막구조(106)를 제공한다. 제1 실리콘 산화막(107)의 막두께를 15nm 정도로 하고, 상기 제1 실리콘 산화막(107)과 P형 반도체층(102) 사이의 결함을 방지하는 동시에, 제2 실리콘 산화막(108)의 막두께를 100nm 정도로 하고, 전원전압을 계속하여 장시간 인가한 때의 캐소드-캐소드간의 누설전류를 방지한다.

95. 发明授权

KR100642180B1 수광소자, 회로 내장형 수광장치 및 광디스크장치 失效
标题翻译：光接收元件，电路内置类型的光接收装置和光盘单元
公开(公告)号：KR100642180B1
公开(公告)日：2006-11-06
申请号：KR1020047008489
申请日：2002-11-29
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 모리오카타추야 , 하야시다시게키 , 타니요시히코 , 오쿠보이사무 , 와다히데오
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/02161 , H01L31/103 , H01L31/1035
摘要： 실리콘 기판(100)상에 제1 P형 확산층(101) 및 P형 반도체층(102)이 제공되고, 상기 P형 반도체층(102)의 앞면상에 2개의 N형 확산층들(103,103)이 제공되어 2개의 수광장치를 형성한다. N형 확산층들(103,103) 및 N형 확산층들(103,103) 사이의 P형 반도체층(102)상에는 3층의 광투과성막들, 제1 실리콘 산화막막(105), 실리콘 질화막막(106) 및 제2 실리콘 산화막막(107)이 적층된다. 제조 공정 동안에 생성되고 분배되어 상기 3층의 광투과성막들 사이의 두 계면에 포획된 홀들은, P형 반도체층(102)의 표면 근처에서의 전계 세기를 종래의 레벨 이하로 감소시킬 수 있고, 따라서, 도전 타입의 반전은 수광유닛 사이의 누설전류를 감소시킨다.

96. 发明公开

KR1020060031855A 광검출 소자 및 광검출 소자의 제어 방법 有权
标题翻译：光检测元件和光检测元件的控制方法
公开(公告)号：KR1020060031855A
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：KR1020067000522
申请日：2005-03-17
申请人： 파나소닉 전공 주식회사
发明人： 하시모토유스케 , 다카다유지 , 구리하라후미카즈 , 쓰네사다후미
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L31/103 , G01S7/4914 , G01S17/36 , H01L27/14609 , H04N5/335
摘要： A light detecting element 1. The element 1 includes an element formation layer 22 which contains a well region 31. A surface electrode 25 is formed on the layer 22 through an insulating layer 24. The region 31 contains an electron holding region 32. The region 32 contains a hole holding region 33. The layer 24 contains a control electrode 26 facing the region 33 through the layer 24. Electrons and holes are generated at the layer 22. There are two selected states. In one state, by controlling each electric potential applied to the electrodes 25, 26, electrons are gathered at the region 32, while holes are held at the region 33. In another state, recombination is stimulated between the electrons and the holes. After the recombination, the remaining electrons are picked out as received light output.
摘要翻译：光检测元件1.元件1包括含有阱区31的元件形成层22.表面电极25通过绝缘层24形成在层22上。区31包含电子保持区32。 32包含孔保持区域33.层24包含通过层24面向区域33的控制电极26.在层22处产生电子和空穴。存在两种选择的状态。在一个状态下，通过控制施加到电极25,26的每个电位，电子在区域32处聚集，而空穴被保持在区域33处。在另一个状态下，在电子和空穴之间激发复合。复合后，剩余的电子被选出作为接收光输出。

97. 发明授权

KR100560309B1 씨모스 이미지 센서 및 그 광 칼라 감도 감지 방법 失效
标题翻译： CMOS图像传感器及其检测方法
公开(公告)号：KR100560309B1
公开(公告)日：2006-03-14
申请号：KR1020030101663
申请日：2003-12-31
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 민위식
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14601 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L31/103
摘要： 본 발명은 씨모스 이미지 센서 및 그 광 칼라 감도 감지 방법을 개시한다. 이에 의하면, 반도체 기판의 액티브 영역에 포토 다이오드를 형성하고, 상기 포토 다이오드 상에 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 평탄화층을 형성하고, 상기 평탄화층 상에 칼라필터의 개재 없이 마이크로 렌즈를 형성한다. 또한, 상기 반도체 기판의 액티브 영역에 광 전하 전송부와 광 칼라 감도 연산부 및 보간회로부를 형성한다.
따라서, 본 발명은 칼라필터를 사용하지 않으면서도 상기 포토 다이오드에 조사된 광에 대한 적, 녹, 청색의 광 칼라 감도를 감지할 수 있으므로 적, 녹, 청색의 칼라필터를 제조하기 위한 제조 공정을 생략하고 나아가 씨모스 이미지 센서의 제조 공정을 단순화시킬 수가 있다. 또한, 상기 적, 녹, 청색의 칼라필터를 사용하지 않으므로 적, 녹, 청색 광의 투과도를 균일하게 유지할 수 있다.
씨모스 이미지 센서, 광 칼라 감도 연산부, 공핍 영역 폭, 백 바이어스 전압

98. 发明授权

KR100555526B1 포토 다이오드 및 그 제조방법 失效
标题翻译：光电二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100555526B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020030079903
申请日：2003-11-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배성렬 , 남동균
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/103 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 직렬 저항이 감소된 포토 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 포토 다이오드 제조방법에서는 기판에 제1 도전형 매몰층, 제1 도전형 제1 에피택셜층 및 제2 도전형 제2 에피택셜층을 순차 형성한 다음, 매몰층을 노출시키는 트렌치를 형성한다. 트렌치 안에 제1 도전형 도전성 플러그를 형성한 후, 도전성 플러그 상면에 접하는 제1 전극을 형성하고, 제2 에피택셜층 상면에 제2 전극을 형성한다. 도전성 플러그는 저항이 충분히 낮은 도전층을 매립하여 형성할 수 있으므로 도전성 플러그와 매몰층의 직렬 저항을 감소시킬 수 있다. 따라서, 포토 다이오드의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.

99. 发明公开

KR1020050113302A 포토 다이오드 및 그 제조방법 失效
标题翻译：照相二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050113302A
公开(公告)日：2005-12-02
申请号：KR1020040037330
申请日：2004-05-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 맹계원 , 배성렬
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/103 , H01L31/18
摘要： 광 효율을 개선한 포토 다이오드 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 포토 다이오드는, 반도체 기판 상에 순차 형성된 제1 도전형 매립층, 제1 도전형 에피택셜층 및 제2 도전형 에피택셜층을 포함한다. 제2 도전형 에피택셜층 표면에서부터 내부로 고상 확산에 의해 고농도 제2 도전형 얕은 접합층이 형성되어 있다. 제2 도전형 얕은 접합층 상에는 실리콘 산화막 패턴과 그 상부에 적층된 실리콘 질화막 패턴을 포함한다.

100. 发明公开

KR1020050069521A 씨모스 이미지 센서 및 그 광 칼라 감도 감지 방법 失效
标题翻译： CMOS图像传感器和用于检测其光色敏感度的方法
公开(公告)号：KR1020050069521A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030101663
申请日：2003-12-31
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 민위식
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14601 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L31/103
摘要： 본 발명은 씨모스 이미지 센서 및 그 광 칼라 감도 감지 방법을 개시한다. 이에 의하면, 반도체 기판의 액티브 영역에 포토 다이오드를 형성하고, 상기 포토 다이오드 상에 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 평탄화층을 형성하고, 상기 평탄화층 상에 칼라필터의 개재 없이 마이크로 렌즈를 형성한다. 또한, 상기 반도체 기판의 액티브 영역에 광 전하 전송부와 광 칼라 감도 연산부 및 보간회로부를 형성한다.
따라서, 본 발명은 칼라필터를 사용하지 않으면서도 상기 포토 다이오드에 조사된 광에 대한 적, 녹, 청색의 광 칼라 감도를 감지할 수 있으므로 적, 녹, 청색의 칼라필터를 제조하기 위한 제조 공정을 생략하고 나아가 씨모스 이미지 센서의 제조 공정을 단순화시킬 수가 있다. 또한, 상기 적, 녹, 청색의 칼라필터를 사용하지 않으므로 적, 녹, 청색 광의 투과도를 균일하게 유지할 수 있다.

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