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    • 92. 发明公开
    • 반도체 소자의 패턴 형성 방법
    • 半导体装置的图案形成方法
    • KR1020170059246A
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    • 박상욱고흥국정노영
    • H01L21/027G03F1/36G03F7/20H01L21/66G03F1/76
    • H01L22/12G06F17/5081G06K9/00536G06K9/346G06K9/6267G06K2209/19G06T7/0004G06T2207/30148H01L21/0274
    • 본발명의기술적사상에의한반도체소자의패턴형성방법은, 샘플패턴데이터들을제1 기준에따라표준정상그룹및 표준취약그룹으로분류하는단계; 상기표준정상그룹에포함된샘플패턴데이터들각각에대하여이미지파라미터를연산하여정상그룹판별함수를산출하고, 상기표준취약그룹에포함된샘플패턴데이터들각각에대하여상기이미지파라미터를연산하여취약그룹판별함수를산출하는단계; 상기대상패턴데이터들에대하여상기이미지파라미터를연산하여, 상기정상그룹판별함수와상기대상패턴데이터사이의제1 근접도, 및상기취약그룹판별함수와상기대상패턴데이터사이의제2 근접도를기초로, 상기대상패턴데이터를정상그룹및 취약그룹으로분류하는단계;를포함할수 있다.
    • 图案根据本发明的技术特征形成半导体器件的方法,分类标准正常组和沿样本图案数据发送到第一参考标准脆弱群体; 通过计算标准正常组中包括的每个样本模式数据的图像参数,计算正常组鉴别函数,计算标准弱组中包括的每个样本模式数据的图像参数, 计算函数; 通过计算目标图案数据的图像参数,计算正常组确定函数和目标图案数据之间的第一接近度和基于弱组确定函数和目标图案数据之间的第二接近度的第二接近度, 并将目标模式数据分为正常组和弱组。