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1. 发明授权

KR100674835B1 다파장 반도체 레이저 제조방법 失效
标题翻译：生产多波长半导体激光器件的方法
公开(公告)号：KR100674835B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050016521
申请日：2005-02-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 송근만 , 이수열 , 김진철 , 김태준 , 김창주 , 한상헌
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/209 , H01S5/32316 , H01S5/32325 , H01S5/4087
摘要： 본 발명은 다파장 반도체 레이저 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 적어도 제1 영역과 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 제1 반도체 레이저를 위한 AlGaAs계 에피택셜층 및 Al
x Ga
y In
(1- xy) P(0≤x≤1, 0≤y≤1)로 이루어진 에칭스톱층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 기판의 제2 영역에서 상기 에칭스톱층과 AlGaAs계 에피택셜층을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 기판 상에 n형 GaAs 평탄화 버퍼층과 제2 반도체 레이저를 위한 AlGaInP 에피택셜층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 상기 AlGaAs계 에피택셜층 상부에 위치한 상기 AlGaInP계 에피택셜층을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 AlGaAs계 에피택셜층 상부에서 상기 n형 GaAs 평탄화 버퍼층과 상기 에칭스톱층을 순차적으로 제거하는 단계와, 상기 AlGaAs계 에피택셜층과 상기 AlGaInP계 에피택셜층이 분리하는 단계를 포함하는 다파장 반도체 레이저 제조방법을 제공한다.
다파장 반도체 레이저 소자(multi-wavelength semiconductor laser device), GaAs버퍼층(GaAs buffer layer), 에칭스톱층(etching stop layer)

2. 发明公开

KR1020060039704A 다파장 레이저 다이오드 및 그 제조방법 无效
标题翻译：多波长激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060039704A
公开(公告)日：2006-05-09
申请号：KR1020040088901
申请日：2004-11-03
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 남옥현 , 하경호 , 유한열
IPC分类号： H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/32316 , H01S5/32325 , H01S5/32341 , H01S5/4087
摘要： 다파장 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 플레이트 상에 적어도 3개의 레이저 다이오드가 접합되어 있고, 상기 레이저 다이오드는 각각의 발광점 중심부가 일직선 상에 정렬되도록 배열되는 다파장 레이저 다이오드가 제공된다.
또한 본 발명에 따르면, 제1 레이저 다이오드, 상기 제1 레이저 다이오드로부터 연장된 기판 상에 형성된 절연층 및 상기 절연층 상에 접합된 적어도 2개의 레이저 다이오드를 구비하고, 상기 제1 레이저 다이오드 및 적어도 2개의 레이저 다이오드는 각각의 발광점 중심부가 일직선 상에 정렬되도록 배치되는 다파장 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 제공된다.

3. 发明公开

KR1020010029894A 반도체 디바이스 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020010029894A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020000038522
申请日：2000-07-06
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 나즈다스티븐픈피터
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/32325 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01S5/3072 , H01S5/323 , H01S5/34326
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to, which reduces the density of absorption defects in the second semiconductor layer, thus improving the characteristics of the layer. CONSTITUTION: A semiconductor device has a blocking layer(17) disposed between the substrate(10) and the active layer(13). The blocking layer inhibits the propagation of anti-phase domain defects(APDs) into the active layer(13). This decreases the density of defects in the active layer(13), and improves the performance characteristics of the laser device. The blocking layer(17) is disposed either wholly within one of the layers of the laser device, or at the interface between two layers of the laser device. The bandgap of the blocking layer is preferably substantially equal to the bandgap of the layer in which it is disposed, or to the bandgap of a layer to which it is adjacent. This prevents the formation of a potential barrier, or a potential well in the laser structure, so that provision of the blocking layer(17) does not affect the transport of carriers through the device. In one embodiment the device is a laser device and is fabricated in the(Al,Ga,In)P system.
摘要翻译：目的：提供半导体器件，其降低第二半导体层中的吸收缺陷的密度，从而改善该层的特性。构成：半导体器件具有设置在衬底（10）和有源层（13）之间的阻挡层（17）。阻挡层抑制反相畴缺陷（APD）向有源层（13）的传播。这降低了有源层（13）中的缺陷密度，并提高了激光器件的性能特性。阻挡层（17）完全设置在激光装置的一个层内，或者设置在激光装置的两层之间的界面处。阻挡层的带隙优选地基本上等于其所配置的层的带隙或与其相邻的层的带隙。这防止在激光器结构中形成势垒或势阱，使得提供阻挡层（17）不影响载流子通过器件的传输。在一个实施例中，该装置是激光装置，并且在（Al，Ga，In）P系统中制造。

4. 发明公开

KR1020000011496A 반도체레이저장치 无效
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020000011496A
公开(公告)日：2000-02-25
申请号：KR1019990026984
申请日：1999-07-06
申请人： 로무 가부시키가이샤
发明人： 무라야마미노루
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/2004 , H01S5/32325
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser device is provided to prevent the narrowness of the upper end width of the ridge part due to the excessive side etching and also the degradation of the laser property due to the high output. CONSTITUTION: The semiconductor laser device(10) is composed of an 'n' type substrate(12) having GaAs, and a base electrode(14) is formed on the bottom of the substrate. The upper surface of the substrate is sequentially formed by; an 'n' type buffer layer(16) formed by GaAs; an 'n' type clad layer(18) formed by InGaA1P; an activation layer(20) formed by InGaP and InGaA1P; a 'p' type first upper clad layer(22) formed by InGaA1P; and a 'p' type etching stop layer(24) formed by InGaP. And an optical wave guide passage(20a) is formed to guide the laser light while generating the laser light from the part corresponding to a ridge part(30) among the activation layer(20), so that the degradation is prevented.
摘要翻译：目的：提供一种半导体激光装置，以防止由于过度的侧面蚀刻而导致的脊部的上端宽度的狭窄以及由于高输出导致的激光性能的劣化。构成：半导体激光装置（10）由具有GaAs的n型基板（12）构成，在基板的底部形成有基极（14）。基板的上表面依次形成：由GaAs形成的“n”型缓冲层（16）由InGaAlP形成的“n”型覆盖层（18）由InGaP和InGaAlP形成的活化层（20）由InGaAlP形成的“p”型第一上覆盖层（22）和由InGaP形成的“p”型蚀刻停止层（24）。并且形成光波导通道（20a）以在激活层（20）中从对应于脊部分（30）的部分产生激光的同时引导激光，从而防止劣化。

5. 发明授权

KR100681294B1 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100681294B1
公开(公告)日：2007-02-09
申请号：KR1020040097396
申请日：2004-11-25
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 마키타고우지 , 요시카와겐지 , 가시마다카유키 , 아다치히데토
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/222 , H01S5/32325
摘要： 본 발명은 임계치 전류가 작고, 또한 제작이 용이한 구조를 구비하며, 게다가 양호한 온도 특성 및 고속 응답 특성을 갖는 반도체 레이저 소자를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서, n형 GaAs 기판(101)과, n형 GaAs 기판(101) 상에 형성된 n형 AlGaInP 클래드층(102)과, 논 도프 양자 우물 활성층(103)과, p형 AlGaInP 제1 클래드층((104))과, p형 GaInP 에칭 스톱층(105)과, p형 AlGaInP 제2 클래드층(106)과, p형 GaInP 캡층(107)과, p형 GaAs 콘텍층(108)과, n형 AlInP 블록층(109)을 구비하고, 리지부 및 리지부 양측의 볼록부를 갖으며, p형 GaAs 콘텍층(108)은 리지부 상면에만 형성된다.

6. 发明授权

KR100599362B1 릿지 도파로형 반도체 레이저 有权
标题翻译： RIDGE波导半导体激光二极管
公开(公告)号：KR100599362B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020030083459
申请日：2003-11-24
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 마쯔무라다꾸아끼
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/3072 , H01S5/32325 , H01S5/32341 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669
摘要： 본 발명은 릿지 도파로형 반도체 레이저에 있어서, 실장 시에 생기는 레이저 특성 이상이나 수명 특성의 열화를 방지할 수 있는, 신규한 레이저 소자 구조를 제공한다. 이를 위해, 본 발명은 p측 반도체층(14)에 형성된 도파로 형성용의 릿지부(14a)와, 릿지부 정상면의 적어도 일부가 노출되도록 피복하는 절연 보호막(17)과, 그곳에서 노출된 릿지부에 오믹 접촉한 p측 오믹 전극(15)과, p측 오믹 전극에 전기 접촉하도록 형성된 p측 패드 전극(19)을 구비한 릿지 도파로형 반도체 레이저를 포함하고, p측 오믹 전극과 p측 패드 전극의 사이에는, 저융점 금속의 확산을 방지하는 것이 가능한 확산 방지층(30)이 형성되며, 확산 방지층은 적어도 절연 보호막(17)으로부터 노출한 릿지부(14a)를 피복한다. 확산 방지층에 의해, 실장용의 도전성 접합제로부터 릿지부로 저융점 금속이 확산하는 것을 억제하여, p측 오믹 전극과 p형 질화물 반도체층과의 오믹 접촉을 양호하게 유지한다.

7. 发明公开

KR1020040045368A 릿지 도파로형 반도체 레이저 有权
标题翻译：具有改进的RIDGE结构的RIDGE波导型半导体激光二极管
公开(公告)号：KR1020040045368A
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：KR1020030083459
申请日：2003-11-24
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 마쯔무라다꾸아끼
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/3072 , H01S5/32325 , H01S5/32341 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669
摘要： PURPOSE: A ridge waveguide type semiconductor laser diode having an improve ridge structure is provided to enhance the reliability and lengthen the lifetime by preventing troubles of laser characteristics. CONSTITUTION: An active layer is formed between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer(14). A ridge part(14a) is formed on the p-type semiconductor layer in order to form a waveguide. A protective insulating layer(17,18) is used for covering partially the ridge part in order to expose partially a top face of the ridge part. A p-side ohmic electrode(15) is in contact with the exposed portion of the ridge part. A p-side pad electrode(19) is electrically connected to the p-side ohmic electrode. An intermediate layer is formed between the p-side ohmic electrode and the p-side pad electrode in order to cover partially the ridge part exposed from the protective insulating layer.
摘要翻译：目的：提供具有改进脊结构的脊波导型半导体激光二极管，以通过防止激光特性的麻烦来提高可靠性并延长寿命。构成：在n型半导体层和p型半导体层（14）之间形成有源层。为了形成波导，在p型半导体层上形成脊部（14a）。保护绝缘层（17,18）用于部分地覆盖脊部，以部分地暴露脊部的顶面。 p侧欧姆电极（15）与脊部的暴露部分接触。 p侧焊盘电极（19）与p侧欧姆电极电连接。在p侧欧姆电极和p侧焊盘电极之间形成中间层，以部分地覆盖从保护绝缘层露出的脊部。

8. 发明授权

KR100153585B1 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：半导体激光器及其制造
公开(公告)号：KR100153585B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950001481
申请日：1995-01-24
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시류지 , 호따히또시 , 고바야시겐이찌
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/2209 , H01S5/221 , H01S5/222 , H01S5/32325 , H01S2304/04
摘要： 향상된 신뢰성을 가진 반도체 레이저, 반도체 레이저는 제1 도전형의 제1의 AlGaInP 크래딩층, 메사 스트라이프를 형성하는 제2 도전형의 제2의 AlGaInP 크래딩층, 도핑되지 않은 GaInP 층으로 만들어진 활성층, 도핑되지 않은 AlGaInP 층, 또는 도핑되지 않은 GaInP 서브층 및 도핑되지 않은 AlGaInP 서브층의 양자 우물층을 포함하고 있다. 반도체 레이저는 메사 스트라이프를 매립하도록 메사 스트라이프의 양측에 놓여지는 Al
x In
1-x P 또는 (Al
y Ga
1-y )
x In
1-x P 층으로 만들어지는 매립층을 추가로 포함하고 있다. 매립층은 제2 크래딩층보다 큰 에너지 대역 갭과 작은 굴절율을 가진다. 매립층은 메사 스트라이프의 양측과 접촉하여 메사 스트라이프의 측면을 따라 연장하는 제1층을 가지며, 제1영역의 Al 조성비 x 는 제1영역이 GaAs 에 격자 정합되도록 설정된다. 매립층은 제1영역의 하부 단부와 접촉하여 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가진다. 제2영역의 Al 조성비는 제2영역이 GaAs 격자 정합되거나 격자 정합되지 않게 설정된다.

9. 发明公开

KR1020050050592A 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050050592A
公开(公告)日：2005-05-31
申请号：KR1020040097396
申请日：2004-11-25
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 마키타고우지 , 요시카와겐지 , 가시마다카유키 , 아다치히데토
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/222 , H01S5/32325
摘要： 본 발명은 임계치 전류가 작고, 또한 제작이 용이한 구조를 구비하며, 게다가 양호한 온도 특성 및 고속 응답 특성을 갖는 반도체 레이저 소자를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서, n형 GaAs 기판(101)과, n형 GaAs 기판(101) 상에 형성된 n형 AlGaInP 클래드층(102)과, 논 도프 양자 우물 활성층(103)과, p형 AlGaInP 제1 클래드층((104))과, p형 GaInP 에칭 스톱층(105)과, p형 AlGaInP 제2 클래드층(106)과, p형 GaInP 캡층(107)과, p형 GaAs 콘텍층(108)과, n형 AlInP 블록층(109)을 구비하고, 리지부 및 리지부 양측의 볼록부를 갖으며, p형 GaAs 콘텍층(108)은 리지부 상면에만 형성된다.

10. 发明授权

KR100272155B1 질화갈륨계화합물반도체레이저및그제조방법 失效
标题翻译：基于氮化镓的化合物半导体激光器及其制造方法。
公开(公告)号：KR100272155B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019970034869
申请日：1997-07-25
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 오카자키하루히코 , 후지모토히데토시 , 이시가와마사유키 , 야마모토마사히로 , 누노우에신야 , 하타코시겐이치
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/32325 , H01S5/0422 , H01S5/2275 , H01S5/32341
摘要： 반도체 레이저는 질화갈륨계 화합물 반도체재료로 형성되고, 사파이어구조 상의 n형 클레딩층과 p형 클레딩층간에 활성층을 끼움으로써 얻어진 이중-헤테로구조부를 갖는다. 이중-헤테로구조부는 GaN 버퍼층을 매개로 사파이어구조 상에 메사형으로 형성된다. 이 메사형 구조의 양측은 GaN 전류 블록킹층으로 매립된다.

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