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1. 发明授权

KR100972321B1 프린트 배선판용 구리박 有权
标题翻译：铜箔印刷线路板
公开(公告)号：KR100972321B1
公开(公告)日：2010-07-26
申请号：KR1020077030031
申请日：2006-05-26
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 아카세후미아키
IPC分类号： C23C28/00 , C23C22/24 , C23C22/83 , C25D7/00
CPC分类号： C23C28/00 , B32B15/08 , B32B15/14 , B32B15/20 , B32B27/04 , B32B27/38 , C23C22/00 , C23C22/24 , C23C22/83 , C23C2222/20 , C25D5/48 , C25D7/0614 , C25D11/38 , H05K3/385 , H05K3/389 , H05K2201/0355
摘要： 수지와의 접착면이 되는 구리박의 무조화면에 형성된 내열 처리층, 그 내열 처리층 상에 형성된 크로메이트 피막층, 그 크로메이트 피막층 상에 형성된 실란 커플링제층으로 이루어지는 프린트 배선판용 구리박으로서, 실란 커플링제층 형성 후의 구리박 최표면의 Zn 량이 1.5 Atomic% 이하이며, Cr 량이 3.0 ∼ 12.0 Atomic% 인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판용 구리박. 내약품성, 접착성, 고주파 특성이 우수한 프린트 배선판용 구리박을 제공한다.
구리박

2. 发明授权

KR100947197B1 소결용 Ｓｂ-Ｔｅ 계 합금 분말 및 이 분말을 소결하여얻은 소결체 스퍼터링 타겟 그리고 소결용 Ｓｂ-Ｔｅ 계합금 분말의 제조 방법 有权
标题翻译：用于烧结粉末制备的烧结和烧结溅射靶材的Sb-Te基合金粉末及其制备用于烧结的Sb-Te基合金粉末的方法
公开(公告)号：KR100947197B1
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：KR1020077016413
申请日：2005-11-29
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 다카하시히데유키
IPC分类号： C23C14/34 , B22F9/04 , C22C28/00
CPC分类号： C22C28/00 , B22F9/04 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C12/00 , C23C14/3414 , G11B7/266 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , B22F9/082 , B22F3/14 , B22F2201/11
摘要： Sb-Te 계 합금의 가스 아토마이즈 분말을 더욱 기계 분쇄하여 얻은 분말의 최대 입경이 90㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 소결용 Sb-Te 계 합금 분말 및 이 분말을 소결하여 얻은 소결체 스퍼터링 타겟 및 Sb-Te 계 합금을 용해시킨 후, 가스 아토마이즈에 의해 아토마이즈 분말로 하고, 이것을 다시, 대기에 노출시키지 않고 불활성 분위기 중에서 기계 분쇄함으로써, 분말의 최대 입경이 90㎛ 이하이고, 또한 산소 함유량을 저감시킨 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 소결체 스퍼터링 타겟용 Sb-Te 계 합금 분말의 제조 방법. Sb-Te 계 합금 스퍼터링 타겟 조직의 균일과 미세화를 도모하고, 소결 타겟의 크랙의 발생을 억제하여, 스퍼터링시에 아킹의 발생을 방지한다. 또, 스퍼터 에로젼에 의한 표면의 요철을 감소시켜, 양호한 품질의 Sb-Te 계 합금 스퍼터링 타겟을 얻는다.
Sb-Te 계 합금
摘要翻译：提供了通过使Sb-Te合金的气体雾化粉末进行机械粉碎而得到的粉末的最大粒径为90μm以下的烧结用Sb-Te合金粉末，烧结该烧结体的烧结体的溅射靶。另外提供了一种用于烧结体型溅射靶的Sb-Te合金粉末的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：使Sb-Te合金溶解，然后使其进行气体雾化获得雾化粉末，并进一步将其在惰性没有任何大气暴露的气氛，从而制造最大粒径为90μm以下且氧含量降低的粉末。因此，Sb-Te合金溅射靶结构可以均匀化和精制，可以抑制烧结靶中的裂纹的产生，并且可以抑制溅射期间的电弧放电。此外，为了获得高品质的Sb-Te合金溅射靶，可以减少由溅射侵蚀引起的表面粗糙度。

3. 发明授权

KR100938375B1 피로 특성이 우수한 구리 합금 Ｓｎ 도금조 有权
标题翻译： ??镀铜合金棒具有优异的疲劳特性
公开(公告)号：KR100938375B1
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020077029538
申请日：2006-06-30
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 하타노다카아키
IPC分类号： C25D3/30 , C22C9/00 , C25D5/50 , C25D7/00
CPC分类号： C25D3/30 , B22F2998/00 , B32B15/01 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/06 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D5/505 , C25D7/0614 , Y10S428/929 , Y10T428/12715 , B22F7/04
摘要： Sn 도금에 의한 피로 특성의 열화를 방지함으로써, 양호한 피로 특성을 갖는 Sn 도금 구리 합금조를 제공한다. 전기 도금 및 리플로우 처리에 의해 Sn 또는 Sn 합금 도금 피복이 형성된 구리 합금조에 있어서, 평균 수소 농도를 약 2 질량ppm 이하로 함으로써 피로 특성을 개선한다.
Sn 도금

4. 发明授权

KR100888911B1 수소 분리막 및 수소 분리막 형성용 스퍼터링 타겟 및 그제조 방법 有权
标题翻译：氢分离膜，形成氢分离膜的溅射靶及其制造方法
公开(公告)号：KR100888911B1
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：KR1020077010901
申请日：2005-11-04
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
发明人： 나카무라아츠시 , 야하기마사타카 , 이노우에아키히사 , 기무라히사미치 , 야마우라신이치
IPC分类号： C01B3/08 , B01D53/22 , C01G53/00 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , B01D53/228 , B01D67/0072 , B01D71/022 , B01D2257/108 , B01D2325/04 , B01D2325/20 , C01B3/503 , C01G53/006 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2006/11 , C22C45/10 , Y02E60/36 , Y10S55/05
摘要： Ni
x M
y Zr
100
-xy (M:Nb 및 또는 Ta, 25≤x≤40, 25≤y≤40) 의 조성을 갖고, 평균 입경이 50㎛ 이하인 아토마이즈 분말을 소결하여 얻어진 조직을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 수소 분리막. 제조되는 수소 분리막이 고가의 Pd 금속을 사용할 필요가 없고, 또 고비용이 되는 종래의 용탕 금속의 급냉에 의한 벌크 금속 유리를 대신하여, 수소 분리막의 결함 및 조성의 불균일성의 문제가 없고, 조직이 균일하며, 또한 효율적이고, 저비용으로 수소를 분리할 수 있는 수소 분리막 및 수소 분리막 형성용 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법을 얻는다.

5. 发明授权

KR100877090B1 동 제련 조업 방법 有权
标题翻译：铜冶炼操作方法
公开(公告)号：KR100877090B1
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：KR1020060109606
申请日：2006-11-07
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 가메가이도시히로 , 아카기스스무 , 사토후미아키 , 도다가츠야
IPC分类号： C22B15/00
CPC分类号： Y02P10/214 , Y02P10/22 , Y02P10/234
摘要： 동 제련에서, 황화동 정광이 자용로, 및 전로에서 용융되고, 정제로에서 정제된다. 애노드는 전해 정제된다. Pt 및 Pd 와 같은 귀금속 (PGM) 은 동으로부터 분리되고, 전해 공정의 슬러지로 농축된다. PGM 을 포함하는 분말 또는 입상 원료는, 재생 원료가 동 정광 및 융제와 함께 자용로 내로 장입되는 통상 동 제련 공정에서 회수된다. 송풍구를 통해 전로 또는 정제로 내로 재생 원료를 불어넣어 회수율이 향상된다.

6. 发明授权

KR100876573B1 스퍼터링 타겟 - 백킹 플레이트 조립체 및 막 형성 장치 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR100876573B1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020077011166
申请日：2005-10-14
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 미야시타히로히토
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3435
摘要： 침식부 및 비침식부가 형성되는 판 형상 타겟으로서, 그 표면적이, 타겟이 평면이라고 가정했을 경우의 표면적의 100% 를 초과하고 125% 미만인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟. 침식부 및 비침식부가 형성되는 판 형상 타겟으로서, 타겟 표면 영역에 1 또는 복수의 오목부를 구비하며, 타겟이 평면이라고 가정했을 경우의 표면적의 100% 를 초과하고 125% 미만인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟. 자체 스퍼터나 하이파워 스퍼터화에 의해, 타겟의 전체 수명에 걸쳐서, 스퍼터 회로에 있어서의 전기적 변동을 가능한한 작게 억제함으로써, 용량이 작은 저렴한 전원 장치를 사용할 수 있도록 한다.
摘要翻译：提供了一种板状溅射靶，其上形成有侵蚀部分和非侵蚀部分，并且当靶被假定为平面时，其表面积超过100％但小于表面积的125％。还提供了一种片状溅射靶，其上形成有在目标表面区域上包括一个或多个凹部的侵蚀部分和非侵蚀部分，其表面积超过100％但小于表面积的125％当目标被假定为平面时。可以使用廉价的小容量电源单元，其通过自溅射或高功率溅射在目标的整个寿命期间尽可能多地最小化溅射电路中的电气变化。

7. 发明公开

KR1020080086000A 전자 재료용 Ｃｕ-Ｎｉ-Ｓｉ 계 구리 합금, 이 구리 합금을 이용한 신동품 및 이 구리 합금을 이용한 전자 기기 부품 有权
标题翻译：基于铜镍硅的铜合金电子材料
公开(公告)号：KR1020080086000A
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：KR1020070027528
申请日：2007-03-21
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 에라나오히코 , 후카마치가즈히코 , 구와가키히로시
IPC分类号： C22C9/06
CPC分类号： C22C9/06 , C01P2006/40 , C22C2202/00 , H01B1/026
摘要： A Cu-Ni-Si based copper alloy for electronic materials, new copper articles using the copper alloy, and electronic instrument parts using the copper alloy are provided, wherein the copper alloy obtains remarkably improved strength and conductivity by exhibiting a better addition effect of Cr as an alloy element. A Cu-Ni-Si based copper alloy for electronic materials comprises 2.5 to 4.5% by mass of Ni, 0.50 to 1.2% by mass of Si, 0.0030 to 0.2% by mass of Cr, 50 ppm by mass or less of C, and the balance of Cu and inevitable impurities, wherein a weight ratio of Ni to Si is 3
摘要翻译：提供了一种用于电子材料的Cu-Ni-Si基铜合金，使用铜合金的新型铜制品和使用铜合金的电子仪器部件，其中通过显示出更好的Cr添加效果，铜合金获得显着提高的强度和导电性作为合金元素。用于电子材料的Cu-Ni-Si系铜合金包含2.5〜4.5质量％的Ni，0.50〜1.2质量％的Si，0.0030〜0.2质量％的Cr，50质量ppm以下的C，以及其余的Cu和不可避免的杂质，其中Ni与Si的重量比为3≤Ni/Si≤7。所述Cu-Ni-Si系铜合金还含有选自Mg，Mn，Sn和Ag中的一种以上的总量为0.5质量％以下的元素。 Cu-Ni-Si系铜合金还含有选自Zn，P，As，Sb，Be，B，Ti，Zr，Al，Co和Fe中的一种以上的总量为2.0质量％以下的元素。

8. 发明授权

KR100807929B1 동전로 더스트의 처리 방법 有权
标题翻译：铜转炉除尘处理方法
公开(公告)号：KR100807929B1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060064157
申请日：2006-07-10
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 사또오신야 , 쯔쯔미유끼히또
IPC分类号： C22B7/04 , C22B7/00
CPC分类号： Y02P10/234 , Y02P10/236
摘要： 본 발명은 동전로 더스트로부터 구리와 비소, 카드뮴을 분리 회수하고, 또한 회수 잔류 찌꺼기를 저감하는 방법을 제안하는 것이다.
동전로 더스트 중에 포함되는 구리, 비소, 카드뮴을 2단 황화 처리함으로써 분리하는 것으로서, 1단째의 황화 처리에서 얻은 구리와 비소를 회수 공정에서 회수하고, 2단째의 황화 처리에서 얻은 카드뮴을 계외 제거하는 동전로 더스트의 처리 방법이다.
동전로 더스트, 황화 처리, 회수 공정, 중화 공정, 치환 반응 처리

9. 发明授权

KR100795288B1 구리, 귀금속을 함유하는 스크랩, 슬러지 또는 스크랩 및 슬러지의 처리 방법 失效
标题翻译：铜和/或泥浆处理方法包含铜，重金属
公开(公告)号：KR100795288B1
公开(公告)日：2008-01-15
申请号：KR1020060064156
申请日：2006-07-10
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 히라이유우시로 , 사사끼야스까즈
IPC分类号： C22B7/00
CPC分类号： Y02P10/214 , Y02P10/22 , Y02P10/236
摘要： 본 발명의 목적은 구리 및 금, 은, 백금, 팔라듐, 로듐, 루테늄의 귀금속 중 적어도 1종류 이상의 유가물을 함유하는 구리, 귀금속 스크랩 및 슬러지를 큐폴라를 이용하여 구리, 귀금속 스크랩 및 슬러지로부터 구리, 귀금속 등의 유가 금속을 효율적으로 회수하는 것이다.
입경 10 ㎜ 이하로 파쇄 처리한 가연성 구리, 귀금속 스크랩을 입경 3 ㎜ 이하의 분상의 비가연성 구리, 귀금속 스크랩과 용제와 함께 큐폴라의 풍구로부터 취입하고, 비가연성으로 입경 30 내지 50 ㎜로 정립 처리한 구리, 귀금속 스크랩은 용제 및 코크스와 함께 큐폴라 상부의 원료 장입구로부터 투입하고, 큐폴라 내에서의 용융 환원 처리에 의해 구리를 주체로 하는 블랙 코퍼, 선철, 슬래그 및 더스트로 분리하는 구리, 귀금속을 함유하는 스크랩, 슬러지 또는 스크랩 및 슬러지의 처리 방법이다.
귀금속 스크랩, 큐폴라, 슬러지, 브리켓, 가연성 구리

10. 发明公开

KR1020070098645A 열간 가공성이 우수한 구리 합금 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：铜合金具有较高的耐热性能及其生产方法
公开(公告)号：KR1020070098645A
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020070030785
申请日：2007-03-29
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 에토마사토시 , 엔도우사토루
IPC分类号： C22C9/06
CPC分类号： C22C9/06 , C01P2006/40 , C22C2202/00 , H01B1/026
摘要： A copper alloy with favorable hot workability and a manufacturing method thereof are provided to increase strength and conductivity without decreasing bending performance. A copper alloy with favorable hot workability is composed of 1.0~2.0 mass% of nickel, 0.10~0.50 mass% of phosphorous, 0.03~0.45 mass% of chromium, copper, and an inevitable foreign material. A ratio between the included nickel and the phosphorous is in the range of 4.0~6.5. 0.005~0.070 mass% of boron is included instead of 0.03~0.45 mass% of the chromium. 0.01~1.0 mass% of a compound formed by at least one of tin or indium is included.
摘要翻译：提供具有良好的热加工性的铜合金及其制造方法以增加强度和导电性而不降低弯曲性能。具有良好的热加工性的铜合金由1.0〜2.0质量％的镍，0.10〜0.50质量％的磷，0.03〜0.45质量％的铬，铜和不可避免的异物构成。所包含的镍和磷之间的比例在4.0〜6.5的范围内。包含0.005〜0.070质量％的硼而不是0.03〜0.45质量％的铬。包含0.01〜1.0质量％的由锡或铟中的至少一种形成的化合物。

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