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1. 发明授权

KR100876573B1 스퍼터링 타겟 - 백킹 플레이트 조립체 및 막 형성 장치 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR100876573B1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020077011166
申请日：2005-10-14
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 미야시타히로히토
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3435
摘要： 침식부 및 비침식부가 형성되는 판 형상 타겟으로서, 그 표면적이, 타겟이 평면이라고 가정했을 경우의 표면적의 100% 를 초과하고 125% 미만인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟. 침식부 및 비침식부가 형성되는 판 형상 타겟으로서, 타겟 표면 영역에 1 또는 복수의 오목부를 구비하며, 타겟이 평면이라고 가정했을 경우의 표면적의 100% 를 초과하고 125% 미만인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟. 자체 스퍼터나 하이파워 스퍼터화에 의해, 타겟의 전체 수명에 걸쳐서, 스퍼터 회로에 있어서의 전기적 변동을 가능한한 작게 억제함으로써, 용량이 작은 저렴한 전원 장치를 사용할 수 있도록 한다.
摘要翻译：提供了一种板状溅射靶，其上形成有侵蚀部分和非侵蚀部分，并且当靶被假定为平面时，其表面积超过100％但小于表面积的125％。还提供了一种片状溅射靶，其上形成有在目标表面区域上包括一个或多个凹部的侵蚀部分和非侵蚀部分，其表面积超过100％但小于表面积的125％当目标被假定为平面时。可以使用廉价的小容量电源单元，其通过自溅射或高功率溅射在目标的整个寿命期间尽可能多地最小化溅射电路中的电气变化。

2. 发明授权

KR100968395B1 스퍼터링 타겟 有权
标题翻译：溅射靶
公开(公告)号：KR100968395B1
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：KR1020077024857
申请日：2006-03-28
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 미야시타히로히토
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414
摘要： Ta 또는 Ta 합금의 타겟에 있어서 {110} 면의 X 선 회절 강도비가 0.4 이하, 나아가서는 {110} 면의 X 선 회절 강도비가 0.2 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟. Ta 또는 Ta 합금의 타겟 표면에서의 {110} 면의 X 선 회절 강도비가 0.8 이하이고 또한 100μ 깊이 이후의 {110} 면의 X 선 강도비가 0.4 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟. 스퍼터 타겟에 있어서의 라이프 전체에 걸친 타겟마다의 성막 속도의 변동을 최소로 하고, 이로써 스퍼터링 프로세스에 있어서의 반도체의 생산 효율을 향상 및 안정화시킴과 함께 생산 비용의 저감에 공헌하는 Ta 또는 Ta 합금 타겟을 제공한다.
摘要翻译：钽或在0.4或更低的Ta合金的X射线衍射强度比目标上的{110}面，进而为0.2或更小的溅射靶{110}的X射线衍射强度比，其特征在于表面。钽或{110}面在合金靶和0.8或更小也溅射靶的X射线衍射强度比的表面的钽，其特征在于，为0.4或更低，{110}平面上的100μ深度后的X射线强度比。溅射法，以最小化用于每个整个生命整个目标，由此有助于减少与半导体生产成本的在Ta或Ta合金靶提高了生产效率和稳定锡金在溅射工艺中的靶材的沉积速度的变化， Lt。

3. 发明公开

KR1020070121025A 스퍼터링 타겟 有权
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：KR1020070121025A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：KR1020077024857
申请日：2006-03-28
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 미야시타히로히토
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414
摘要： A sputtering target comprising Ta or a Ta alloy, characterized in that the {110} plane X-ray diffraction intensity ratio is not more than 0.4, even not more than 0.2. A sputtering target comprising Ta or a Ta alloy, characterized in that the {110} plane X-ray diffraction intensity ratio in the target surface is not more than 0.8 and the {110} plane X-ray diffraction intensity ratio in a depth of 100 V or more is not more than 0.4. These Ta or Ta alloy targets can minimize a variation in film formation rate for each target during the life of sputtering targets, and thus can improve and stabilize the production efficiency of semiconductors in the sputtering process and can contribute to a reduction in production cost.
摘要翻译：一种包含Ta或Ta合金的溅射靶，其特征在于{110}平面X射线衍射强度比不大于0.4，甚至不大于0.2。一种包含Ta或Ta合金的溅射靶，其特征在于，目标表面中的{110}面X射线衍射强度比不大于0.8，深度为{110}平面X射线衍射强度比为100 V以上不超过0.4。这些Ta或Ta合金靶可以使溅射靶的寿命期间每个靶的成膜速度变化最小化，从而可以提高和稳定溅射工艺中半导体的生产效率，并且可以有助于降低生产成本。

4. 发明公开

KR1020070063600A 스퍼터링 타겟 - 백킹 플레이트 조립체 및 막 형성 장치 有权
标题翻译：喷射目标，飞溅目标背板组件和薄膜沉积系统
公开(公告)号：KR1020070063600A
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020077011166
申请日：2005-10-14
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 미야시타히로히토
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3435
摘要： A sputtering target, i.e. a planar target on which an erosion portion and a non-erosion portion are formed, characterized in that the surface area thereof is between 100% and 125% of a surface area when the target is assumed to be planar. A sputtering target, i.e. a planar target on which an erosion portion and a non-erosion portion are formed, characterized in that one or a plurality of recesses are provided in the target surface region, and the surface area thereof is between 100% and 125% of a surface area when the target is assumed to be planar. An inexpensive, small-capacity power supply can be used by minimizing electrical variation in a sputter circuit as much as possible throughout the lifetime of the target by self sputtering or high power sputtering.
摘要翻译：溅射靶，即其上形成有侵蚀部分和非侵蚀部分的平面靶，其特征在于当所述靶被假定为平面时，其表面积在表面积的100％至125％之间。溅射靶，即其上形成有侵蚀部分和非侵蚀部分的平面靶，其特征在于，在目标表面区域中设置一个或多个凹部，其表面积为100〜125 假定目标为平面时的表面积的％。通过自溅射或高功率溅射，尽可能地在靶的整个寿命期间最小化溅射电路中的电变化，可以使用廉价的小容量电源。

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