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1. 发明授权

KR101736975B1 다층 그래핀막, 다층 그래핀막을 전극으로 사용하는 에너지 저장 장치 및 다층 그래핀막과 에너지 저장 장치의 제조방법 有权
标题翻译：多层石墨烯薄膜，使用多层石墨烯薄膜作为电极的能量存储装置以及多层石墨烯薄膜和能量存储装置的制造方法
公开(公告)号：KR101736975B1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：KR1020140083763
申请日：2014-07-04
申请人： 삼성전자주식회사 , 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이동욱 , 권순근
IPC分类号： H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M10/05 , H01G11/36 , C01B31/04
CPC分类号： Y02E60/13
摘要： 다층그래핀막및 그제조방법과다층그래핀막을전극으로사용하는에너지저장장치에관해개시되어있다. 일실시예에의한다층그래핀막은제1 그래핀층과, 상기제1 그래핀층상에구비된스페이서층및 상기스페이서층상에구비된상부그래핀층을포함한다. 상기스페이서층은상기제1 그래핀층과상기상부그래핀층사이의간격을주어진간격이상으로유지하는층이다. 이러한다층그래핀막에서, 상기스페이서층과상기상부그래핀층사이에층 구성이서로다른복수의층이더 구비될수 있다. 상기스페이서층은그래핀층또는그래핀산화물층일수 있다.
摘要翻译：多层石墨烯膜，其制造方法以及使用多层石墨烯膜作为电极的能量储存装置。在一个实施方案，它包括一个销层是是被钉扎层和第一膜，设置在石墨烯层和上部上的第一间隔层被钉扎是在间隔层提供的。间隔层是将第一石墨烯层和上石墨烯层之间的间隙保持在给定间隙或更大的层。在该多层石墨烯膜中，可以在间隔层和上石墨烯层之间进一步提供具有不同层结构的多个层。间隔层可以是石墨烯层或石墨烯氧化物层。

2. 发明公开

KR1020150006367A 다층 그래핀막, 다층 그래핀막을 전극으로 사용하는 에너지 저장 장치 및 다층 그래핀막과 에너지 저장 장치의 제조방법 有权
标题翻译：多层石墨膜，使用多层石墨膜作为电极的能量储存装置以及制造多层石墨膜和能量储存装置的方法
公开(公告)号：KR1020150006367A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020140083763
申请日：2014-07-04
申请人： 삼성전자주식회사 , 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이동욱 , 권순근
IPC分类号： H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M10/05 , H01G11/36 , C01B31/04
CPC分类号： Y02E60/13 , H01M4/133 , C01B32/20 , H01G11/36 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M10/05 , Y02E60/12
摘要： 다층 그래핀막 및 그 제조방법과 다층 그래핀막을 전극으로 사용하는 에너지 저장 장치에 관해 개시되어 있다. 일 실시예에 의한 다층 그래핀막은 제1 그래핀층과, 상기 제1 그래핀층 상에 구비된 스페이서층 및 상기 스페이서층 상에 구비된 상부 그래핀층을 포함한다. 상기 스페이서층은 상기 제1 그래핀층과 상기 상부 그래핀층 사이의 간격을 주어진 간격 이상으로 유지하는 층이다. 이러한 다층 그래핀막에서, 상기 스페이서층과 상기 상부 그래핀층 사이에 층 구성이 서로 다른 복수의 층이 더 구비될 수 있다. 상기 스페이서층은 그래핀층 또는 그래핀 산화물층일 수 있다.
摘要翻译：公开了一种多层石墨烯薄膜及其制造方法以及使用该多层石墨烯薄膜作为电极的储能装置。根据一个实施方案的多层石墨烯膜包括第一石墨烯层，配备在第一石墨烯层上的间隔层和设置在间隔层上的上部石墨烯层。间隔层是以指定的间隔或更长时间保持第一石墨烯层和上部石墨烯层之间的间隔的层。多层石墨烯膜可以进一步包括在间隔层和上部石墨烯层之间具有不同层组成的多个层。间隔层可以是石墨烯层或石墨烯氧化物层。

3. 发明授权

KR101270428B1 질화갈륨 기판 및 그 제조방법 失效
标题翻译： GaN基板和制造方法相同
公开(公告)号：KR101270428B1
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020110059585
申请日：2011-06-20
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 최준성 , 박현종 , 이원조 , 배준영 , 박철민 , 이동욱
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00
摘要： 본 발명은 질화갈륨 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 냉각 시 크랙을 유발하는 질화갈륨층을 성장시켜 베이스 기판과 자동분리를 위한 질화갈륨 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 질화갈륨 기판 제조방법에 있어서, 베이스 기판을 준비하는 과정과, 상기 베이스 기판 상에 냉각 시 크랙을 유발하는 제1 질화갈륨층을 성장시키는 과정 및, 상기 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 성장시키는 과정을 포함한다.

4. 发明公开

KR1020130024474A 반도체 기판 제조방법 无效
标题翻译：制造半导体基板的方法
公开(公告)号：KR1020130024474A
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020110087946
申请日：2011-08-31
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 배준영 , 김경준 , 공선환 , 어성우 , 이원조 , 이동욱 , 박철민 , 박현종 , 최준성
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02389 , H01L21/268 , H01L21/7806
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor substrate is provided to prevent the warpage of a substrate by using a laser. CONSTITUTION: A substrate is prepared in a reactor(S311). The substrate has a convex surface. A semiconductor substrate is grown in the convex surface by using mixed gas(S312). Laser is irradiated on the semiconductor substrate to separate the substrate from a semiconductor substrate(S313). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S311) Installing a substrate in a reactor; (S312) Growing a semiconductor substrate on a convex surface of the substrate; (S313) Separating the substrate and the semiconductor substrate by irradiating laser; (S314) Washing the surface of the separated semiconductor substrate
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体衬底的方法，以通过使用激光来防止衬底的翘曲。构成：在反应器中制备底物（S311）。基板具有凸面。通过使用混合气体在凸面生长半导体衬底（S312）。激光照射在半导体衬底上以将衬底与半导体衬底分离（S313）。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S311）将基板安装在反应器中; （S312）在衬底的凸表面上生长半导体衬底; （S313）通过照射激光来分离衬底和半导体衬底; （S314）洗涤分离的半导体衬底的表面

5. 发明授权

KR101207412B1 질화갈륨 기판 및 그 제조방법 失效
标题翻译： GAN基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101207412B1
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020110059586
申请日：2011-06-20
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김동현 , 박현종 , 최준성 , 이원조 , 배준영 , 이동욱 , 신성환 , 박철민
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: A GaN(gallium nitride) substrate and a manufacturing method thereof are provided to prevent cracks and bending by depositing a metal thin film on a base substrate. CONSTITUTION: A metal thin film is patterned on a base substrate in a circular band shape. The metal thin film is made of gold or silver. A protective layer(630) made of GaN is grown up. A gallium nitride film(640) is grown up on the protective layer. The gallium nitride film is automatically separated by cracks which are generated from the metal thin film in cooling.
摘要翻译：目的：提供GaN（氮化镓）基板及其制造方法，以通过在基底基板上沉积金属薄膜来防止裂纹和弯曲。构成：将金属薄膜图案化成圆形带状的基底。金属薄膜由金或银制成。生长由GaN制成的保护层（630）。在保护层上生长氮化镓膜（640）。氮化镓膜在冷却时由金属薄膜产生的裂纹自动分离。

6. 发明授权

KR101094404B1 반도체 기판 제조방법 失效
标题翻译：制造半导体基板的方法
公开(公告)号：KR101094404B1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020100103583
申请日：2010-10-22
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 전종필 , 공선환 , 세르게이로그비노프 , 박현종 , 이원조 , 배준영 , 박철민 , 최준성 , 이동욱
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/02041 , H01L21/02389 , H01L21/7806
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor substrate is provided to reduce the generation of a bending phenomenon by separating the semiconductor substrate which grown in the side of a non-growth substrate using laser. CONSTITUTION: Semiconductor substrates(22a,22b) are grown up in both side of a non-growth substrate(21). A side of the non-growth substrate is processed. Laser is irradiated to the side of the non-growth substrate. The semiconductor substrate which is grown up in the non-growth substrate and both sides of the non-growth substrate is separated. The non-growth substrate is selected between a sapphire substrate or an aluminum nitride substrate. The laser is one of yag laser and excimer laser.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体衬底的方法，通过使用激光分离生长在非生长衬底侧的半导体衬底来减少产生弯曲现象。构成：半导体衬底（22a，22b）在非生长衬底（21）的两侧生长。处理非生长衬底的一侧。激光照射到非生长衬底的一侧。在非生长衬底中生长的半导体衬底和非生长衬底的两侧分离。在蓝宝石衬底或氮化铝衬底之间选择非生长衬底。激光是yag激光和准分子激光之一。

7. 发明授权

KR101256923B1 증착막의 인-시튜 휨 측정이 가능한 반응기 및 그 측정방법 失效
标题翻译：用于测量蒸汽沉积膜弯曲度的反应器和方法
公开(公告)号：KR101256923B1
公开(公告)日：2013-04-19
申请号：KR1020110054464
申请日：2011-06-07
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 박현종 , 최준성 , 배준영 , 이원조 , 이동욱 , 박철민 , 신성환 , 김동현
IPC分类号： G01B11/16 , H01L21/66
摘要： 본 발명은 증착막의 인-시튜 휨 측정이 가능한 반응기 및 그 측정방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 증착 반응 진행 중에서도 인-시튜로 증착막의 휨 측정이 가능한 반응기 및 그 측정방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명에 따른 증착막의 인-시튜 휨 측정이 가능한 반응기는 반응기에 있어서, 반응관, 반응관으로 반응가스를 주입하기 위한 가스 주입부, 반응관에 존재하는 잔류 반응가스를 배출하기 위한 가스 배출부, 및 반응관 내의 하부에 위치되며 상·하를 관통하는 구멍이 뚫린 서셉터를 포함하도록 구성되어, 증착막(film)의 휨을 인-시튜로 측정함으로써, 증착막의 성장 진행 중에 발생하는 크랙이나 냉각 중에 발생하는 크랙의 발생 시간 및 조건을 정확하게 측정 가능하여 증착막의 성장 기술 개발 및 재현성 확보에 우수한 효과를 제공한다.

8. 发明授权

KR101240168B1 질화물 막 제조방법 失效
标题翻译：制作硝酸膜的方法
公开(公告)号：KR101240168B1
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020110054465
申请日：2011-06-07
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이동욱 , 최준성 , 박현종 , 김동현 , 배준영 , 이원조 , 박철민 , 신성환
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
摘要： 본 발명은 질화물 막 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이종 기판의 하부에 홈을 패터닝하여, 질화물 막 성장시 발생하는 크랙 및 휨을 방지할 수 있는 질화물 막 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 질화물 막을 제조하는 방법에 있어서, 기판의 하부에 홈(Groove)을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 상부에 질화물 막을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 막 제조방법을 제공하여, 하부에 홈이 패터닝된 이종기판에 질화물 막을 성장시킴으로써, 질화물 막의 성장시 기판이 받는 스트레스(Stress)를 감소시켜 질화물 막의 휨 및 크랙을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.

9. 发明公开

KR1020120135641A 질화물 막 제조방법 失效
标题翻译：硝酸盐膜生长方法
公开(公告)号：KR1020120135641A
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020110054465
申请日：2011-06-07
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이동욱 , 최준성 , 박현종 , 김동현 , 배준영 , 이원조 , 박철민 , 신성환
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/268 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: A nitride layer manufacture method is provided to prevent cracks of a nitride film by growing the nitride film on a different kind substrate in which a groove is patterned at the lower side. CONSTITUTION: A groove is formed at the lower side of a substrate(100). A nitride film(200) is grown up on the upper side of the substrate. The substrate is formed of one among sapphire, SiC, Si, and GaAs. The groove is formed into a grid shape. The depth of the groove is 30um. The width of the groove is 20um.
摘要翻译：目的：提供一种氮化物层制造方法，用于通过在其下方形成凹槽的不同种类的衬底上生长氮化物膜来防止氮化物膜的裂纹。构成：在基板（100）的下侧形成有槽。在基板的上侧生长氮化膜（200）。衬底由蓝宝石，SiC，Si和GaAs之一形成。槽形成为网格形状。凹槽的深度为30um。槽的宽度为20um。

10. 发明公开

KR1020120135640A 증착막의 인-시튜 휨 측정이 가능한 반응기 및 그 측정방법 失效
标题翻译：用于测量蒸汽沉积膜弯曲度的反应器和方法
公开(公告)号：KR1020120135640A
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020110054464
申请日：2011-06-07
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 박현종 , 최준성 , 배준영 , 이원조 , 이동욱 , 박철민 , 신성환 , 김동현
IPC分类号： G01B11/16 , H01L21/66
摘要： PURPOSE: A reactor capable of an in-situ bending measurement of a deposited film and a measuring method thereof are provided to perform the in-situ bending measurement of the deposited film, thereby accurately measuring cracks generated when the deposited film becomes grown and cooled. CONSTITUTION: A reactor comprises a reaction tube(200), a gas discharge unit, a gas injection unit, and a susceptor(300). The gas injection unit injects a reaction gas to the reaction tube. The gas discharge unit discharges the reaction gas remained in the reaction tube. The susceptor is arranged in the lower part of the reaction tube, and a hole penetrating top and bottom surfaces of the susceptor is formed. [Reference numerals] (AA) Gas
摘要翻译：目的：提供能够进行沉积膜的原位弯曲测量的反应器及其测定方法，以进行沉积膜的原位弯曲测量，从而精确地测量当沉积膜生长和冷却时产生的裂纹。构成：反应器包括反应管（200），气体放电单元，气体注入单元和基座（300）。气体注入单元将反应气体注入反应管。气体放电单元排出留在反应管中的反应气体。感受体布置在反应管的下部，并且形成穿过基座的顶表面和底表面的孔。（附图标记）（AA）气体

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