基本信息:
- 专利标题： 질화갈륨 기판 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：GaN SUBSTRATE AND MANUFACTURE METHOD THE SAME
- 专利标题（中）：GaN基板和制造方法相同
- 申请号：KR1020110059585 申请日：2011-06-20
- 公开(公告)号：KR101270428B1 公开(公告)日：2013-06-03
- 发明人： 최준성 , 박현종 , 이원조 , 배준영 , 박철민 , 이동욱
- 申请人： 코닝정밀소재 주식회사
- 申请人地址： 충청남도 아산시 탕정면 만전당길 **
- 专利权人： 코닝정밀소재 주식회사
- 当前专利权人： 코닝정밀소재 주식회사
- 当前专利权人地址： 충청남도 아산시 탕정면 만전당길 **
- 代理人： 김선민
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L33/00
摘要：
본 발명은 질화갈륨 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 냉각 시 크랙을 유발하는 질화갈륨층을 성장시켜 베이스 기판과 자동분리를 위한 질화갈륨 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 질화갈륨 기판 제조방법에 있어서, 베이스 기판을 준비하는 과정과, 상기 베이스 기판 상에 냉각 시 크랙을 유발하는 제1 질화갈륨층을 성장시키는 과정 및, 상기 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 성장시키는 과정을 포함한다.
摘要（英）：
The present invention relates to a gallium nitride substrate, and a manufacturing method for the automatic separation and more specifically to the base substrate by growing a gallium nitride layer to cause cracks during the cooling relates to a gallium nitride substrate and a method of manufacturing the same. The present invention, in the gallium nitride substrate manufacturing method for this purpose, the process of the first gallium nitride layer to cause the process to prepare the base substrate and, upon cooling cracks on the base substrate growth and, the first gallium nitride layer onto and the second comprising the step of growing a second gallium nitride layer.
公开/授权文献:
- KR1020120140002A 질화갈륨 기판 및 그 제조방법 公开/授权日：2012-12-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |