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1. 发明授权

KR101249678B1 감광제를 이용하여 금속층에 그래핀을 제조하는 방법 有权
标题翻译：从光刻胶在金属层上制造石墨烯的方法
公开(公告)号：KR101249678B1
公开(公告)日：2013-04-05
申请号：KR1020110094122
申请日：2011-09-19
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이상욱 , 강태원 , 겐나디파닌 , 이승주 , 마이피헝
IPC分类号： C01B31/02 , G03F7/26 , G03F7/16 , H01B1/04
摘要： 본 발명은 금속층에 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 금속층 위에 감광층을 형성하고, 감광층을 노광, 현상, 세척, 및 가열하고, 가열결과 감광층이 그래핀으로 되는 것을 특징으로 하며, 감광층을 이용하여 양질의 그래핀을 성장시킬 수 있으며, 코팅된 감광층을 노광시켜 패턴을 형성한 형태대로 그래핀이 형성되므로, 그래핀의 패터닝 공정을 기존에 비해 대폭 간략화시킬 수 있다.

2. 发明公开

KR1020120073508A 탄소 웨이퍼를 사용한 접촉식 발광다이오드 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：使用碳粉的接触LED及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120073508A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020100135295
申请日：2010-12-27
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 조학동 , 강태원 , 이상욱 , 겐나디파닌
IPC分类号： H01L33/02
摘要： PURPOSE: A contact type light emitting diode using a carbon wafer and a manufacturing method thereof are provided to improve productivity by preventing interface defects in a heterogeneous growth process of a semiconductor nano rod. CONSTITUTION: A transparent substrate(10) is made of transparent materials. A nano rod layer(30) is made of mono-atomic single crystal semiconductor and polyatomic single crystal compound semiconductor. The nano rod layer includes a plurality of semiconductor nano rods grown on the carbon wafer. A transparent electrode layer(20) is contacted with the semiconductor nano rod layer doped with a first polarity. A transparent semiconductor layer(21) is formed on the transparent electrode layer.
摘要翻译：目的：提供一种使用碳晶片的接触型发光二极管及其制造方法，以通过防止半导体纳米棒的异质生长工艺中的界面缺陷来提高生产率。构成：透明基材（10）由透明材料制成。纳米棒层（30）由单原子单晶半导体和多原子单晶化合物半导体制成。纳米棒层包括在碳晶片上生长的多个半导体纳米棒。透明电极层（20）与掺杂有第一极性的半导体纳米棒层接触。在透明电极层上形成透明半导体层（21）。

3. 发明授权

KR101157105B1 그라핀 옥사이드의 저항 스위칭 특성을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：使用氧化烯电阻开关的非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101157105B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020110012801
申请日：2011-02-14
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이상욱 , 강태원 , 겐나디파닌 , 알리샤캐피타노바
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/1052 , H01L45/149 , H01L45/1666
摘要： PURPOSE: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by widely controlling interval between electrodes. CONSTITUTION: Two metal electrodes are patterned on a substrate. The substrate is selected among insulators including a crystalline substrate, an amorphous substrate, and a plastic substrate. The two metal electrodes are connected by forming a graphene oxide film on the top of the two metal electrodes. The graphene oxide film is restored. A top metal electrode is patterned on the restored graphene oxide film. The distance between the two metal electrodes is 20nm to 2mm. The thickness of the graphene oxide film is 20nm to 1micrometer.
摘要翻译：目的：提供一种非易失性存储器件及其制造方法，通过广泛地控制电极之间的间隔来降低制造成本。构成：在基板上形成两个金属电极。衬底选自包括晶体衬底，非晶衬底和塑料衬底的绝缘体。通过在两个金属电极的顶部上形成氧化石墨烯膜来连接两个金属电极。氧化石墨烯膜被还原。在恢复的石墨烯氧化物膜上形成顶部金属电极。两个金属电极之间的距离为20nm至2mm。氧化石墨烯氧化膜的厚度为20nm至1微米。

4. 发明公开

KR1020130067653A 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 생성한 그래핀 박막 有权
标题翻译：在绝缘体层上形成石墨膜的方法及其形成的石墨
公开(公告)号：KR1020130067653A
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020110134440
申请日：2011-12-14
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이상욱 , 강태원 , 이승주 , 전희창 , 마이피헝 , 겐나디파닌
IPC分类号： C01B31/02 , H01B17/62 , G03C1/74
CPC分类号： C01B32/184 , G03C1/74 , H01B17/62
摘要： PURPOSE: A forming method of a graphene thin film on an insulator layer, and a graphene thin film thereof are provided to minimize a patterning process of a graphene thin film, and to form a graphene thin film directly on an insulator, thereby omitting a process of moving a graphene to other insulator layer by etching a metal substrate or a metal catalyst layer. CONSTITUTION: A forming method of a graphene thin film on an insulator layer comprises the steps of: forming a photosensitizer on a metal layer in a state an insulator layer is formed on a substrate and a metal layer is formed on the insulator layer (100); forming a photosensitizer pattern by exposing and developing the photosensitizer layer (110); heating the photosensitizer pattern (120); and forming a graphene between the metal layer and the insulator layer by carbon atoms comprising the photosensitizer pattern which is penetrated through the metal layer as a result of the heating in the previous step. [Reference numerals] (100) Forming a photosensitizer on a metal layer in a state an insulator layer is formed on a substrate and a metal layer is formed on the insulator layer; (110) Forming a photosensitizer pattern by exposing and developing the photosensitizer layer; (120) Heating the photosensitizer pattern; (130) Forming a graphene between the metal layer and the insulator layer by carbon atoms comprising the photosensitizer pattern which is penetrated through the metal layer; (AA) Start; (BB) End
摘要翻译：目的：提供绝缘体层上的石墨烯薄膜的形成方法及其石墨烯薄膜，以最小化石墨烯薄膜的图案化工艺，并直接在绝缘体上形成石墨烯薄膜，从而省略了工艺通过蚀刻金属基板或金属催化剂层将石墨烯移动到其它绝缘体层。构成：在绝缘体层上形成石墨烯薄膜的方法包括以下步骤：在绝缘体层（100）上形成绝缘体层的状态下在金属层上形成光敏剂，并在金属层上形成金属层， ; 通过曝光和显影光敏剂层（110）形成光敏剂图案; 加热光敏剂图案（120）; 并且通过碳原子在金属层和绝缘体层之间形成石墨烯，所述碳原子是由于在前一步骤中的加热而穿透金属层的光敏剂图案。（附图标记）（100）在基板上形成绝缘体层的状态的金属层上形成光敏剂，在绝缘体层上形成金属层; （110）通过曝光和显影光敏剂层形成光敏剂图案; （120）加热光敏剂图案; （130）通过包含穿过金属层的光敏剂图案的碳原子在金属层和绝缘体层之间形成石墨烯; （AA）开始; （BB）结束

5. 发明公开

KR1020130066253A 나노로드를 이용한 태양전지 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：使用NANOROD的太阳能电池及其制备方法
公开(公告)号：KR1020130066253A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110133003
申请日：2011-12-12
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이상욱 , 강태원 , 겐나디파닌 , 조학동
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
摘要： PURPOSE: A solar cell using a nanorod and a method for manufacturing the same are provided to increase the efficiency of a solar cell manufacturing process, by using a simple manufacturing method of a contact type. CONSTITUTION: A nanorod layer(20) includes a plurality of first polarity ZnO nanorods formed on a first base film. A second polarity semiconductor layer(40) is formed on the nanorod layer. A super lattice layer is formed on the second polarity semiconductor layer. The first polarity semiconductor layer is formed on the supper lattice layer. A second base film(70) is formed on the first polarity semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供使用纳米棒的太阳能电池及其制造方法，通过使用接触型的简单制造方法来提高太阳能电池制造工序的效率。构成：纳米棒层（20）包括形成在第一基膜上的多个第一极性ZnO纳米棒。在纳米棒层上形成第二极性半导体层（40）。在第二极性半导体层上形成超晶格层。第一极性半导体层形成在超晶格层上。在第一极性半导体层上形成第二基膜（70）。

6. 发明公开

KR1020120074901A 산화아연 나노로드, 금속 수송 증착법을 이용한 산화아연 나노로드 제조 방법 및 장치, 그 산화아연 나노로드를 이용한 전계 발광 디스플레이 나노로드 제조 방법 无效
标题翻译： ZNO NANOROD，ZNO NANOROD生长方法和金属运输沉积装置，以及使用ZNO NANOROD制造现场排放显示的方法
公开(公告)号：KR1020120074901A
公开(公告)日：2012-07-06
申请号：KR1020100136885
申请日：2010-12-28
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 조학동 , 이상욱 , 겐나디파닌 , 강태원
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00
CPC分类号： B82Y30/00 , C30B23/00 , C30B23/007 , C30B29/16 , C30B29/605
摘要： PURPOSE: A zinc oxide nanorod, a manufacturing method and apparatus of zinc oxide nanorod using a metal, a manufacturing method of electro-luminescent display nanorod using the zinc oxide nanorod are provided to vaporize nanorod and nanowire having uniform length by growing the zinc oxide nanorod and the nanowire on the substrate at relatively low temperature. CONSTITUTION: A zinc oxide nanorod, a manufacturing apparatus of zinc oxide nanorod comprises a lateral furnace(101), a heater(110), carrier gas feeding parts(132,133) and an oxygen implanting part(131). A manufacturing method of the zinc oxide nanorods using transport deposition comprises the following steps: placing zinc metal in area-source within the furnace and placing growth substrates(121) in the growth region within the furnace; making the zinc metal into powder by heating inside the furnace and vaporizing the zinc metal; moving the powder state zinc metal to the growth region by using carrier gas provided to the furnace; and reacting oxygen gas which is directly inserted in the growth region with the molecular state zinc metal on the growth substrate.
摘要翻译：目的：一种氧化锌纳米棒，使用金属的氧化锌纳米棒的制造方法和装置，提供使用氧化锌纳米棒的电致发光显示纳米棒的制造方法，通过生长氧化锌纳米棒，蒸发具有均匀长度的纳米棒和纳米线并在相对较低的温度下在衬底上形成纳米线。构成：氧化锌纳米棒的制造装置包括侧炉（101），加热器（110），载气供给部（132,133）和氧注入部（131）。使用运输沉积的氧化锌纳米棒的制造方法包括以下步骤：将区域源中的锌金属放置在炉内并将生长衬底（121）放置在炉内的生长区域中; 通过在炉内加热并使锌金属蒸发而使锌金属成粉末; 通过使用提供给炉子的载气将粉状态的金属锌移动到生长区; 并且将生长区域中直接插入的氧气与分子状态的锌金属反应在生长基板上。

7. 发明公开

KR1020140104547A 스마트 글라스 无效
标题翻译： SMART GLASS
公开(公告)号：KR1020140104547A
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020130017213
申请日：2013-02-18
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 강태원 , 전희창 , 조학동 , 겐나디파닌
IPC分类号： G09F9/00 , F21S9/04 , H01L41/02
CPC分类号： G09F9/00 , F21S9/04 , G02F1/1334 , H01L41/02
摘要： The present invention relates to a smart glass comprising: a power generation unit disposed on one surface of a transparent plate; and one or more among a display unit and an illumination unit on the opposite surface of the transparent plate, wherein the power generation unit, the display unit, and the illumination unit are configured to be transparent. Therefore, the present invention can generate power and simultaneously light and display on the transparent plate such as a window glass.
摘要翻译：智能玻璃技术领域本发明涉及一种智能玻璃，包括：发电单元，设置在透明板的一个表面上; 并且在透明板的相对表面上的显示单元和照明单元中的一个或多个，其中发电单元，显示单元和照明单元被配置为透明的。因此，本发明可以产生电力并同时在诸如窗玻璃的透明板上发光和显示。

8. 发明授权

KR101428015B1 그라핀 옥사이드를 이용한 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
标题翻译：场效应晶体管使用氧化铁氧化物薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR101428015B1
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：KR1020120079152
申请日：2012-07-20
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이상욱 , 강태원 , 겐나디파닌
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/7781 , H01L29/78684
摘要： 본 발명은 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드를 포함하는 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서 기판, 기판상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극 상에 형성된 유전체층, 유전체층 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극, 및 소스 전극과 드레인 전극을 잇는 채널층으로써, 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하며, 기존의 실리콘 물질을 이용한 FET가 단단한 기판 상에만 제작이 가능했지만 본 발명은 유연한 기판상에 제작이 가능한 특징이 있다. 특히 채널층으로 사용되는 환원된 그라핀 옥사이드는 물에 분산이 잘 되어서 현탁액으로 제조가 가능하므로 인쇄법을 이용한 박막 제작이 가능하다.

9. 发明公开

KR1020130030564A 감광제를 이용하여 금속층에 그래핀을 제조하는 방법 有权
标题翻译：从光电制造金属层上的石墨的方法
公开(公告)号：KR1020130030564A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：KR1020110094122
申请日：2011-09-19
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이상욱 , 강태원 , 겐나디파닌 , 이승주 , 마이피헝
IPC分类号： C01B31/02 , G03F7/26 , G03F7/16 , H01B1/04
CPC分类号： C01B32/184 , G03F7/16 , G03F7/26 , H01B1/04
摘要： PURPOSE: A producing method of graphene on a metal layer, and a graphene thin film produced from the method are provided to simplify a patterning processing of graphene by light-exposing a coated photosensitive layer for forming a pattern to produce the graphene. CONSTITUTION: A producing method of graphene on a metal layer comprises the following steps: forming a photosensitive layer(220) on the metal layer(210); and light-exposing, developing, washing, and heating the photosensitive layer. The photosensitive layer is transformed into the graphene. A non-metal substrate(200) is located under the metal layer. [Reference numerals] (200) Substrate; (210) Metal layer; (220) Photosensitive layer; (230) Mask; (AA) Ultraviolet rays
摘要翻译：目的：提供一种金属层上的石墨烯的制造方法和由该方法制造的石墨烯薄膜，以通过光刻曝光用于形成图案的涂布感光层来简化石墨烯的图案化处理，以制造石墨烯。构成：金属层上的石墨烯的制造方法包括以下步骤：在金属层（210）上形成感光层（220）; 并对光敏层进行曝光，显影，洗涤和加热。感光层转变成石墨烯。非金属基板（200）位于金属层下方。（附图标记）（200）基板; （210）金属层; （220）感光层; （230）面膜; （AA）紫外线

10. 发明授权

KR101435458B1 나노로드를 이용한 태양전지 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：使用NANOROD的太阳能电池及其制备方法
公开(公告)号：KR101435458B1
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020110133003
申请日：2011-12-12
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이상욱 , 강태원 , 겐나디파닌 , 조학동
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본원은, 제 1 기재 상에 형성된 복수의 제 1 극성 ZnO 나노로드들을 포함하는 나노로드층; 상기 나노로드층 상에 형성된 제 2 극성 반도체층; 상기 제 2 극성 반도체층 상에 형성된 초격자층; 상기 초격자층 상에 형성된 제 1 극성 반도체층; 및 상기 제 1 극성 반도체층 상에 형성된 제 2 기재를 포함하는, 나노로드를 이용한 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

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