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热词
    • 1. 发明授权
    • 전계 구동 표시 장치
    • 由电场驱动的显示装置
    • KR101677669B1
    • 2016-11-29
    • KR1020090105156
    • 2009-11-02
    • 주식회사 동진쎄미켐고려대학교 산학협력단
    • 이준혁김병욱홍문표최홍배병성
    • G02F1/167
    • G02F1/167G02F1/133512G02F2001/1676
    • 본발명은전계구동표시장치에관한것이다. 본발명의한 실시예에따른전계구동표시장치는제1 기판, 상기제1 기판위에형성되어있는제1 전극, 상기제1 기판위에형성되어있으며상기제1 전극과평행하게배치되어있는제2 전극, 상기제1 전극및 상기제2 전극위에형성되어있으며복수의개폐구멍을가지는구동격벽, 상기각 개폐구멍내에배치되어있는복수의구동체를포함할수 있다. 따라서, 본발명의한 실시예에따른전계구동표시장치는전기력을이용하여구동체의위치를수평방향으로조절함으로써빛의투과량을조절하여원하는화상을표시할수 있다.
    • 电场驱动显示装置技术领域本发明涉及一种电场驱动显示装置。 根据本发明的一个实施例,电场驱动显示装置包括:第一基板; 形成在第一基板上的第一电极; 第二电极,形成在第一基板上并与第一电极平行设置; 驱动分隔壁,其形成在所述第一电极和所述第二电极上,并且具有多个开闭孔; 以及设置在每个所述开闭孔内的多个驱动体。 因此,根据本发明的一个实施例的电场驱动显示装置可以通过使用电力调节驱动体在水平方向上的位置来调节透光量并从而显示所需图像。
    • 2. 发明授权
    • 중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 제조 방법
    • 使用中性颗粒光束生成装置的非易失性存储器薄膜晶体管制造方法
    • KR101627354B1
    • 2016-06-07
    • KR1020160012131
    • 2016-02-01
    • 고려대학교 산학협력단
    • 홍문표장진녕
    • H01L27/115H01L29/786H01L21/02H01L21/425H05H1/46
    • 본발명은중성입자빔발생장치를이용하여비휘발성메모리박막트랜지스터를제조하는방법에관한것으로, 기판위에게이트전극과상기게이트전극위에제1 게이트절연막을형성하는단계; 챔버내에, 상기제1 게이트절연막이형성된기판을배치하는단계; 상기챔버내에, 가스공급구를통해플라즈마생성을위한불활성가스및 수소플라즈마발생을위한수소가스를공급하는단계; 상기챔버에서생성된수소플라즈마이온이리플렉터와충돌하여수소중성입자로변환되는단계; 상기수소중성입자가상기제1 게이트절연막에조사되어모바일프로톤이형성되는단계; 및상기모바일프로톤이형성된상기제1 게이트절연막위에제2 게이트절연막을증착하는단계를포함한다. 본발명에의하면, 기존의장시간(수십분이상) 및고온(600℃이상)의수소열처리공정대신, 중성입자빔발생장치를이용하여비교적저온(20℃이상 300℃이하)에서단시간(10분) 내에모바일프로톤을형성하여비휘발성메모리박막트랜지스터를제조하기때문에, 유리기판이나플라스틱필름과같은기판을박막형트랜지스터제조에이용할수 없어제품적용에제약이존재하였던문제를해결해준다.
    • 5. 发明授权
    • 기체 차단막 형성 장치 및 그 방법
    • 用于形成气体阻挡物的装置及其形成方法
    • KR101239575B1
    • 2013-03-05
    • KR1020100078762
    • 2010-08-16
    • 고려대학교 산학협력단
    • 홍문표이유종장윤성이준영
    • C23C14/20C23C14/56C23C16/54C23C14/34
    • C23C16/44B05D1/62C23C14/086C23C14/22C23C14/225C23C14/3464C23C14/35C23C16/00C23C16/22H01J37/32357H01J37/32422H01J37/3417H01J37/347H01J2237/332H01L51/5256
    • 본 발명은 유기발광소자, 유기태양전지 등의 유기전자 소자용 수분 및 산소 기체 차단을 위한 기체 차단막 형성 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 특히 고특성 기체 차단막을 형성하기 위해 유기박막과 무기박막을 혼용하여 적층하는 구조의 유/무기 혼성 다층 기체 차단막을 형성함에 있어서 공정의 연속성을 유지하기 위해 하나의 공정용 진공 챔버 내에서 모든 기체 차단막을 형성하며, 이때 사용되는 무기박막의 형성은 스퍼터링 방법 기반의 중성입자 빔 처리 방법을 사용하여 나노 결정 구조의 크기를 단일 무기 박막 내에서 두께별로 연속적으로 변화시켜 고밀도 박막을 형성하며, 완충층 역할의 유기박막 형성은 고분자 유기박막용 액상 재료를 기화하여 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방법 기반으로 기판 위에 선택적으로 형성함으로써, 생산성과 저원가 특성을 모두 만족시키는 고특성 기체 차단막을 형성할 수 있는 기체 차단막 형성 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
      본 발명인 기체 차단막 형성 장치를 이루는 구성수단은, 화학 기상 증착 공정과 스퍼터링 공정이 수행되는 공간을 제공하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버 내부의 하부에 배치되되, 유/무기 혼성 다층 구조의 기체 차단막이 형성되는 대상체를 장착하고 있는 홀딩 수단, 상기 진공 챔버 내부의 상부에 배치되어 중성입자 빔을 발생시키는 중성입자 빔 발생 수단, 상기 중성입자 빔 발생수단의 양 쪽에 각각 배치되되, 스퍼터링 타겟의 면이 상기 대상체의 면에 경사지도록 장착하고 있는 공동 스퍼터링 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
    • 6. 发明授权
    • 액정 터치스크린 패널
    • 液晶触摸屏面板
    • KR101166084B1
    • 2012-07-23
    • KR1020110025237
    • 2011-03-22
    • 고려대학교 산학협력단
    • 홍문표김동우이지훈장원근
    • G06F3/041G02F1/133G02F1/1334
    • G06F3/044G02F1/13338G06F2203/04103G06F3/0412
    • PURPOSE: A liquid touch screen panel is provided to establish various touch inputting modes by detecting external stimulation based on the quantity of electric charges which change according to external stimulation applied to a substrate. CONSTITUTION: A second substrate(103) faces a first substrate(102). An electrode pattern part(101) is arranged on the upper side of the second substrate. A liquid crystal layer(104) is composed of liquid crystal molecules interposed between the electrode pattern part and the first substrate. The liquid crystal molecules of the liquid crystal layer changes the quantity of charges due to flexoelectric effect and piezoelectric effect due to external stimulation applied to the first substrate. Based on the changed quantity of charges, the external stimulation applied to the first substrate is detected.
    • 目的:提供液体触摸屏面板,通过根据施加到基板的外部刺激而改变的电荷量检测外部刺激来建立各种触摸输入模式。 构成:第二衬底(103)面向第一衬底(102)。 电极图形部分(101)布置在第二基板的上侧。 液晶层(104)由介于电极图形部分和第一基板之间的液晶分子组成。 液晶层的液晶分子由于施加到第一基板的外部刺激而由于柔性电效应和压电效应而改变电荷量。 基于改变的电荷量,检测施加到第一衬底的外部刺激。
    • 7. 发明公开
    • 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
    • 有机薄膜晶体管及其制造方法
    • KR1020100096847A
    • 2010-09-02
    • KR1020090015910
    • 2009-02-25
    • 고려대학교 산학협력단
    • 홍문표김동우김두현김건수
    • H01L51/00H01L29/786
    • H01L51/105H01L51/0516H01L51/0525H01L51/0545
    • PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the property of an organic thin film transistor by minimizing the difference between the work function of an electrode and the energy level of the organic semiconductor. CONSTITUTION: A gate electrode(20) is formed on a substrate. A gate insulating layer(30) is formed on the gate electrode and the substrate. The gate insulating layer is formed through a solution process which uses a solvent-based material with siloxane bonding. A source electrode and a drain electrode(40b) are formed on the gate insulating layer. A carrier injection film is formed on the source electrode and the drain electrode with a forced oxidation method. An organic semiconductor layer, which is overlapped with the gate electrode between the source electrode and the drain electrode, is formed.
    • 目的:提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法,通过最小化电极的功函数与有机半导体的能级之间的差异来提高有机薄膜晶体管的性能。 构成:在基板上形成栅电极(20)。 在栅电极和基板上形成栅极绝缘层(30)。 栅极绝缘层通过使用具有硅氧烷键合的溶剂基材料的溶液法形成。 源电极和漏电极(40b)形成在栅极绝缘层上。 用强制氧化法在源电极和漏电极上形成载流子注入膜。 形成与源电极和漏电极之间的栅电极重叠的有机半导体层。